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初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
RT3CLLM是内置有两个复合晶体管
2SC3052芯片SC- 88封装。
外形绘图
2.1
1.25
①
0.65
②
③
⑥
⑤
④
0.2
单位：mm
特征
硅NPN外延型
每个晶体管元件是独立的。
微型封装，易于安装
2.0
应用
低频AMPLIFY应用
0.65
0.65
0½0.1
Tr1
Tr2
终奌站
连接器
①：EMITTER1
②：BASE1
③：COLLECTOR2
④：EMITTER2
⑤：BASE2
⑥ ： COLLECTOR1
JEITA：SC-88
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
P
C
（总）
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
等级
50
6
50
200
150
＋125
-55½＋125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
6
5
4
记号
.
１
C11与
2
3
谏早电子股份有限公司
0.13
0.9
初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
电气特性（Ta = 25℃）
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
EB
=6V,I
C
=0
V
CE
=6V,I
C
=1mA
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA
I
C
=100mA,I
B
=10mA
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
V
CB
=6V,I
E
=0,f=1MH
Z
V
CE
=6V,I
E
=-0.1mA,f=1kH
Z
,R
G
=2kΩ
项
的hFE
E
150½300
范围
民
50
-
-
150
90
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
2.5
-
最大
-
0.1
0.1
800
-
0.3
-
-
15
单位
V
μA
μA
-
-
V
MH
Z
pF
dB
* ：显示
FE
分类右表。
F
250½500
G
400½800
谏早电子股份有限公司
初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
典型特征
共发射极输出
50
0.16mA
50
0.14mA
0.12mA
0.10mA
30
0.08mA
0.06mA
0.04mA
10
0.02mA
IB=0
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE （ V）
Ta=25℃
集电极电流IC （MA ）
40
Ta=25℃
VCE=6V
共发射极转移
集电极电流IC （MA ）
40
30
20
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
基地发射极电压VBE （ V）
1
正向直流电流增益
与集电极电流
10000
DC正向相对价值
电流增益hFE
增益带宽积英尺（兆赫）
250
增益带宽积
与发射极电流
Ta=25℃
VCE=6V
200
Ta=25℃
VCE=6V
100(@IC=1mA)
1000
150
100
100
10
50
1
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC （MA ）
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
100
集电极输出电容
COB （PF ）
Ta=25℃
IE=0
f=1MHz
10
0
-0.1
-1
-10
发射极电流IE （毫安）
-100
1
0.1
0.1
1
10
100
集电极基极电压VCB （ V）
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2003
初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
RT3CLLM是内置有两个复合晶体管
2SC3052芯片SC- 88封装。
外形绘图
2.1
1.25
①
0.65
②
③
⑥
⑤
④
0.2
单位：mm
特征
硅NPN外延型
每个晶体管元件是独立的。
微型封装，易于安装
2.0
应用
低频AMPLIFY应用
0.65
0.65
0½0.1
Tr1
Tr2
终奌站
连接器
①：EMITTER1
②：BASE1
③：COLLECTOR2
④：EMITTER2
⑤：BASE2
⑥ ： COLLECTOR1
JEITA：SC-88
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
P
C
（总）
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
等级
50
6
50
200
150
＋125
-55½＋125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
6
5
4
记号
.
１
C11与
2
3
谏早电子股份有限公司
0.13
0.9
初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
电气特性（Ta = 25℃）
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
EB
=6V,I
C
=0
V
CE
=6V,I
C
=1mA
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA
I
C
=100mA,I
B
=10mA
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
V
CB
=6V,I
E
=0,f=1MH
Z
V
CE
=6V,I
E
=-0.1mA,f=1kH
Z
,R
G
=2kΩ
项
的hFE
E
150½300
范围
民
50
-
-
150
90
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
2.5
-
最大
-
0.1
0.1
800
-
0.3
-
-
15
单位
V
μA
μA
-
-
V
MH
Z
pF
dB
* ：显示
FE
分类右表。
F
250½500
G
400½800
谏早电子股份有限公司
初步
RT3CLLM
复合晶体管
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
典型特征
共发射极输出
50
0.16mA
50
0.14mA
0.12mA
0.10mA
30
0.08mA
0.06mA
0.04mA
10
0.02mA
IB=0
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE （ V）
Ta=25℃
集电极电流IC （MA ）
40
Ta=25℃
VCE=6V
共发射极转移
集电极电流IC （MA ）
40
30
20
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
基地发射极电压VBE （ V）
1
正向直流电流增益
与集电极电流
10000
DC正向相对价值
电流增益hFE
增益带宽积英尺（兆赫）
250
增益带宽积
与发射极电流
Ta=25℃
VCE=6V
200
Ta=25℃
VCE=6V
100(@IC=1mA)
1000
150
100
100
10
50
1
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC （MA ）
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
100
集电极输出电容
COB （PF ）
Ta=25℃
IE=0
f=1MHz
10
0
-0.1
-1
-10
发射极电流IE （毫安）
-100
1
0.1
0.1
1
10
100
集电极基极电压VCB （ V）
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2003
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