【RT3C99M复合晶体管静音应用硅NPN外延型描述RT3C99M是内置有两个复合晶体管2SC5938】,IC型号RT3C99M,RT3C99M PDF资料,RT3C99M经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第245页 > RT3C99M

RT3C99M

复合晶体管

静音应用

硅NPN外延型

描述

RT3C99M是内置有两个复合晶体管

2SC5938A芯片SC- 88封装。

外形绘图

2.1

1.25

①

0.65

②

③

⑥

⑤

④

0.2

单位：mm

特征

硅NPN外延型

每个晶体管元件是独立的。

2.0

应用

噪声抑制电路，开关电路

0.65

微型封装，易于安装

0.65

0½0.1

Tr1

Tr2

终奌站

连接器

①：EMITTER1

②：BASE1

③：COLLECTOR2

④：EMITTER2

⑤：BASE2

⑥ ： COLLECTOR1

JEITA：SC-88

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

符号

V

CBO

V

EBO

V

首席执行官

I

C

P

C

（总）

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）

结温

储存温度

等级

50

40

20

200

150

＋125

-55½＋125

单位

V

V

V

mA

mW

℃

℃

记号

6

5

4

.

C９９

１

2

3

谏早电子股份有限公司

0.13

0.9

RT3C99M

复合晶体管

静音应用

硅NPN外延型

电气特性（Ta = 25℃）

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE *

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

罗恩

参数

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

输出导通电阻

测试条件

V

CB

=50V,I

E

=0

V

EB

=40V,I

C

=0

V

CE

=2V,I

C

=4mA

I

C

=30mA,I

B

=3mA

V

CE

=6V,I

E

=-4mA

V

CB

=10V,I

E

=0,f=1MH

Z

I

B

=5mA,

f=1MHz

项

的hFE

范围

民

-

-

200

-

-

-

-

典型值

-

-

-

30

30

5.0

0.95

A

200½700

最大

0.1

0.1

1200

-

-

-

-

B

350½1200

单位

μA

μA

-

V

MH

Z

pF

Ω

* ：显示

FE

分类右表。

典型特征（ TR1，TR2 ）

共发射极输出

60

集电极电流IC （MA ）

Ta=25℃

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

集电极到发射极电压VCE （ V）

300μA

250μA

200μA

150μA

100μA

IB=50μA

集电极电流IC （MA ）

40

50

共发射极转移

Ta=25℃

VCE=2V

30

20

10

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

基地发射极电压VBE （ V）

1

谏早电子股份有限公司

RT3C99M

复合晶体管

静音应用

硅NPN外延型

正向直流电流增益

与集电极电流

采用直流反接电流增益

与集电极电流

采用直流反接电流增益hFER

10000

Ta=25℃

VCE=-2V

1000

10000

正向直流电流增益hFE

Ta=25℃

VCE=2V

1000

100

100

10

0.1

1

10

100

集电极电流IC （MA ）

10

-0.1

-1

-10

集电极电流IC （MA ）

-100

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1000

到E饱和电压

VCE （ SAT ）（MV ）

导通电阻RON（ Ω ）

10

导通电阻与基极电流

Ta=25℃

IC/IB=10

100

Ta=25℃

10

1

1

0.1

0.1

1

10

100

集电极电流IC （MA ）

1000

0.1

0.1

1

基极电流

10

IB （毫安）

100

增益带宽积VS.

发射极电流

100

增益带宽积（兆赫）

Ta=25℃

VCE=6V

集电极输出电容

vs.Collector基极电压

100

集电极输出电容

COB （PF ）

Ta=25℃

IE=0

f=1MHz

10

10

-0.1

-1

发射极电流

-10

IE浏览器（毫安）

-100

1

0.1

1

10

VCB （ V）

100

集电极 - 基极电压

谏早电子股份有限公司

查看更多RT3C99MPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

RT3C99M

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

RT3C99M

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

查询更多RT3C99M供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！