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初步

RT3J22M

复合晶体管

对于高速开关

硅

P沟道

MOSFET

描述

RT3J22M是内置有两个复合晶体管

INJ0002AX

芯片SC- 88封装。

外形绘图

2.1

1.25

①

0.65

②

③

⑥

⑤

④

0.2

单位：mm

特征

·输入阻抗高，而不必考虑驱动

电流。

Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth=0.6½1.2V

·低导通电阻。罗恩= 3Ω （ TYP ）

·高速开关。

·小包装，便于安装。

2.0

应用

高速开关，模拟开关

0.65

0.13

0½0.1

⑤

Tr.1

0.9

0.65

⑥

④

Tr.2

终奌站

连接器

①：SOURCE1

②：GATE1

③：DRAIN2

④：SOURCE2

⑤：GATE2

⑥ ： DRAIN1

JEITA：SC-88

①

②

③

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

DSS

GSS

英镑

参数

等级

单位

℃

记号

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功耗（ TA = 25 ℃ ）

通道温度

储存温度范围

-30

±8

-200

150

＋125

-55½＋125

Ｊ２２

１

谏早电子股份有限公司

初步

RT3J22M

复合晶体管

对于高速开关

硅

P沟道

MOSFET

电气特性（Ta = 25℃）

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

参数

测试条件

范围

民

典型值

最大

单位

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

静态漏源导通电阻

输入电容

输出电容

开关时间

= -100μA ，V

=0V

-30

220

7.3

100

±0.5

-50

-1.2

μA

=±5V, V

=0V

=-30V ,V

=0V

= -250μA ，V

-0.6

DS （ ON）

国际空间站

OSS

关闭

= -10V ，我

=-0.1A

= -100mA ，V

=-4.0V

=-10V, V

=0V,f=1MHz

=-10V, V

=0V,f=1MHz

= -5V ，我

=-10mA

=0½-5V

开关时间测试条件

测试电路

OUT

-5V

10μs

=-5V

D.U.≦1%

常见的来源

Ta=25℃

50Ω

输入

波形

-5V

DS （ ON）

10%

90%

产量

波形

吨

90%

10%

花花公子

谏早电子股份有限公司

典型特征

Ta=25℃

-100

-1.9V

漏极电流ID （MA ）

-80

-1.8V

漏极电流ID （MA ）

-1.7V

-1.6V

-1.5V

-1.4V

-20

VGS=-1.3V

-0.8

ID -VDS

-1

-1.0V

-0.95V

-0.9V

-0.85V

Ta=25℃

ID -VDS （低压区）

-60

-40

-0.6

VGS=-0.8V

-0.4

-0.2

-0

-2

-4

-6

-8

-10

漏源电压VDS （ V）

-0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

漏源电压VDS （ V）

IDR -VDS

-100

反向漏电流IDR （毫安）

Ta=25℃

VGS=0V

ID -VGS

-1000

Ta=25℃

VDS=-10V

漏极电流ID （MA ）

0.5

1.5

-100

-10

-1

漏源电压VDS （ V）

-1

-0

-1

-2

-3

-4

栅极 - 源极电压VGS （V）的

-5

| YFS | - ID

1000

Ta=25℃

VDS=-10V

正向转移导纳

| YFS | （MS ）

漏源电压

VDS（ON）（毫伏）

-1000

Ta=25℃

VGS=-4V

VDS（ON） -ID

100

-100

-10

-1

-10

-100

-1000

漏极电流ID （MA ）

-1

-10

漏极电流ID （MA ）

- VDS

100

西塞

-100

吨 - ID

10000

花花公子

1000

电容C （PF ）

Ta=25℃

开关时间t（ NS ）

100

吨

-0.1

科斯

Ta=25℃

VGS=0V

-0.1

-1

-10

-100

-1

-10

漏极电流ID （MA ）

-100

漏源电压VDS （ V）

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Apr.2007