初步
RT9285A/B
微型封装，高性能，二极管嵌入白
LED驱动器
概述
该RT9285是一个高频率同步升压
转换器具有内部二极管，其可支持2至5
白光LED背光和OLED电源。该
内部软启动功能可降低浪涌电流。
该器件工作在1MHz固定开关频率
允许小型外部元件，简化可能
EMI问题。该设备配有20V的过压
保护，以允许廉价和小输出电容
具有较低的额定电压。 LED电流的初始设定
与外部检测电阻R
SET
以及反馈
电压为250毫伏。微型封装型TSOT- 23-6和
WDFN -8L的2x2封装为PCB的最佳解决方案
节省空间和总BOM成本。
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
V
IN
经营范围： 2.7V至5.5V
高达85 ％的效率
22V内部电源N-MOSFET
1MHz开关频率
内置二极管
数字调光与零浪涌
输入欠压锁定保护
输出过电压保护
内部软启动和补偿
TSOT - 23-6和8引脚WDFN封装
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
应用
l
l
l
订购信息
RT9285
套餐类型
QW ： WDFN -8L 2×2 （宽型）
J6 ： TSOT- 23-6
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
调光
答：数字脉冲调光
B： PWM调光时钟
注意：
立锜无铅和绿色的产品有：
l
l
l
手机
数码相机
PDA和智能电话
Porbable仪器
MP3播放器
OLED电源
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
VDD VOUT EN
AGND
LX
NC
保护地
1
2
3
4
8
}
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
9
7
6
5
FB
EN
VOUT
VDD
6
1
LX
5
2
GND
4
3
FB
}
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
}
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
WDFN -8L ×2
TSOT-23-6
记
：上有顶标没有PIN1指标TSOT- 23-6
类型和引脚1将阅读上面标明的时候是左下针
由左到右。
标识信息
用于标记信息，请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区，否则访问我们的网站查看详细。
DS9285A / B - 2007年8月2日
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RT9285A/B
典型应用电路
初步
L1
器10uH来器22uH
V
IN
2.7V至5.5V
RT9285A/B
LX
EN
芯片使能
GND
FB
VDD
VOUT
C1
1uF
C2
0.22uF至1uF的
R
SET
12.5
功能引脚说明
PIN号
引脚名称
WDFN-8L
1
2
--
3 ，裸露焊盘（ 9 ）
4
5
TSOT-23-6
--
1
2
--
--
6
AGND
LX
GND
NC
保护地
VDD
模拟接地引脚。
LX引脚。此引脚连接到电感。最小化的轨道区域
降低EMI。
接地引脚。
无内部连接。
电源接地引脚。
电源输入电压引脚。 1uF的旁路电容接地，以减小
输入纹波。
输出电压引脚。该引脚在内部连接到OVP二极管来限制
输出电压， LED被断开。
芯片使能（高电平有效）。请注意，此引脚具有内部上拉下来
各地300kΩ精阻力。
反馈引脚。串联连接WLED之间的电阻
8
3
FB
地作为电流检测。感应电流反馈电压来设置
额定电流。
--
GND
裸露焊盘应焊接到PCB板上，并连接到
GND 。
引脚功能
6
5
VOUT
7
4
EN
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DS9285A / B - 2007年8月2日
初步
功能块图
当前
SENSE
RT9285A/B
1.0MHz的OSC
坡
赔偿金
OCP
OVP
PWM
逻辑
LX
VOUT
VDD
UVLO / P
良好
-
+
定时器
调光
调节器
+
-
软
开始/用Cla
mping
EN
FB
V
REF
GND
手术
软启动
软启动功能是通过钳位输出做
与另一电压源电压误差放大器的那
从零逐渐增大到接近V
IN
在软启动
期。因此，PWM的占空比将是
从零在此期间上升至最大值。该软
开始时间由1.5毫秒的计时器来决定。充电
电感器的时间将被限制为较小的工作，以便
该冲击电流可以降低到一个可以接受的
值。
过电压保护
过压保护是通过检测结
击穿检测电路。一旦V
OUT
越过
检测电压， LX引脚停止开关和电源
NMOS截止。然后，在V
OUT
被钳位到接近
V
OVP
.
LED电流设置
的RT9285调节LED电流通过设置电流
检测电阻（R
SET
）连接到反馈和地面。
内部反馈参考电压是0.25V 。而LED
电流可以从容易下列公式进行设置。
I
LED
（毫安） = 0.25 / R
SET
为了有一个准确的LED电流，精密电阻
是优选的（ 1 ％推荐） 。该表的R
SET
选择如下所示。
表1。R
SET
价值精选
I
LED
（MA ）
5
10
12
15
20
R
SET
()
49.9
24.9
21
16.5
12.4
数字脉冲调光（ RT9285A ）
数字脉冲调光通过检查实施
EN引脚的低电平持续时间。作为持续时间
是在T的范围
UP
中，LED电流会增加1/16 。如果
持续时间是在T的范围
下
中，LED电流
将减少1/16 。 EN引脚的高电平持续时间
需求大于T
延迟
以确保该逻辑可以是
正确地检测到。作为LED电流设定为最大值（ 16 /
16）时，将保持最大值，直到递减信号是
检测到。另一方面，作为LED电流被设置为
MIN（ 1/16）时，将保持最小，直到增加信号是
检测到。当芯片导通时，初始状态的LED
电流MAX 。
DS9285A / B - 2007年8月2日
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RT9285A/B
初步
表2
反馈电压
增加
减少
延迟步骤之间
关闭
时间
为0.5μs至75μs
180μs至300μS
> 0.5μS
>毫秒
符号
T
UP
T
下
T
延迟
T
SHDN
T
延迟
EN
T
DOWM
关机
I
WLED
100%
T
UP
15/16
100%
T
SHDN
关机
图1
PWM调光（ RT9285B ）
用于控制LED的亮度， RT9285B可通过施加一个PWM信号EN引脚进行调光控制。
一个低通滤波器内的芯片上实现，以减少I的压摆率
LED
为了防止音频噪声。 LED的平均
电流正比于PWM信号的占空比。在PWM信号的幅度应该比更高
最大EN使能引脚的电压，为了让调光控制的正确执行。
EN
I
WLED ， AVG
EN的占空比=
I
WLED
图2
限流
电流流过电感器的充电周期由一个电流检测电路检测到。由于在价值
电流限制时，NMOS将被关断，以使电感器将被迫离开充电阶段，并进入排出
阶段。因此，电感电流不会增加过电流限制。
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初步
绝对最大额定值
l
RT9285A/B
（注1 ）
电源电压，V
IN
-------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3
至6V
l
LX输入电压------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至22V
l
输出电压-------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至21V
l
其他引脚--------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V至6V
l
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
TSOT23-6 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.455W
WDFN -8L ×2 --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.606W
l
封装热阻（注4 ）
TSOT23-6,
θ
JA
-------------------------------------------------------------------------------------------------------- 220 ° C / W
WDFN -8L 2×2 ，
θ
JA
-------------------------------------------------- ------------------------------------------------- 165 ° C / W
l
l
l
l
结温------------------------------------------------ ----------------------------------------------- 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- --------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- ----------------------------------------
65 ℃150 ℃的
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- --------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- - 200V
（注3）
推荐工作条件
l
l
工作结点温度范围---------------------------------------------- ---------------------------
40 ° C至125°C
操作环境温度范围---------------------------------------------- ---------------------------
40 ° C至85°C
电气特性
(V
IN
= 3.7V ，频率悬空，T
A
= 25℃ ，除非另有说明）
参数
系统电源输入
工作电压范围
欠压锁定
静态电流
电源电流
关断电流
产量
线路调整
振荡器
工作频率
最大占空比
参考电压
反馈参考电压
二极管
正向电压
MOSFET
MOSFET的导通电阻
符号
V
IN
V
UVLO
I
Q
I
IN
I
SHDN
测试条件
民
2.7
1.7
典型值
--
2
300
--
2
--
1
90
0.25
0.9
0.75
最大
5.5
2.3
450
2
5
3
--
--
0.263
--
1
单位
V
V
A
mA
uA
%
兆赫
%
V
V
FB = 1.5V ，无开关
FB = 0V ，开关
V
EN
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 3V至4.3V
--
--
--
--
--
85
f
OSC
V
REF
V
FW
R
DS （ ON）
I
FW
= 100毫安
0.237
--
0.5
待续
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QQ：2881677436 复制
