初步
RT8058
为1MHz ，2A ，高效率PWM降压型DC / DC转换器
概述
该RT8058是一个电流模式PWM降压转换器。
该芯片是理想的固定频率和低纹波
应用在全系列的负载条件。它的输入
电压范围是从2.6V到5.5V的恒定1MHz的
开关频率，允许它通过微小的，低成本
电容器和电感器为2mm或更小的高度使
非常适用于单节锂LON /聚合物电池应用。
导通电阻内部MOSFET的低可实现高
在不采用外部肖特基二极管的需要效率
宽的工作范围和输出电压是可调节的
从0.6V至5V ，可提供高达2A的负载电流。
的RT8058工作在100％占空比的低压降
的操作，延长了电池寿命的便携式设备。
该RT8058可在WQFN - 16L的3x3封装。
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
0.6V基准允许低输出电压
低压差操作： 100 ％占空比
2A负载电流
<为2uA关断电流
高达95％的英法fi效率
无需肖特基二极管
1MHz的恒定开关频率
低R
DS （ ON）
内部开关
内部补偿
内部软启动
过温保护
短路保护
小型16引脚WQFN封装
符合RoHS标准， 100 ％无铅（Pb ） - 免费
订购信息
RT8058
套餐类型
QW ： WQFN - 16L的3×3 （W型）
工作温度范围
P：无铅与商业标准
G：绿色（无卤素与商业用
CIAL标准）
注意：
立锜无铅和绿色的产品有：
应用
l
l
l
l
l
l
便携式仪器
微处理器和DSP内核供应
移动电话
无线和DSL调制解调器
数码相机
PC卡
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
NC
LX
LX
LX
16 15 14 13
}
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
}
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
}
100 ％雾锡（ Sn）镀层。
保护地
保护地
保护地
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
12
保护地
17
11
10
9
PVDD
PVDD
PVDD
VDD
GND
NC
WQFN - 16L 3x3的
2007年DS8058-02八月
EN
NC
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1
RT8058
典型应用电路
10,11,12
7
9
C
IN
10uF
初步
RT8058
V
IN
2.6V至5.5V
PVDD
EN
VDD
GND
5
FB
4
LX
13,14,15
L1
3.3uH
R1
100k
C
OUT1
22uF
R2
100k
V
OUT
1.2V/2A
C
OUT2
22uF
保护地
1, 2, 3,
裸露焊盘（ 17 ）
功能引脚说明
PIN号
引脚名称
1, 2, 3
保护地
裸露焊盘（ 17 ）
4
5
6, 8, 16
7
9
10, 11, 12
13, 14, 15
FB
GND
NC
EN
VDD
PVDD
LX
引脚功能
电源地。连接该引脚附近（ - ）C端
IN
和C
OUT
。该
裸露焊盘必须焊接到大PCB和连接到地线的
最大功率耗散。
反馈输入引脚。接收来自一个电阻分压器，反馈电压
在输出连接。
信号地。返回的反馈电阻分压器到接地，而这又
连接到PGND在一个点上。
无内部连接。
使能引脚。逻辑高电平，在此针使转换器，而逻辑低
电平使变换器关闭。
信号输入电源。脱钩此引脚至GND电容。通常是VDD
等于PVDD 。保持VDD和PVDD之间的电压差小于
0.5V.
电源的输入电源转换器的功率级。去耦这个引脚PGND用
电容。
内部功率MOSFET开关转换器的输出。该引脚连接到
电感器。
功能块图
艾辛河
OSC
坡
COM
PVDD
0.6V
FB
EA
产量
钳
OC
极限
INT -SS
0.3V
控制
逻辑
OT
司机
LX
保护地
VREF
POR
温森
GND
VDD
EN
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初步
绝对最大额定值
l
l
l
l
RT8058
（注1 ）
l
l
l
l
l
电源输入电压VDD ， PVDD -------------------------------------------- ----------------------------------------
0.3V
至6V
LX开关引脚电压---------------------------------------------- -------------------------------------------------- -
0.3V
至6V
其他I / O引脚电压-------------------------------------------- -------------------------------------------------- -----
0.3V
至6V
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
WQFN -6L的3x3 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 1.471W
封装热阻（注4 ）
WQFN - 16L 3x3的，
θ
JA
----------------------------------------------------------------------------------------------------- 68 ° C / W
WQFN - 16L 3x3的，
θ
JC
----------------------------------------------------------------------------------------------------- 7 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- ------------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- --------------------------------------------
65 ℃150 ℃的
结温------------------------------------------------ -------------------------------------------------- - 150℃
ESD易感性（注2 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- ------------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） --------------------------------------------- -------------------------------------------------- ----- 200V
（注3）
推荐工作条件
l
l
l
电源输入电压----------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 2.6V至5.5V
结温范围----------------------------------------------- -------------------------------------------
40°C
至125℃
环境温度范围----------------------------------------------- -------------------------------------------
40°C
至85℃
电气特性
(V
DD
= V
PVDD
= 3.6V ，T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入电压范围
反馈电压
直流偏置电流
（ PVDD ， VDD总）
欠压锁定
门槛
振荡器频率
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
开关导通电阻，高
开关导通电阻，低
峰值电流限制
输出电压线路调整
输出电压负载调整
符号
V
IN
V
FB
试验C onditions
民
2.6
0.582
典型值
--
0.6
3.4
340
--
2.43
150
1.0
--
--
142
96
3
0.05
0.15
最大
5.5
0.618
--
--
2
2.55
--
1.25
--
0.4
210
160
--
--
--
单位
V
V
mA
A
A
V
mV
兆赫
V
V
m
m
A
%/V
%/A
主动，空载
主动，不交换，V
FB
= 0.5V
关机， EN = 0
UVLO
f
OSC
V
EN_H
V
EN_L
R
DS （ ON） _P
I
OUT
= 200毫安
R
DS （ ON） _N
I
OUT
= 200毫安
I
LIM
V
IN
= 2.6V至5.5V
I
负载
= 0Aà2A
V
DD
伊辛
V
DD
ysteresis
开关频率
--
--
--
2.3
--
0.75
1.4
--
--
--
2.2
--
--
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RT8058
初步
注： 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25 ℃，在高效四个层的热导率测试的板
JEDEC 51-7的热测量标准。的情况下点
θ
JC
是的WQFN封装的暴露垫。
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