RT1P140X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
描述
RT1P140X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， NPN型是RT1N140X 。
RT1P140U
1.6
概要
制图
RT1P140C
2.5
单位：mm
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的） 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
①
②
③
0.95
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
R1
B
（中）
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1P140M
RT1P140S
4.0
0.425
3.0
2.1
1.25
0.425
RT1P140T
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
0.2
0.8
0.2
0.65
0.3
0.4
1.0
1.0
2.0
1.3
0.65
1.2
0.8
0.1
0.45
①
②
③
①
②
③
14.0
0.9
2.5
0.4
0.7
①
②
③
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0½0.1
0.15
0.45
1.27 1.27
谏早电子股份有限公司
0.4
JEITA ： - ， JEDEC ： -
谏早： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0.25
0.4
RT1P140X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
晶体管，电阻器
对于开关应用
PNP硅外延型
等级
RT1P140T
RT1P140U
RT1P140M
RT1P140C
RT1P140S
-50
-6
-50
-100
-200
125（※）
150200450
+125
+150
-55½+125
-55½+150
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
测试条件
I
C
=-100μA，R
BE
=∞
V
CB
=-50V，I
E
=0
V
CE
=-5V，I
C
=-1mA
I
C
=-10mA，I
B
=-0.5mA
V
CE
=-6V，I
E
民
-50
100
7
极限
典型值
最大
-0.1
-0.3
13
单位
V
μA
－
V
kΩ
兆赫
=10mA
10
150
典型特征
输入电压 - Collectorcurrent
1000
正向直流电流增益 - 集电极电流
-10
V
CE
=-0.2V
输入电压VI （ON ） （V ）
正向直流电流增益hFE
V
CE
=-5V
-1
100
-0.1
-0.1
-1
-10
集电极电流Ic （ mA）的
-100
10
-0.1
-1
-10
集电极电流IC （MA ）
-100
集电极电压 - 输入过电压
-1000
V
CE
=-5V
集电极电流Ic （微安）
-100
-10
-0
-0.2
-0.4
-0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4
输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
-1.6
-1.8
-2
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·
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Jan.2003
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