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RT9169/H
100mA时4μA静态电流CMOS LDO稳压器
μ
概述
该RT9169 / H系列
是100毫安超低静态
当前的CMOS低压差（ LDO）稳压器设计
电池供电的设备。的输出电压范围
从1.2V至5V ，每步0.1V 。
其他功能还包括4μA超低静态，低
压差电压，输出精度高，限流
保护，高纹波抑制比。
特点
μ
超低静态电流： 4μA
低压差： 450mV在100mA
宽工作电压范围： 2V到6V
限流保护
仅1μF输出电容稳定所需
μ
高电源抑制比
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
订购信息
RT9169/H
-
套餐类型
ZL ： TO- 92 （ L型）
ZT ： TO- 92 （ T型）
X： SOT- 89
V ： SOT- 23-3
VL ： SOT - 23-3 （ L型）
B： SOT - 23-5
应用
电池供电设备
掌上电脑，笔记本电脑
手持式仪表
PCMCIA卡
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
VIN
3
1
VOUT
2
GND
1
GND
VIN
3
2
VOUT
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
输出电压
12 : 1.2V
13 : 1.3V
:
49 : 4.9V
50 : 5.0V
芯片使能高（ SOT- 23-5只）
芯片使能低
注意：
1. RT9169H封装类型在仅SOT- 23-5 。
2.立锜无铅和绿色的产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
GND
1
SOT-23-3
SOT-23-3
（ L型）
VIN
1
2
3
5
VOUT
2
3
GND
EN / EN
输入电压Vout的
（ TAB ）
4
NC
SOT-89
3
2
1
SOT-23-5
VOUT
GND
VIN
标识信息
用于标记信息，请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区，否则访问我们的网站查看详细。
3
2
1
TO-92 （ L型）
GND
VIN
VOUT
TO-92 （ T型）
DS9169 / H- 2007年3月12日
www.richtek.com
1
RT9169/H
典型应用电路
RT9169
V
IN
C
IN
1uF
VIN
VOUT
GND
V
OUT
+
+
C
OUT
1uF
V
IN
C
IN
1uF
VIN
EN / EN
VOUT
RT9169/H
GND
V
OUT
RT9169
RT9169H
芯片使能芯片使能
+
+
C
OUT
1uF
功能块图
VIN
功能引脚说明
引脚名称
VIN
引脚功能
电源输入
输出电压
地
芯片使能控制输入
+
-
EN / EN
当前
极限
VOUT
VOUT
GND
EN / EN
绝对最大额定值
（注1 ）
输入电压------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 7V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
SOT- 23-3 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.4W
SOT- 23-5 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.4W
SOT- 89 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.571W
TO-92 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 0.625W
结温------------------------------------------------ ------------------------------------------------- 150 ℃，
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ---------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
65°C
至150℃
封装热阻（注4 ）
SOT-23-3,
θ
JA
----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 250 ° C / W
SOT-23-5,
θ
JA
----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 250 ° C / W
SOT-89,
θ
JA
------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 175 ° C / W
TO-92,
θ
JA
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 160 ° C / W
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ---------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 200V
推荐工作条件
（注3）
结温范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40°C
至125℃
环境温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40°C
至85℃
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2
DS9169 / H- 2007年3月12日
RT9169/H
电气特性
(V
IN
= 5.5V ，C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 1μF ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
输入电压范围
输出电压精度
最大输出电流
电流限制
GND引脚电流
符号
V
IN
ΔV
OUT
I
最大
I
LIM
I
G
I
L
= 1毫安
V
IN
= V
OUT
+ 0.6V, V
IN
≥
3.6V
I
L
= 100毫安
空载
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 1mA时， V
IN
≥
3.6V
输入输出电压差
V
降
I
OUT
= 50mA时V
IN
≥
3.6V
I
OUT
= 100mA时V
IN
≥
3.6V
线路调整
负载调整率
输出噪声
纹波抑制
待机
当前
EN / EN
RT9169 / H （ SOT - 23-5 ）
逻辑高
V
IL
V
IH
ΔV
LINE
V
IN
= (V
OUT
+ 0.3V ）至6V ，
V
IN
≥
3.6V ，我
OUT
= 1毫安
--
--
--
-0.2
--
--
--
--
0.6
--
125
测试条件
民
2
-2
100
150
--
典型值
--
--
--
250
4
4
4
200
450
--
0.01
250
30
0.1
--
--
--
最大
6
+2
--
--
7
10
10
300
600
+0.2
0.04
--
--
1
--
2
--
°C
%/V
％ / mA的
μV
dB
μA
V
mV
单位
V
%
mA
mA
μA
μA
ΔV
负载
I
糊涂人
= 0mA至百毫安
e
NO
PSRR
BW = 100Hz至50KHz的
C
OUT
= 10μF
F = 1kHz时，C
OUT
= 1μF
EN = V
IN
或者EN = 0
阈值逻辑低
热关断保护
注： 1 。
列入上述"Absolute最大Ratings"强调可能会造成永久性损坏设备。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范强烈推荐。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25℃上的一个低的有效热导率测试板
JEDEC 51-3的热测量标准。
应用信息
一个1μF （或更大）电容建议V之间
OUT
和GND稳定。该部分有可能发生振荡，而不
电容。任何类型的电容器都可以使用，但不低于操作时铝电解质
–25°C.
电容
可以无限制地增加。
1μF电容（或更大）应置于V之间
IN
到GND 。
DS9169 / H- 2007年3月12日
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3
RT9169/H
典型工作特性
温度稳定性
3.7
Quiescient电流与温度的关系
5
V
OUT
=
静态电流（
μ
A)
V
OUT
=
输出电压（V）
3.3
4
2.9
3
2.5
2
2.1
1
V
IN
= 5V
1.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
-30
0
30
60
90
120
温度
(°C)
温度
(°C)
输入输出电压差（V
IN
-V
OUT
)
0.8
短路电流
500
短路电流（毫安）
0.7
125°C
漏失电压（ V）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
400
25°C
300
25°C
125°C
200
100
V
OUT
= 3.3V
0
0
20
40
60
80
100
0
0
1
2
3
4
5
I
负载
（MA ）
输入/输出差分（V ）
PSRR
0
-10
PSRR
0
-10
50mA
-20
PSRR （分贝）
PSRR （分贝）
10mA
-20
50mA
10mA
-30
-40
-50
-60
-70
-30
-40
-50
-60
-70
V
IN
= 5V, V
OUT
=
C
IN
= 1uF的，T
A
= 125°C
C
OUT
= 1uF的电解
电容
10
100
1k
10k
100k
1M
V
IN
= 5V, V
OUT
=
C
IN
= 1uF的，T
A
= 125°C
C
OUT
= 1uF的电解
电容
10
100
1k
10k
100k
1M
频率（Hz）
频率（Hz）
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4
DS9169 / H- 2007年3月12日
RT9169/H
线路瞬态响应
输出电压
偏差（毫伏）
200
100
0
V
OUT
= 1.8V
I
OUT
= 50毫安
T
A
= 25°C
C
OUT
= 1uF的电解
线路瞬态响应
输出电压
偏差（毫伏）
200
V
OUT
= 3.3V
100 I
OUT
= 50毫安
0
T
A
= 25°C
C
OUT
= 1uF的电解
300
输入电压
偏差（V）的
输入电压
偏差（V）的
≈
6
5
4
3
≈
≈
6
5
4
3
≈
时间（毫秒/ DIV ）
时间（毫秒/ DIV ）
负载瞬态响应
输出电压
偏差（毫伏）
输出电压
偏差（毫伏）
V
IN
= 5V
V
OUT
= 1.8V
20
T
A
= 25°C
0
20
C
IN
= 1uF的陶瓷
C
OUT
= 1uF的陶瓷
负载瞬态响应
V
IN
= 5V
50 V
OUT
= 1.8V
T
A
= 25°C
0
50
C
IN
= 1uF的陶瓷
C
OUT
= 1uF的陶瓷
≈
100
50
1
50
≈
200
100
10
100
负载
电流（mA ）
负载
电流（mA ）
时间（ 500US / DIV）
时间（ 500US / DIV）
100
负载瞬态响应
输出电压
偏差（毫伏）
C
IN
= 1uF的陶瓷
C
OUT
= 1uF的陶瓷
100
负载瞬态响应
C
IN
= 1uF的陶瓷
C
OUT
= 1uF的陶瓷
输出电压
偏差（毫伏）
V
IN
= 5V
50 V
OUT
= 3.3V
T
A
= 25°C
0
50
V
IN
= 5V
50 V
OUT
= 3.3V
T
A
= 25°C
0
50
≈
100
50
1
50
≈
200
100
10
100
≈
负载
电流（mA ）
时间（ 500US / DIV）
负载
电流（mA ）
时间（ 500US / DIV）
DS9169 / H- 2007年3月12日
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