RT9226B
绝对最大额定值
电源电压
输入,输出或I / O电压
环境温度范围
工作结温范围
存储温度范围
封装热阻
SOP-14,
θ
JA
引线温度(焊接, 10秒)
初步
15V
GND - 0.3V到Vcc + 0.3V
0 ° C至70℃
0 ° C至125°C
65°C
至150℃
160°C/W
300°C
电气特性
( VCC = 12V , GND = 0V ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
VCC电源电流
额定电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
使能输入阈值
振荡器
频率
斜坡幅度
内部参考电压
参考电压
PWM控制器误差放大器
DC增益
PWM控制器,栅极驱动器
UGATE源
UGATE水槽
LGATE源
LGATE水槽
保护
OCSET电流源
软启动电流
过电压跳闸( VSEN / VREF )
电源良好
阈值上限( VSEN / VREF )
阈值下限( VSEN / VREF )
PGOOD电压低
V
PGOOD
I
PGOOD
= -5mA
--
--
--
108
92
0.5
--
--
--
%
%
V
I
OCSET
I
SS
V
OCSET
= 4.5V
V
SS
= 1.5V
170
--
--
200
10
115
230
--
120
A
A
%
R
UGATE
I
UGATE
= 0.3A
R
UGATE
I
UGATE
= 0.3A
I
LGATE
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
R
LGATE
I
LGATE
= 1V
--
--
--
--
8
6
500
5
--
--
--
--
mA
--
65
--
dB
V
REF
0.785
0.800
0.815
V
V
OSC
170
--
200
1.9
230
--
千赫
V
V
EN
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
--
--
0.2
9.5
7.5
--
--
--
2.2
V
V
V
I
CC
UGATE开放
--
3
--
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
www.richtek-ic.com.tw
DS9226B - 2001年5月1日
2
RT9226B
典型应用电路
12V
R1
10
初步
11
C1
BOOT
1F 14
VCC
OCSET
5
EN
低关断
UGATE
3
SS
C3
12 PGNDL相
0.1F
6 GND
LGATE
7 PGNDH
FB
8 PGOOD
VSEN
RT9226B
D1
15V
电源良好
R5
10K 1%
C2
1000pF
2
10
9
13
4
1
R3
R4
910 1% 510 1%
Q2
R2
2.4k
Q1
C6
1F
L1
+
-
C4
1000F×2
L2
7H
+ C5
-
1000F×6
1H
V
IN
5V
D2
1N5817
V
OUT
1.25V/10A
C4 , C5 :每一个1000μF 6.3WV DC ,三洋MV- GX或同等学历。
L1 :核心:微金属T50-52 ;缠绕: 5圈18 AWG 。
L2 :核心:微金属T60-52 ;绕: 14圈17 AWG 。
Q1 , Q2 : PHB83N03LT , PHB95N03LT
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4
RT9226B
绝对最大额定值
电源电压
输入,输出或I / O电压
环境温度范围
工作结温范围
存储温度范围
封装热阻
SOP-14,
θ
JA
引线温度(焊接, 10秒)
初步
15V
GND - 0.3V到Vcc + 0.3V
0 ° C至70℃
0 ° C至125°C
65°C
至150℃
160°C/W
300°C
电气特性
( VCC = 12V , GND = 0V ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
VCC电源电流
额定电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
使能输入阈值
振荡器
频率
斜坡幅度
内部参考电压
参考电压
PWM控制器误差放大器
DC增益
PWM控制器,栅极驱动器
UGATE源
UGATE水槽
LGATE源
LGATE水槽
保护
OCSET电流源
软启动电流
过电压跳闸( VSEN / VREF )
电源良好
阈值上限( VSEN / VREF )
阈值下限( VSEN / VREF )
PGOOD电压低
V
PGOOD
I
PGOOD
= -5mA
--
--
--
108
92
0.5
--
--
--
%
%
V
I
OCSET
I
SS
V
OCSET
= 4.5V
V
SS
= 1.5V
170
--
--
200
10
115
230
--
120
A
A
%
R
UGATE
I
UGATE
= 0.3A
R
UGATE
I
UGATE
= 0.3A
I
LGATE
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
R
LGATE
I
LGATE
= 1V
--
--
--
--
8
6
500
5
--
--
--
--
mA
--
65
--
dB
V
REF
0.785
0.800
0.815
V
V
OSC
170
--
200
1.9
230
--
千赫
V
V
EN
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
--
--
0.2
9.5
7.5
--
--
--
2.2
V
V
V
I
CC
UGATE开放
--
3
--
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
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RT9226B
典型应用电路
12V
R1
10
初步
11
C1
BOOT
1F 14
VCC
OCSET
5
EN
低关断
UGATE
3
SS
C3
12 PGNDL相
0.1F
6 GND
LGATE
7 PGNDH
FB
8 PGOOD
VSEN
RT9226B
D1
15V
电源良好
R5
10K 1%
C2
1000pF
2
10
9
13
4
1
R3
R4
910 1% 510 1%
Q2
R2
2.4k
Q1
C6
1F
L1
+
-
C4
1000F×2
L2
7H
+ C5
-
1000F×6
1H
V
IN
5V
D2
1N5817
V
OUT
1.25V/10A
C4 , C5 :每一个1000μF 6.3WV DC ,三洋MV- GX或同等学历。
L1 :核心:微金属T50-52 ;缠绕: 5圈18 AWG 。
L2 :核心:微金属T60-52 ;绕: 14圈17 AWG 。
Q1 , Q2 : PHB83N03LT , PHB95N03LT
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