RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1N430T
RT1N430U
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
125
（※ ）
+125
-55½+125
150
等级
RT1N430M RT1N430C
50
6
50
100
200
200
+150
-55½+150
RT1N430S
单位
450
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入阻抗
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=1mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=6V，I
E
民
50
100
3.3
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
kΩ
兆赫
=-10mA
0.1
4.7
200
0.3
6.1
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
V
CE
=0.2V
输入上的电压VI （ON）， （V）的
正向直流电流增益hFE参数
V
CE
=5V
1
100
0.1
0.1
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
10
0.1
1
10
集电极电流IC （MA ）
100
集电极电流 - 输入电压关闭
1000
V
CE
=5V
集电极电流Ic （微安）
100
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
1.6
1.8
2
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·
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总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
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·
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客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
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禁止的。
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Jan.2003
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