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RT2P09M

复合晶体管，电阻

对于开关应用

PNP硅外延型

描述

RT2P09M是具有内置偏置电阻的复合晶体管

外形绘图

2.1

1.25

单位：mm

●内置偏置电阻（ R1 = 2.2千欧， R2 = 47KΩ ）

●小型封装，易于安装

2.0

0.65

①

②

0.65

③

⑤

应用

反相电路，开关电路，接口电路，驱动电路

④

0.9

0.65

⑤

RTr1

④

RTr2

00.1

①

②

③

端子连接器

①

：BASE1

②

：辐射源

（共同

）

③

：BASE2

④

：COLLECTOR2

⑤

：COLLECTOR1

JEITA：SC-88A

最大额定值

符号

CBO

EBO

首席执行官

英镑

（ TA = 25 ℃ （

）RTr1、RTr2

）

参数

评级

-50

-6

-50

-100

-200

150

＋150

-55＋150

单位

℃

记号

⑤

④

集电极 - 基极电压

发射器基极电压

集电极到发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散

（共

Ta=25℃

）

结温

储存温度

①

② ③

谏早电子股份有限公司

0.13

0.2

特征

RT2P09M

复合晶体管，电阻

对于开关应用

PNP硅外延型

电气特性

符号

（ BR ） CBO

CBO

CE （ SAT ）

我（上）

我（关闭）

参数

集电极到发射极击穿电压

收藏家切断电流

正向直流电流增益

集电极到发射极饱和电压

输入电压

输入过电压

输入电阻

电阻率

增益带宽积

=-6V，I

=10mA

（ TA = 25 ℃ （

）RTr1、RTr2

）

测试条件

=-100μA，R

=∞

=-50V，I

= -5V ， I C = -10mA

=-10mA，I

=-0.5mA

=-0.2V，I

=-5mA

=-5V，I

=-100μA

范围

民

-50

-0.5

1.5

典型值

-0.1

-0.7

-0.6

2.2

150

最大

-0.1

-0.3

-1.1

2.9

单位

μA

KΩ

兆赫

典型特征

（Tr1、Tr2

）

输入电压

vs.collector电流

正向直流电流增益

vs.collector电流

-10

正向直流电流增益※

Ｆ

Ｅ

输入ON VOLTEGE

我（上）

（）

Ｖ

1000

=-0.2V

=-5V

-1

100

-0.1

-1

-10

-100

集电极电流

Ｃ

（）

Ｉ ½Ａ

集电极电流

VS.INPUT断电压

-1

-10

-100

集电极电流

Ｃ

（）

Ｉ ½Ａ

-1000

集电极电流

Ｃ

μＡ

Ｉ（）

=-5V

-100

-10

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

输入电压OFF

ＩＯＦ）

Ｖ

（Ｆ

（）

-2

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6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本

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Jan.2003

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