RT8026
为1.5MHz ， 1A ，高效率PWM降压型DC / DC
变流器
概述
该RT8026是一个高效率的脉宽调制
（PWM）的降压型DC / DC转换器。能够提供的
1A的输出电流在较宽的输入电压范围
2.7V至5.5V时， RT8026是非常适合于便携式
这是从单节锂离子电池供电的电子设备
电池或其他电源，例如蜂窝
电话，PDA和手持设备。
两种操作模式可供选择，包括： PWM /低 -
辍学自动切换和关闭模式。内部
同步整流与低R
DS （ ON）
显着降低
导通损耗的PWM模式。无需外部肖特基
二极管，需要在实际的应用。
该RT8026进入低压差模式时，正常的PWM
不能持续提供稳定的输出电压
打开上部的P- MOSFET。该RT8026进入关断模式
省电模式，功耗小于0.1μA当EN
引脚被拉低。
开关纹波很容易平滑出小
由于固定的操作包过滤元件
频率为1.5MHz 。这与采用小型MSOP - 10
包提供了小PCB面积的应用。其他
特点包括软启动，更低的内部参考电压
用2％的精确度，过温保护，过
电流保护。
特点
输入电压范围： 2.7V至5.5V
可调输出电压： 1V至V
IN
输出电流： 1A
高效率：高达95％
无需肖特基二极管
1.5MHz的固定频率PWM工作模式
限流保护
热关断保护
小型MSOP -10封装
符合RoHS和无卤素
应用
手机
个人信息设备
无线和DSL调制解调器
MP3播放器
便携式仪器
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
VIN
NC
GND
NC
FB
10
2
3
4
5
9
8
7
6
保护地
LX
EN
NC
NC
MSOP-10
订购信息
RT8026
套餐类型
F： MSOP - 10
铅电镀系统
G：绿色（无卤素和无铅）
注意：
立锜产品有：
符合RoHS标准，电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
标识信息
用于标记信息，请联系我们的销售代表
直接地或通过一个锜分配器位于你
区。
DS8026-02 2011年3月
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1
RT8026
典型应用电路
V
IN
2.7V至5.5V
1
C
IN
4.7F
8
VIN
LX
9
L
2.2H
C1
R1
5
I
R2
R2
C
OUT
10F
V
OUT
RT8026
EN
保护地
10
FB
GND
3
V
OUT
=
V
REF
x
1
+
R1
R2
与R2 = 300kΩ精为60KΩ所以我
R2
= 2μA到10μA ，
和（ R 1 X的C1 ）应在3×10之间的范围
-6
和6×10
-6
对于组件的选择。
图1.典型应用电路RT8026
功能引脚说明
PIN号
1
2, 4, 6, 7
3
5
引脚名称
VIN
NC
GND
FB
电源输入。
无内部连接。
接地引脚。
反馈输入引脚。接收来自一个电阻分压器，反馈电压
在输出连接。
8
9
10
EN
LX
保护地
芯片使能（高电平有效）。建议增加EN之间的100kΩ的电阻
和GND引脚。
端子的切换。该引脚连接到电感。
电源接地引脚。
引脚功能
功能块图
EN
VIN
OSC &
关闭
控制
坡
赔偿金
当前
SENSE
RS1
当前
极限
探测器
FB
错误
扩音器
RC
COMP
PWM
比较
控制
逻辑
司机
LX
当前
探测器
UVLO &
电源良好
探测器
RS2
V
REF
保护地
GND
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RT8026
绝对最大额定值
（注1 ）
电源输入电压------------------------------------------------------------------------------------------------------ 6.5V
EN ， FB引脚电压-------------------------------------------------------------------------------------------------------
0.3V
到V
IN
功耗，P
D
@ T
A
= 25°C
MSOP - 10 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 833mW
封装热阻（注2 ）
MSOP-10,
θ
JA
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 120 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） ----------------------------------------- -------------------------------------- 260℃
存储温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------
65°C
至150℃
结温----------------------------------------------------------------------------------------------------- 150℃
ESD易感性（注3 ）
HBM （人体模式） -------------------------------------------- -------------------------------------------------- 2kV的
MM （机器模式） ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 200V
推荐工作条件
（注4 ）
电源输入电压，V
IN
-------------------------------------------------- ---------------------------------------------- 2.7V至5.5 V
结温范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------
40°C
至125℃
环境温度范围----------------------------------------------- ---------------------------------------------
40°C
至85℃
电气特性
(V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 2.5V, V
REF
= 0.6V ， L = 2.2μH ，C
IN
= 4.7μF ，C
OUT
= 10μF ，T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
静态电流
关断电流
参考电压
可调输出范围
输出电压精度
FB输入电流
PMOSFET
ON
NMOSFET
ON
P沟道限流
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
UVLO迟滞
振荡器频率
热关断温度
马克斯。占空比
符号
I
Q
I
SHDN
V
REF
V
OUT
ΔV
OUT
I
FB
测试条件
I
OUT
= 0毫安，V
FB
= V
REF
+ 5%
EN = GND
对于可调输出电压
（注6 ）
V
IN
= V
OUT
+
ΔV
至5.5V
0A <我
OUT
< 1A （注5 ）
V
FB
= V
IN
民
--
--
0.588
1
典型值
50
0.1
0.6
--
--
--
0.28
0.25
1.5
--
--
1.8
0.1
1.5
160
--
最大
70
1
0.612
V
IN
0.2V
+3
50
--
--
--
--
0.4
--
--
1.8
--
--
单位
μA
μA
V
V
%
nA
Ω
Ω
A
V
V
V
V
兆赫
°C
%
3
50
--
--
1.2
1.5
--
--
--
R
DS （ ON） _P
I
OUT
=的200mA， V
IN
= 3.6V
R
DS （ ON） _N
I
OUT
=的200mA， V
IN
= 3.6V
I
LIM_P
V
EN_H
V
EN_L
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V
欠压锁定UVLO门限
f
OSC
TSD
V
IN
= 3.6V ，我
OUT
= 100毫安
1.2
--
100
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RT8026
注： 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25 ℃，在高效四个层的热导率测试的板
JEDEC 51-7的热测量标准。
注3 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注4 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注5 。
ΔV
= I
OUT
X P
RDS （ ON）
注6 。
保证设计。
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