RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N441X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P441X 。
RT1N441U
1.6
概要
制图
RT1N441C
2.5
单位：mm
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 47千欧姆， R2 = 47千欧姆） 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
①
②
③
0.95
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1N441M
RT1N441T
2.1
0.425
0.2
0.8
0.2
1.25
0.425
3.0
RT1N441S
4.0
0.65
0.3
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
0.25
①
②
0.4
2.0
1.3
14.0
1.0
①
②
③
1.0
0.1
0.45
0.4
0.65
1.2
0.8
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
①
②
③
0. 5
0.7
JEITA ， JEDEC ： -
谏早： T- USM
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｖ
IN
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
输入电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1N441T
RT1N441U
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
125（※）
+125
-55½+125
150
等级
RT1N441M
RT1N441C
50
10
50
40
100
200
200
+150
-55½+150
RT1N441S
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
450
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
Ｒ
１
Ｒ
２
／Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
输入电压电流-collector
10
DC forward current gain ½ＦＥ
在输入电压Vi （ON ）
V
CE
=0.2V
1000
V
CE
=5V
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=5mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
50
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
V
V
kΩ
兆赫
0.8
33
0.9
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
0.1
2.2
1.1
47
1.0
200
0.3
5.0
61
1.1
直流正向电流增益-collector电流
1
100
0.1
1
10
Collector current ＩＣ（½Ａ）
集电极电流 - 输入电压关
ＩＣ （½Ａ）
10
100
1
10
Collector current ＩＣ（½Ａ）
100
1000
V
CE
=5V
集电极电流
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入电压VI （关） （Ⅴ）的
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·
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Jan.2003
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