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RT1P140X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
描述
RT1P14BX是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻, NPN型是RT1N14BX 。
RT1P14BU
1.6
概要
制图
RT1P14BC
2.5
单位:mm
特征
·内置偏置电阻( R2 = 10kΩ的) 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
0.95
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路,开关电路,接口电路,
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
C
(下)
B
(中)
JEITA : -
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
RT1P14BM
2.1
0.425
1.25
0.425
JEITA:SC-59
JEDEC :类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
RT1P14BS
4.0
R2
E
(GND)的
0.65
0.3
3.0
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
2.0
1.3
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
0.65
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
0.7
JEITA:SC-70
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA : -
JEDEC : -
端子连接器
② :辐射源
--Collector
内部BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
RT1P140X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T½
T½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1P14BU
等级
RT1P14BM
RT1P14BC
-50
-6
-50
-100
-200
200
+150
-55½+150
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
RT1P14BS
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55½+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
½
FE
CE(½½½)
2
½
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
发射极 - 基极电阻
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA,R
BE
=∞
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-6V,I
E
-50
30
7
最大
-0.1
-0.3
13
单位
V
μA
V
兆赫
=10mA
10
150
典型特征
直流正向电流增益集电极电流
1000
VCE=-5V
集电极电流,输入电压关闭
-1000
VCE=-5V
正向直流电流增益hFE
100
集电极电流IC [微安]
-1
-10
集电极电流IC [马]
-100
-100
10
-10
-0
-0.5
-1
-1.5
-2
输入过电压VI ( OFF) [V]
输入电压集电极电流
-10
VCE=-200mV
输入上的电压VI (ON), [V]的
-1
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流IC [马]
谏早电子股份有限公司
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·
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·
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h
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·
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Jan.2003
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RT1P14BM
JAT
21+
7050
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RT1P14BM
√ 欧美㊣品
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