DDR SDRAM的终结者
技术
数据表
符合RoHS标准，可提供
描述
这SSTL_2终止网络提供高性能
电阻端接SSTL_2 I类或II类的系统。
设计了一个陶瓷基片，该装置最小化
信道容量，降低了系统的一个主要原因
性能。此外， BGA封装简化了路由
设计，大大节省了设计者许多小时的印刷电路的
布局。
该BGA封装已被证明可以减少返工和
提高可靠性。
特点
18位SSTL_2终止套装
符合JEDEC标准。 8-9A
出色的高频性能
修身BGA封装
1 ％电阻容差
低通道电容
RoHS符合设计可供选择
同时兼容铅和无铅
制造工艺
3
4
R1
2
3
2
R1
3
2
R1
R1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
R2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
R1
1
风格
F型
C风格
电气规格
电阻容差：
TCR
工作温度范围
最大电阻功率：
最大封装功率：
工艺要求：
最大的再流温度
±
1.0%
±200ppm/°C
-55 ° C至+ 125°C
0.05瓦特在70℃下
1.0瓦，在70 ℃下
根据IPC / JEDEC J -STD- 020C
典型用途
VTT
内存
调节器
DIMM
RT2400
VTT
订购信息
1.27mm间距
1.00毫米间距
风格R1
Ω
R2
Ω
ARRAY
1.27mm间距1.00毫米间距
SIZE
符合RoHS型号符合RoHS部件号
标准件
标准
号
产品型号
RT1400B6*
RT1400B7*
H
50
25
3× 9 RT2400B6 *
RT2400B7*
RT1401B6
RT1401B7
H
25
22
3× 9 RT2401B6
RT2401B7
RT1402B6*
RT1402B7*
F
50
-
3× 9 RT2402B6 *
RT2402B7*
RT1403B6*
RT1403B7*
F
25
-
3× 9 RT2403B6 *
RT2403B7*
RT1404B6*
RT1404B7*
C
25
-
4 ×9 RT2404B6 *
RT2404B7*
RT1405B6*
RT1405B7*
C
22
-
4 ×9 RT2405B6 *
RT2405B7*
RT1407B6*
RT1407B7*
F
35
-
3× 9 RT2407B6 *
RT2407B7*
RT1408B6*
RT1408B7*
H
60
25
3× 9 RT2408B6 *
RT2408B7*
RT1430B6
RT1430B7
F
60
-
3× 9 RT2430B6
RT2430B7
RT1432B6
RT1432B7
F
120
-
3× 9 RT2432B6
RT2432B7
RT1460B6
RT1460B7
C
50
-
4 ×9 RT2460B6
RT2460B7
RT1463B6*
RT1463B7
C
33
-
4 ×9 RT2463B6 *
RT2463B7
RT1465B6
RT1465B7
C
47
-
4 ×9 RT2465B6
RT2465B7
RT1467B6*
RT1467B7*
F
75
-
3× 9 RT2467B6 *
RT2467B7*
RT1468B6*
RT1468B7*
F
150
-
3× 9 RT2468B6 *
RT2468B7*
*表示提供最探头，能部件号。
请参考下面的链接了解详细顶
侧探头，能够信息： www.ctscorp.com/components/clearone/TopProveClearOne.pdf
CTS电子元器件
www.ctscorp.com
包装信息
苏FFI X
胶带宽度
载波间距
卷筒直径
件/卷
TR7
24 mm
8 mm
7寸
1,000
TR13
24mm
8 mm
13英寸
4,000
部件编码
7英寸的卷轴， TR7添加到零件
数，例如RT2400B6TR7
13英寸的卷轴，添加TR13到一部分
数，例如RT2400B6TR13
（散装包装不可用）
进给方向
2006 CTS公司。版权所有。信息随时可能更改。
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DDR SDRAM的终结者
7月06日
推荐地格局
底物的轮廓
BGA路由方案
RT2404B6
1.27毫米间距封装
RT2402B6
0.010"走线宽度为
VTT岛
0.005英寸
广痕迹
PCB焊盘直径
1.00毫米间距（ B7 ）= 0.51毫米/ 0.020英寸（最小）
1.27mm间距（ B6 ） = 0.64毫米/ 0.025英寸（最小）
阻焊直径=垫
直径+ 0.15毫米（ 0.006英寸）
为0.006"厚焊膏在模板上，光圈开放应该
等于PCB焊盘直径。
请参阅
www.ctscorp.com/components/clearone.asp
为
额外的PCB设计资料
RT2404B7
1.00毫米间距封装
RT2402B7
0.008"走线宽度为
VTT岛
0.005英寸
广痕迹
机械图
L
H
W
RT_40_B_
CTS YRWK
A1标识
P（螺距）
P（螺距）
D
K
1.27mm间距
mm
STYLES
H&F
寸
1.0mm间距
mm
STYLES
H&F
寸
L
11.43±0.15
.450±.006
L
9.00±0.15
.354±.006
W
3.81±0.15
.150±.006
W
3.00±0.15
.118±.006
H
1.32±0.15
.052±.006
H
1.19±0.15
.047±.006
P
1.27±0.25
.050±.010
P
1.00±0.25
.039±.010
D
0.76±0.05
.030±.002
D
0.64±0.05
.025±.002
K
0.64±0.25
.025±.010
K
0.50±0.25
.020±.010
L
H
W
RT_40_B_
CTS YRWK
P（螺距）
A1标识
K
P（螺距）
D
1.27mm间距
mm
C风格
寸
1.0mm间距
mm
C风格
寸
L
11.43±0.15
.450±.006
L
9.00±0.15
.354±.006
W
5.08±0.15
.200±.006
W
4.00±0.15
.157±.006
H
1.32±0.15
.052±.006
H
1.19±0.15
.047±.006
P
1.27±0.25
.050±.010
P
1.00±0.25
.039±.010
D
0.76±0.05
.030±.002
D
0.64±0.05
.025±.002
K
0.64±0.25
.025±.010
K
0.50±0.25
.020±.010
CTS电子元器件
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7月06日
应用
VTT = 0.5V x垂直
DDQ
SSTL_2 I类，对称
单个并行输出端接
负载，并且串联电阻。
RS = 25欧姆
1/18 RT2404
SSTL_2
VOUT
RT = 50欧姆
1/18 RT2402
VIN
VREF = 0.5V x垂直
DDQ
VTT = 0.5V x垂直
DDQ
SSTL_2 II类，对称
双并行输出端接
负载，并且串联电阻。
RT2 = 50欧姆
1/18 RT2402
RS = 25欧姆
1/9 RT2400 （ R2）的
SSTL_2
VOUT
RT1 = 50欧姆
1/9 RT2400 （R 1）
DDQ
VTT = 0.5V x垂直
VIN
VREF = 0.5V x垂直
DDQ
DDQ
VTT = 0.5V x垂直
SSTL_2 I类，对称
双平行终止输出。
RT = 50欧姆
1/18 RT2402
VIN
SSTL_2
VOUT
RT = 50欧姆
1/18 RT2402
DDQ
VTT = 0.5V x垂直
DDQ
VREF = 0.5V x垂直
DDR SDRAM SSTL_2
单端终端。
第i个
内存控制器
RT2404
D0
DIMM
DIMM
DIMM
DIMM
VTT
RT2402
D15
UDQS
LDQS
VTT
完成了ClearOne产品，处理和应用信息可以通过以下链接找到：
http://www.ctscorp.com/components/clearone.asp
此产品已被一个或多个以下的美国和外国专利：
美国5977863 ; TW 133148 ;美国6005777 ;美国6194979 ; TW 89104035 ;美国6097277 ;美国6246312 ;美国6749775 ;美国6577225 ;美国6963265 ;
美国6897761 ;美国6882266 ;美国6946733 ;美国6856516 。其他美国和外国专利正在申请中。
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7月06日
QQ：2881677436 复制
