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R14B シ
T N 4 X リーズ
スイッチング用
シリコンN Nエピタキシァル½
抵抗入り ラ
ト ンジスタ
特徴
½½½½用抵抗を内蔵(R
2
=47kΩ)
½½の小型化、高密度実装が可½
½として RT1P44BX ½½½½
があります
0.4
外½図
単½
:mm
RT1N44BU
1.6
0.8
0.4
0.5
RT1N44BC
2.5
1.5
0.5
2.9
1.90
0.95 0.95
0.5
用途
½½回路、½½½½½回路、½½½½½½回路、
½回路
1.6
1.0
0.3
0.7
0.5
0.15
1.1
0.55
00.1
0.8
等価回路
C
(下)
B
(中)
R2
E
(GND)的
JEITA
JEDEC
電極接続
:ベース
② ミ タ
:エ ッ
③ コ ク
: レ タ
RT1N44BM
2.1
0.425
1.25
0.425
3.0
JEITA
:SC-59
JEDEC
: TO- 236类似
電極接続
:ベース
② ミ タ
:エ ッ
③ コ ク
: レ タ
RT1N44BS
4.0
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
00.1
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
0.7
JEITA
:SC-70
JEDEC
電極接続
:ベース
② ミ タ
:エ ッ
③ コ ク
: レ タ
00.1
JEITA
JEDEC
電極接続
① ミ タ
:エ ッ
② コ ク
: レ タ
:ベース
0.16
0.4
R14B シ
T N 4 X リーズ
最大定格( ½= 5℃
T 2 )
記号
BO
BO
EO
CM
½
T½
½½
項目
コレクタ ベース間電圧
エ ッ
ミ タ ベース間電圧
コレクタ エ ッ
ミ タ間電圧
コレクタ電流
せん頭コレク
タ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
RT1N44BU
定 格 値
RT1N44BM
RT1N44BC
50
6
50
100
200
150
+150
-55+150
スイッチング用
シリコンN Nエピタキシァル½
抵抗入り ラ
ト ンジスタ
RT1N44BS
単½
V
V
V
mA
mA
mW
最小
50
68
33
47
200
0.3
61
性 値
標準
最大
0.1
125
+125
-55+125
450
電気特性( ½= 5℃
T 2 )
記号
BR)CEO
CBO
½
E ½½
C ( ½)
2
½
項目
コレクタ エ ッ
ミ タ降伏電圧
コレクタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ エ ッ
ミ タ½和電圧
エ ッ
ミ タ ベース間抵抗
利得帯域幅積
単½
V
μA
V
兆赫
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
営業本部営業企画部
http://www.idc-com.co.jp
〒854-0065
長崎県諌早市津久葉町
6-41
安全設計に関するお願い
弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導½½品は故障が発生したり、誤動½す場合があります。弊社½品
の故障または誤動½によって、結果として人身事故、火½事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した
冗長設計、延焼対策設計、誤動½防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子½品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の
技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実½、½用を許諾するものではありません。
本資料に記載の½品データ、図、表その他応用回路例の½用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ
ハヤ電子は責任を負いません。
本資料に記載の½品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに
変更することがあります。½品の購入に½たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。
本資料に記載された½品は、人½に関わるような状況の下で½用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的
として設計、½造されたものではありません。本資料の½品を運輸、移動½用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底
中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。
本資料の転載、複½については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。
本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。
2002
11
月½成
R 1 3 X系列
TN4X
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N44BX是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻, PNP型是RT1P44BX 。
RT1N44BU
1.6
外形绘图单位:m
m
RT1N44BC
2.5
0.4
0.5
1.5
0.5
特征
内置的偏置电阻(R2 = 47千欧姆) 。
0.5
0.4
0.8
0.3
2.9
1.90
0.95 0.95
1.6
1.0
应用
反相电路,开关电路,接口电路,
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
00.1
C
(下)
B
(中)
JEITA
JEDEC
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
RT1N44BM
2.1
0.425
1.25
0.425
JEITA
:SC-59
JEDEC
:类似TO- 236
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
RT1N44BS
4.0
R2
E
(GND)的
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
3.0
00.1
等效电路
0.5
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
0.7
JEITA
:SC-70
JEDEC
端子连接器
: BASE
:辐射源
-collector
00.1
JEITA
JEDEC
端子连接器
:辐射源
-collector
: BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
R 1 3 X系列
TN4X
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
BO
BO
EO
CM
½
T½
½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
结温
储存温度
RT1N44BU
等级
RT1N44BM
RT1N44BC
50
6
50
100
200
200
+150
-55+150
晶体管
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N44BS
单位
V
V
V
mA
mA
mW
极限
典型值
150
+150
-55+150
450
电气特性(Ta = 25℃)
符号
BR)CEO
CBO
½
E ½½
C ( ½)
2
½
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
发射极 - 基极电阻
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
50
68
33
47
200
0.3
61
最大
0.1
单位
V
μA
V
兆赫
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部,营销策划部
6-41筑波,谏早,长崎, 854-0065日本
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·
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总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施
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硬伤。
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·
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客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于
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Jan.2003
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