RT8207

完整的DDRII / DDRIII内存电源控制器

概述

该RT8207为双方提供一个完整的电源

DDRII / DDRIII内存系统。它集成了一个

用3A汇/源同步PWM降压控制器

跟踪线性调节器和一个缓冲的低噪声参考。

PWM控制器提供高效率，优

的瞬态响应，并且需要高的直流输出精度

对于降压高电池电压转换成低

电压芯片组，内存供应笔记本电脑。

恒定导通时间PWM控制架构可轻松应对宽

输入/输出电压比，并能提供100ns的

“即时接通”

负载瞬态响应，同时保持

相对恒定的开关频率。

的RT8207实现高效率在降低成本

通过消除电流检测电阻的发现

传统的电流模式PWM 。效率进一步

由它带动非常大的同步能力增强

整流的MOSFET。降压转换允许此设备

直接下台高压电池最高

尽可能高的效率。

在3A汇/源LDO保持了快速瞬态响应

唯一需要的陶瓷输出电容20μF 。在

此外， LDO的电源输入可用内外兼修

显著降低的总功率损耗。该RT8207

支持所有的睡眠状态的控制将VTT在

高-Z在S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF

（软关机）在S4 / S5 。

该RT8207拥有所有的保护功能，包括

热关断，并提供了WQFN - 24L 4x4的

封装。

特点

PWM控制器

由低端电阻可编程电流限制

R

DS （ ON）

SENSE

在100ns的快速负载阶跃响应

1% V

OUT

精度在线路和负载

固定1.8V （ DDRII ） ， 1.5V （ DDRIII ）或可调

0.75V至3.3V的输出范围

电池输入电压范围为2.5V至26V

电阻可编程频率

过/欠压保护

4步电流限制在软启动

驱动大的同步整流器FET

电源就绪指示

3A LDO （ VTT ） ，缓冲基准（ VTTREF ）

有能力吸收和源出高达3A

LDO的输入可用于优化功率损耗

只需要20μF陶瓷输出电容器

μ

缓冲的低噪声10毫安VTTREF输出

准确性

±

为20mV的两个VTTREF和VTT

支持高阻抗的S3和软关断S4 / S5

符合RoHS和无卤素

应用

DDRII / DDRIII内存电源

笔记本电脑

SSTL18 ， SSTL15和HSTL总线终端

销刀豆网络gurations

（ TOP VIEW ）

VTT

VLDOIN

BOOT

UGATE

相

LGATE

24 23 22 21 20 19

订购信息

RT8207

套餐类型

QW ： WQFN - 24L的4×4 （宽型）

铅电镀系统

G：绿色（无卤素和无铅）

VTTGND

VTTSNS

GND

模式

VTTREF

DEM

1

2

3

4

5

6

18

17

16

15

25

7

8

9 10 11 12

14

13

GND

保护地

NC

CS

VDDP

VDD

PGOOD

立锜产品有：

符合RoHS标准，电流要求兼容

IPC / JEDEC J- STD- 020的求。

适用于锡铅或无铅焊接工艺。

DS8207-07 2011年3月

NC

VDDQ

FB

S3

S5

吨

注意：

WQFN - 24L 4x4的

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1

RT8207

标识信息

用于标记信息，请联系我们的销售代表

直接地或通过一个锜分配器位于你

区。

典型应用电路

R4

620k

RT8207

12

BOOT 22

吨

15

VDDP

21 UGATE

14 VDD

R3

5.6k

16

CS

13 PGOOD

相

20

LGATE 19

R5

0

R6 0

V

IN

2.5V至26V

VDDP

5V

C4

0.1F

C9

10μF X 3

Q1

BSC09

4N035

V

VDDQ

1.2V

L1

1H

R7

C5

R8

6k

R9

10k

C6

C9

0.1F

C7

220F

C1

1F

R2

100k

R1

5.1

C2

1F

Q2

BSC032N035

PGOOD

VTT / VTTREF控制

FB 9

10 S3

11

VLDOIN 23

S5

VDDQ控制

4

8 VDDQ

放电模式

模式

6

DEM

CCM / DEM

24

VTT

3 ，裸露焊盘（ 25 ）

2

GND

VTTSNS

18

保护地

1

VTTGND

VTTREF 5

C8

10μF ×2

C3

33nF

图A.可调稳压器

V

IN

2.5V至26V

R4

620k

RT8207

12

BOOT 22

吨

15

VDDP

21 UGATE

14 VDD

R3

5.6k

16 CS

13 PGOOD

10 S3

11

S5

4

模式

6

DEM

GND

18

保护地

1

VTTGND

相

20

Q2

BSC032N035

LGATE 19

R5

0

R6 0

C8

10μF ×2

Q1

BSC09

4N035

R7

C5

V

VDDQ

1.8V/1.5V

L1

1H

C6

220F

VDDP

5V

C4

0.1F

C1

1F

R2

100k

R1

5.1

C2

1F

PGOOD

VTT / VTTREF控制

VDDQ控制

放电模式

8 VDDQ

VLDOIN 23

VTT 24

VTTSNS 2

VTTREF 5

FB 9

C7

10μF ×2

C3

33nF

VDDP为DDRII

GND为DDRIII

CCM / DEM

3 ，裸露焊盘（ 25 ）

图B.固定电压稳压器

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2

DS8207-07 2011年3月

RT8207

功能块图

VDDQ

吨

TRIG

ON- TIME

计算

1-SHOT

- +

GM

+

-

-

+

COMP

R

BOOT

PWM

S

Q

DRV

UGATE

相

VDDP

V

REF

0.75V

+

-

-

70% V

REF

+

OV

LATCH

S1

Q

LATCH

S1

Q

-

90% V

REF

VDD

S5

PWM

SS定时器

+

分钟。牛逼

关闭

Q

TRIG

1-SHOT

DRV

二极管

仿真

115% V

REF

FB

LGATE

保护地

UV

热

关闭

+

-

-

GM

+

VDD

10A

CS

DEM

PGOOD

S3

模式

放电

模式

SELECT

+

-

+

-

+

-

VTTREF

VLDOIN

VTT

+

-

VTTSNS

110% V

VTTREF

GND

90% V

VTTREF

-

+

-

+

VTTGND

DS8207-07 2011年3月

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3

RT8207

功能引脚说明

PIN号

1

2

3,

25 （裸露焊盘）

4

5

6

7, 17

8

引脚名称

VTTGND

VTTSNS

GND

模式

VTTREF

DEM

NC

VDDQ

电源接地的VTT_LDO 。

电压检测输入的VTT_LDO 。连接到VTT_LDO的终端

输出电容

模拟地。裸露焊盘必须焊接到PCB大和

连接到GND最大功率耗散。

输出放电模式设定引脚。连接到VDDQ的跟踪放电。

连接至GND ，非跟踪放电。连接到VDD为无分泌物。

VTTREF缓冲基准输出。

二极管仿真模式使能引脚。连接到VDD将使二极管仿真

模式。连接到GND将始终强制CCM模式下工作。

无内部连接。

VDDQ参考输入为VTT和VTTREF 。放电电流下沉终端

为VDDQ非跟踪放电。为VDDQ输出电压反馈输入

如果输出FB引脚连接到VDD或GND

VDDQ输出设置引脚。连接至GND DDRIII （V

DDQ

= 1.5V ）电源

供应量。该引脚应连接到VDD为DDRII （V

DDQ

= 1.8V ）供电

或连接到从VDDQ一个电阻分压器到GND来调整

PWM输出在0.75V至3.3V 。

S3信号输入。

S5信号输入

该引脚用于通过一个上拉电阻器连接到设置在时间UGATE

V

IN

.

电源就绪漏极开路输出。该引脚将在VDDQ时HIGH状态

输出电压是在目标范围内。

电源输入，模拟电源。

电源输入，低栅极驱动器。

电流限制阈值设置输入。通过此引脚连接到VDD

电压设定电阻。

电源接地的低边MOSFET 。

低侧栅极驱动器输出为VDDQ 。

外部电感连接VDDQ和它表现为电流检测

比较器的输入为低侧MOSFET

DS （ ON）

感应。

高边栅极驱动器输出为VDDQ 。

提高飞电容连接VDDQ 。

电源为VTT_LDO 。

输出功率为VTT_LDO

引脚功能

9

FB

10

11

12

13

14

15

16

18

19

20

21

22

23

24

S3

S5

吨

PGOOD

VDD

VDDP

CS

保护地

LGATE

相

UGATE

BOOT

VLDOIN

VTT

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4

DS8207-07 2011年3月

RT8207

绝对最大额定值

（注1 ）

输入电压， TON到GND -------------------------------------------- --------------------------------------------------

–0.3V

至32V

引导至GND --------------------------------------------------------------------------------------------------------------

–0.3V

至38V

相对于GND

DC -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

0.3V

至32V

<20ns ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

8V

至38V

相BOOT ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

–6V

到0.3V

VDD ， VDDP ， CS ， MODE ， S3 ， S5 ， VTTSNS ， VDDQ ， DEM至GND ------------------------------- -------------

–0.3V

至6V

VTTREF ， VTT ， VLDOIN ， FB ， PGOOD到GND --------------------------------------- -------------------------------

–0.3V

至6V

UGATE以相

DC -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

0.3V

至6V

<20ns ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

5V

到7.5V

LGATE到GND

DC -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

0.3V

至6V

<20ns ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2.5V

到7.5V

保护地， VTTGND到GND --------------------------------------------- -------------------------------------------------- -

–0.3V

到0.3V

功耗，P

D

@ T

A

= 25°C

WQFN - 24L 4x4的-----------------------------------------------------------------------------------------------------------

封装热阻（注2 ）

WQFN - 24L 4x4的，

θ

JA

-------------------------------------------------------------------------------------------------------

WQFN - 24L 4x4的，

θ

JC

------------------------------------------------------------------------------------------------------

结温-----------------------------------------------------------------------------------------------------

引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- --------------------------------------

存储温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------

ESD易感性（注3 ）

HBM （人体模式） -------------------------------------------- --------------------------------------------------

MM （机器模式） ------------------------------------------------------------------------------------------------------

1.923W

52°C/W

7°C/W

150°C

260°C

–65°C

至150℃

2kV

200V

推荐工作条件

（注4 ）

输入电压V

IN

---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2.5V至26V

控制电压，V

DDP

, V

DD

-------------------------------------------------- -------------------------------------------- 4.5V至5.5V

结温范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------

40 ° C至125°C

环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------

40 ° C至85°C

电气特性

(V

DDP

= V

DD

= 5V, V

IN

= 15V ， DEM = V

DD

, R

吨

= 1MΩ ，T

A

= 25 ° C，除非另有规定编）

参数

PWM控制器

静态电源电流

（VDD + VDDP ）

TON工作电流

I

VLDOIN

偏置电流

I

VLDOIN

待机电流

符号

测试条件

FB被迫上述规定来看，

V

S5

= 5V, V

S3

= 0V

R

吨

= 1MΩ

V

S5

= V

S3

= 5V, V

TT

=空载

V

S5

= 5V, V

S3

= 0, V

TT

=空载

民

典型值

最大

单位

--

--

--

--

470

15

1

0.1

1000

--

--

10

μA

μA

μA

μA

待续

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