R 1 3 X系列
ＴＮ３Ｘ
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N231X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P231X 。
RT1N231U
1.6
外形绘图单位：m
m
RT1N231C
2.5
0.4
0.5
1.5
0.5
特征
内置的偏置电阻（R1 =采用2.2kΩ ，R 2 =采用2.2kΩ ） 。
0.5
0.4
0.8
0.3
①
②
③
2.9
1.90
0.95 0.95
①
②
③
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
00.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA
：
JEDEC
：
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
RT1N231M
2.1
0.425
1.25
0.425
JEITA
：SC-59
JEDEC
：类似TO- 236
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
RT1N231S
4.0
E
（GND）的
2.0
1.3
0.65 0.65
0.3
3.0
00.1
等效电路
0.5
①
②
③
14.0
1.0
1.0
0.1
0.45
1.27 1.27
0.9
0.15
0.4
2.5
①
②
③
0.7
JEITA
：SC-70
JEDEC
：
端子连接器
①
： BASE
②
：辐射源
③
-collector
00.1
JEITA
：
JEDEC
：
端子连接器
①
：辐射源
②
-collector
③
： BASE
谏早电子股份有限公司
0.4
R 1 3 X系列
ＴＮ３Ｘ
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＢＯ
Ｃ
Ｖ
ＢＯ
Ｅ
Ｖ
ＥＯ
Ｃ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ½
½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
RT1N231U
等级
RT1N231M
RT1N231C
50
10
50
100
200
200
+150
-55+150
〈
晶体管
〉
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N231S
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
极限
典型值
150
+150
-55+150
450
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＢＲ）ＣＥＯ
（
Ｉ
ＣＢＯ
½
Ｅ
Ｆ
Ｖ
Ｅ ½½
Ｃ （ ½）
Ｖ
（ Ｎ
ＩＯ ）
Ｖ
（ Ｆ ）
ＩＯ Ｆ
Ｒ
１
Ｒ ／Ｒ
１
２
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=20mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
20
1.3
1.1
2.2
1.0
200
0.3
2.2
2.9
1.2
最大
0.1
单位
V
μA
V
V
V
kΩ
兆赫
0.7
1.5
0.8
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
D C F R W A R D C ü R R简的Tg A IN
vs.collector电流
典型特征
10
输入电压
vs.collector电流
1000
正向直流电流增益※
Ｆ
½
Ｅ
输入ON VOLTEGE
我（上）
（ ）
Ｖ
Ｖ
V
CE
=0.2V
V
CE
=5V
1
100
0.1
1
10
100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
集电极电流
VS.INPUT断电压
10
1
10
100
集电极电流
Ｃ
（ ）
Ｉ ½Ａ
1000
集电极电流
Ｃ
μＡ
Ｉ（ ）
V
CE
=5V
100
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
输入电压OFF
ＩＯＦ ）
Ｖ
Ｖ
（ Ｆ
（ ）
2
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Jan.2003
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