RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N237X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P237X 。
0.4
概要
RT1N237U
1.6
0.8
0.4
制图
RT1N237C
2.5
1.5
0.5
单位：mm
0.5
特征
0.95
0.5
2.9
1.90
①
②
③
0.3
·内置偏置电阻（ R1 =采用2.2kΩ ， R2 = 47千欧姆） 。
1.6
1.0
①
②
③
应用
0.7
0.15
0.8
0.16
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.5
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0½0.1
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1N237M
RT1N237S
4.0
0.425
2.1
1.25
0.425
RT1N237T
0.2
0.8
0.2
0½0.1
等效电路
0.55
1.1
0.95
0.4
0.65
1.0
2.0
1.3
0.4
0.1
0.45
1.2
0.8
①
②
③
0.3
①
②
③
14.0
0.65
1.0
1.27 1.27
0.9
0.4
0.7
0.15
①
②
③
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0½0.1
2.5
0.45
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.25
3.0
0.4
RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1N237T
RT1N237U
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
125
（※ ）
+125
-55½+125
150
等级
RT1N237M RT1N237C
50
6
50
100
200
200
+150
-55½+150
RT1N237S
450
UNI
T
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
Ｒ
１
Ｒ
２
／Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=10mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
80
0.7
0.6
2.2
22
200
0.3
1.1
2.9
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
V
V
kΩ
兆赫
0.5
1.5
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
D C F或W A R D C ü R R EN的Tg A IN
V S. OL L EC TOR ú R R EN牛逼
典型特征
IN P ü T ON V OL踏歌
V S. OL L EC TOR ú R R EN牛逼
10
DC FORWARD CURRENT GAIN ½
ＦＥ
输入ON VOLTEGE V
我（上）
（Ｖ）
1000
V
CE
=0.2V
V
CE
=5V
1
100
0.1
1
10
集电极电流I
Ｃ
（½Ａ）
OL L EC TOR ú R R EN牛逼
V S. F大V OL踏歌的P ü牛逼
10
100
1
10
集电极电流I
Ｃ
（½Ａ）
100
1000
集电极电流I
Ｃ
（μＡ）
V
CE
=5V
100
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
输入OFF电压V
Ｉ（ＯＦＦ）
（Ｖ）
2
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Jan.2003
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