R 1 3 X系列
ＴＰ４Ｘ
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
描述
RT1P44HX是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， NPN型是RT1N44HX 。
RT1P44HU
1.6
外形绘图单位：m
m
RT1P44HC
2.5
0.4
0.5
1.5
0.5
特征
内置的偏置电阻（R1 = 47千欧姆，R2 = 22KΩ ） 。
0.5
0.4
0.8
0.3
①
②
③
2.9
1.90
0.95 0.95
①
②
③
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
00.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA
：
JEDEC
：
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
RT1P44HM
2.1
0.425
1.25
0.425
JEITA
：SC-59
JEDEC
：类似TO- 236
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
RT1P44HS
4.0
E
（GND）的
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
3.0
00.1
等效电路
0.5
①
②
③
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
①
②
③
0.7
JEITA
：SC-70
JEDEC
：
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
00.1
JEITA
：
JEDEC
：
端子连接器
①
：辐射源
②
-collector
③
： BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
R 1 3 X系列
ＴＰ４Ｘ
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＢＯ
Ｃ
Ｖ
ＢＯ
Ｅ
Ｖ
ＥＯ
Ｃ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ½
½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1P44HU
等级
RT1P44HM
RT1P44HC
-50
-10
-50
-100
-200
200
+150
-55+150
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P44HS
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
极限
典型值
150
+150
-55+150
450
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＢＲ）ＣＥＯ
（
Ｉ
ＣＢＯ
½
Ｅ
Ｆ
Ｖ
Ｅ ½½
Ｃ （ ½）
Ｖ
（ Ｎ
ＩＯ ）
Ｖ
（ Ｆ ）
ＩＯ Ｆ
Ｒ
１
Ｒ ／Ｒ
１
２
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA，R
BE
=∞
V
CB
=-50V，I
E
=0
V
CE
=-5V，I
C
=-5mA
I
C
=-10mA，I
B
=-0.5mA
V
CE
=-0.2V，I
C
=-5mA
V
CE
=-5V，I
C
=-100μA
民
-50
56
-2.6
-1.7
47
0.47
150
-0.3
-6.3
61
0.57
最大
-0.1
单位
V
μA
V
V
V
kΩ
兆赫
-1.3
33
0.37
V
CE
=-6V，I
E
=10mA
典型特征
输入电压
vs.collector电流
D C F R W A R D C ü R R简的Tg A IN
vs.collector电流
-10
正向直流电流增益※
Ｆ
½
Ｅ
输入ON VOLTEGE
我（上）
（ ）
Ｖ
Ｖ
1000
V
CE
=-0.2V
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
集电极电流
VS.INPUT断电压
10
-1
-10
-100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
-1000
集电极电流
Ｃ
μＡ
Ｉ（ ）
V
CE
=-5V
-100
-10
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4
输入电压OFF
ＩＯＦ ）
Ｖ
Ｖ
（ Ｆ
（ ）
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Jan.2003
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