初步
RT9285C
微型封装,高性能,二极管嵌入白
LED驱动器
概述
该RT9285C是一个高频率同步升压
转换器具有内部二极管,其可支持2至5
白光LED背光和OLED电源。该
内部软启动功能可降低浪涌电流。
该器件工作在1MHz固定开关频率
允许小型外部元件,简化可能
EMI问题。该设备配有20V的过压
保护,以允许廉价和小输出电容
具有较低的额定电压。 LED电流的初始设定
与外部检测电阻R
SET
以及反馈
电压为250毫伏。微型封装型TSOT- 23-6 ,
XDFN -8L的2x2和WDFN -8L的2x2封装提供最好的
解决方案的PCB空间节省和总BOM成本。
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
V
IN
经营范围: 2.7V至5.5V
高达85 %的效率
22V内部电源NMOS
1MHz开关频率
内置二极管
数字调光与零浪涌
输入欠压锁定保护
输出过电压保护
内部软启动和补偿
TSOT - 23-6 , 8引脚XDFN和WDFN封装
符合RoHS标准, 100 %无铅(Pb ) - 免费
应用
l
l
l
订购信息
RT9285C
套餐类型
QW : WDFN -8L 2×2 (宽型)
QX: XDFN -8L 2×2 (X型)
J6 : TSOT- 23-6
工作温度范围
P:无铅与商业标准
G:绿色(无卤素与商业用
CIAL标准)
注意:
立锜无铅和绿色的产品有:
l
l
l
手机
数码相机
PDA和智能电话
Porbable仪器
MP3播放器
OLED电源
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
VDD VOUT EN
GND
}
符合RoHS标准,电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
}
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
}
100 %雾锡( Sn)镀层。
GND
1
LX
2
NC
3
保护地
4
8
7
6
5
9
FB
EN
VOUT
VDD
6
1
LX
5
2
GND
4
3
FB
XDFN / WDFN -8L ×2
TSOT-23-6
标识信息
用于标记信息,请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区,否则访问我们的网站查看详细。
记
:上有顶标没有PIN1指标TSOT- 23-6
类型和引脚1将阅读上面标明的时候是左下针
由左到右。
2007年DS9285C -00月
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RT9285C
典型应用电路
初步
L1
器10uH来器22uH
V
IN
2.7V至5.5V
RT9285C
LX
EN
芯片使能
GND
保护地
FB
VDD
VOUT
C1
1uF
C2
0.22uF至1uF的
R
SET
12.5
PGND引脚XDFN / WDFN -8L封装
功能引脚说明
PIN号
引脚名称
XDFN / WDFN -8L TSOT- 23-6
1,
裸露焊盘( 9 )
2
3
4
5
2
1
--
--
6
GND
LX
NC
保护地
VDD
接地引脚。
裸露焊盘必须焊接到PCB大和
连接到GND最大功率耗散。
LX引脚。此引脚连接到电感。最小化的轨道区域
降低EMI。
无内部连接。
电源接地引脚。
电源输入电压引脚。 1uF的旁路电容接地,以减小
输入纹波。
输出电压引脚。该引脚在内部连接到OVP二极管来限制
输出电压, LED被断开。
芯片使能(高电平有效)。请注意,此引脚具有内部上拉下来
各地300kΩ精阻力。
反馈引脚。串联连接的WLED和地之间的电阻
作为电流检测。感测电流反馈电压设置
电流额定值。
引脚功能
6
7
5
4
VOUT
EN
8
3
FB
0.5us内<吨
HI
0.5us内<吨
LO
< 300US
EN
0
1
2
3
4
5
14
15
0
1
100%
15/16
关闭
关闭
I
WLED
100% 15/16
14/16 13/16
12/16
3/16
2/16
1/16
图1.操作数字脉冲调光控制
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2007年DS9285C -00月
RT9285C
绝对最大额定值
l
初步
(注1 )
电源电压,V
IN
-------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3
至6V
l
LX输入电压------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至22V
l
输出电压-------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至21V
l
其他引脚--------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至6V
l
功耗,P
D
@ T
A
= 25°C
TSOT23-6 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.392W
XDFN / WDFN -8L的2x2 -------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 0.606W
l
封装热阻(注4 )
TSOT23-6,
θ
JA
-------------------------------------------------------------------------------------------------------- 255 ° C / W
XDFN / WDFN -8L 2×2 ,
θ
JA
-------------------------------------------------- ----------------------------------------- 165 ° C / W
l
l
l
l
XDFN / WDFN -8L 2×2 ,
θ
JC
-------------------------------------------------- ----------------------------------------- 20 ° C / W
结温------------------------------------------------ ----------------------------------------------- 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ----------------------------------------- --------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- ----------------------------------------
65 ℃150 ℃的
ESD易感性(注2 )
HBM (人体模式) -------------------------------------------- --------------------------------------------- 2kV的
MM (机器模式) --------------------------------------------- -------------------------------------------------- - 200V
(注3)
推荐工作条件
l
l
结温范围----------------------------------------------- ---------------------------------------
40 ° C至125°C
环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------
40 ° C至85°C
电气特性
(V
IN
= 3.7V ,频率悬空,T
A
= 25 ° C,除非另有说明)
参数
系统电源输入
工作电压范围
欠压锁定
静态电流
电源电流
关断电流
产量
线路调整
振荡器
工作频率
最大工作 ycle
参考电压
反馈参考电压
二极管
正向电压
MOSFET
MOSFET的导通电阻
符号
V
DD
V
UVLO
I
Q
I
IN
I
SHDN
测试条件
民
2.7
1.7
典型值
--
2
300
--
2
--
1
90
0.25
最大
5.5
2.3
450
2
5
3
--
--
0.263
单位
V
V
A
mA
uA
%
兆赫
%
V
FB = 1.5V ,无开关
FB = 0V ,开关
V
EN
& LT ; 0.4V
V
IN
= 3V至4.3V
--
--
--
--
--
85
f
OSC
V
REF
V
FW
R
DS ( ON)
I
FW
= 100毫安
0.237
--
0.5
0.9
0.75
--
1
V
待续
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初步
参数
保护
OVP阈值
OCP
控制界面
EN阈值
逻辑低电平电压V
IL
逻辑高电压V
IH
EN低电平时间进行调光
之间的延迟时间的步骤
EN低电平时间为关机
T
LO
T
HI
T
SHDN
参照图1
参照图1
参照图1
--
1.4
0.5
0.5
1
--
--
--
--
--
V
OV P
--
--
20
400
符号
测试条件
民
典型值
RT9285C
最大
单位
--
--
V
mA
0.4
--
300
--
--
V
V
s
s
ms
注1.Stresses
列入上述"Absolute最大Ratings"可能会造成永久性损坏设备。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25 ℃,在低有效单个层的热导率测试的板
JEDEC 51-3的热测量标准。的情况下,位置
θ
JC
是包装上的裸露焊盘。
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