初步
引脚说明
引脚号引脚名称
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
EXT
LFB
LDOO
FB
VDD
LX
CE
引脚功能
地
输出引脚用于驱动外部NMOS或NPN
当找到一个NPN ，电阻器应当用于限制基极电流增加。
内置的LDO （内部VREF = 0.86V ）的反馈引脚
内置LDO的电压输出引脚
反馈输入引脚
内部参考电压误差放大器为1.25V 。
RT9264的输入正电源引脚
端子的切换
芯片使能
RT9264进入关断模式时， CE引脚设置为低电平。
RT9264
功能块图
VDD
LDOO
LFB
FB
VDD
Q2
PMOS
RT9264
1.25V
_
+
EXT
LX
1.25V VDD
R2
环控制电路
Q1
NMOS
R1
_
+
CE
Q3
NMOS
温度过高。
探测器
关闭
GND
2001年DS9264-00月
www.richtek-ic.com.tw
3
RT9264
绝对最大额定值
电源电压
LX引脚电压开关
LDO输出电压
其他I / O引脚电压
LX引脚开关电流
EXT引脚驱动电流
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOP-8
封装热阻
SOP-8,
θ
JA
工作结温
存储温度范围
初步
-0.3V至6V
-0.3V至（ VDD + 0.8V ）
-0.3V至（ VDD + 0.3V ）
-0.3V至（ VDD + 0.3V ）
2.5A
30mA
0.625W
160°C/W
150°C
-65°C ~ +150°C
电气特性
(V
IN
= 3.3V ， VDD设置为5V ，负载电流= 0 ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
工作电压VDD范围
空载电流I （V
IN
)
开断电流I（ VDD ）
关断电流I（ V
IN
)
反馈参考电压
反馈参考电压的LDO
开关频率
最大占空比
LX抗性
电流限制设定
EXT导通电阻连接到VDD
EXT导通电阻到GND
线路调整
负载调整率
LDO PMOS导通电阻
LDO降稳压
CE引脚触发电平
温度稳定性FB ， LFB ， LBI
热关断
热关断Hysterises
T
S
T
SD
T
SD
V
降
V
LINE
V
负载
I
极限
符号
V
DD
I
空载
I
关闭
V
REF
V
REF
F
S
D
最大
V
IN
= 3.3V, V
OUT
= 5V
CE引脚= 0V ，V
IN
= 4.5V
闭环， VDD = 3.3V
闭环， VDD = 3.3V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
V
IN
= 3 4V ，我
L
= 1毫安
V
IN
= 3.3V ，我
L
= 1 50毫安
VDD = 5V
VDD = 5V ， IL =百毫安
VDD = 5V
通过设计保证
通过设计保证
通过设计保证
I
关闭
V
IN
= 6V
测试条件
民
1
--
--
--
1.225
0.843
1.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.2
--
--
--
典型值
--
3
1
0.1
1.25
0.86
--
80
0.25
2
30
20
20
0.5
1
70
0.8
50
165
10
最大
6
--
--
1
1.275
0.877
2.8
--
--
--
--
--
--
--
1.5
--
1.4
--
--
--
单位
V
mA
mA
A
V
V
兆赫
%
A
mV / V的
毫伏/毫安
mV
V
PPM /
°C
°C
°C
www.richtek-ic.com.tw
2001年DS9264-00月
4
初步
引脚说明
引脚号引脚名称
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
EXT
LFB
LDOO
FB
VDD
LX
CE
引脚功能
地
输出引脚用于驱动外部NMOS或NPN
当找到一个NPN ，电阻器应当用于限制基极电流增加。
内置的LDO （内部VREF = 0.86V ）的反馈引脚
内置LDO的电压输出引脚
反馈输入引脚
内部参考电压误差放大器为1.25V 。
RT9264的输入正电源引脚
端子的切换
芯片使能
RT9264进入关断模式时， CE引脚设置为低电平。
RT9264
功能块图
VDD
LDOO
LFB
FB
VDD
Q2
PMOS
RT9264
1.25V
_
+
EXT
LX
1.25V VDD
R2
环控制电路
Q1
NMOS
R1
_
+
CE
Q3
NMOS
温度过高。
探测器
关闭
GND
2001年DS9264-00月
www.richtek-ic.com.tw
3
RT9264
绝对最大额定值
电源电压
LX引脚电压开关
LDO输出电压
其他I / O引脚电压
LX引脚开关电流
EXT引脚驱动电流
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOP-8
封装热阻
SOP-8,
θ
JA
工作结温
存储温度范围
初步
-0.3V至6V
-0.3V至（ VDD + 0.8V ）
-0.3V至（ VDD + 0.3V ）
-0.3V至（ VDD + 0.3V ）
2.5A
30mA
0.625W
160°C/W
150°C
-65°C ~ +150°C
电气特性
(V
IN
= 3.3V ， VDD设置为5V ，负载电流= 0 ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
工作电压VDD范围
空载电流I （V
IN
)
开断电流I（ VDD ）
关断电流I（ V
IN
)
反馈参考电压
反馈参考电压的LDO
开关频率
最大占空比
LX抗性
电流限制设定
EXT导通电阻连接到VDD
EXT导通电阻到GND
线路调整
负载调整率
LDO PMOS导通电阻
LDO降稳压
CE引脚触发电平
温度稳定性FB ， LFB ， LBI
热关断
热关断Hysterises
T
S
T
SD
T
SD
V
降
V
LINE
V
负载
I
极限
符号
V
DD
I
空载
I
关闭
V
REF
V
REF
F
S
D
最大
V
IN
= 3.3V, V
OUT
= 5V
CE引脚= 0V ，V
IN
= 4.5V
闭环， VDD = 3.3V
闭环， VDD = 3.3V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
V
IN
= 3 4V ，我
L
= 1毫安
V
IN
= 3.3V ，我
L
= 1 50毫安
VDD = 5V
VDD = 5V ， IL =百毫安
VDD = 5V
通过设计保证
通过设计保证
通过设计保证
I
关闭
V
IN
= 6V
测试条件
民
1
--
--
--
1.225
0.843
1.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.2
--
--
--
典型值
--
3
1
0.1
1.25
0.86
--
80
0.25
2
30
20
20
0.5
1
70
0.8
50
165
10
最大
6
--
--
1
1.275
0.877
2.8
--
--
--
--
--
--
--
1.5
--
1.4
--
--
--
单位
V
mA
mA
A
V
V
兆赫
%
A
mV / V的
毫伏/毫安
mV
V
PPM /
°C
°C
°C
www.richtek-ic.com.tw
2001年DS9264-00月
4
QQ：2881677436 复制
