RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N141X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P141X 。
RT1N141U
1.6
概要
制图
RT1N141C
2.5
单位：mm
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的， R2 = 10kΩ的） 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
①
②
③
0.95
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1N141M
RT1N141S
2.1
4.0
0.425
1.25
0.425
RT1N141T
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
0.2
0.8
0.2
3.0
0.65
0.3
①
②
③
0.4
①
②
③
1.0
2.0
1.3
0.65
1.2
0.8
0.1
0.45
14.0
1.0
0.9
0.4
0.7
①
②
③
0½0.1
2.5
0.15
0.45
1.27 1.27
0.4
JEITA ： -
JEDEC ：
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.25
0.4
RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1N141T
RT1N141U
等级
RT1N141M
50
10
50
100
200
150
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N141C
RT1N141S
单位
V
V
V
mA
mA
125（※）
+125
-55½+125
125
450
+150
-55½+150
mW
℃
℃
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
Ｒ
１
Ｒ
２
／Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=10mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
50
0.1
1.5
1.1
10
1.0
200
0.3
3.0
13
1.1
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
V
V
kΩ
兆赫
0.8
7.0
0.9
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
DC Forward Current Gain ½ＦＥ
1
10
Collector Current Ｉ Ｃ （ ½Ａ ）
100
在输入电压Vi （ON ）
（Ｖ）
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
1
100
0.1
10
1
10
Collector Current Ｉ Ｃ （ ½Ａ ）
100
集电极电流 - 输入电压关
1000
Collector Current ＩＣ （½
Ａ）
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
关闭输入电压V I （O F F ） （V ）
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2003
RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N141X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P141X 。
RT1N141U
1.6
概要
制图
RT1N141C
2.5
单位：mm
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的， R2 = 10kΩ的） 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
①
②
③
0.95
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1N141M
RT1N141S
2.1
4.0
0.425
1.25
0.425
RT1N141T
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
0.2
0.8
0.2
3.0
0.65
0.3
①
②
③
0.4
①
②
③
1.0
2.0
1.3
0.65
1.2
0.8
0.1
0.45
14.0
1.0
0.9
0.4
0.7
①
②
③
0½0.1
2.5
0.15
0.45
1.27 1.27
0.4
JEITA ： -
JEDEC ：
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.25
0.4
RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1N141T
RT1N141U
等级
RT1N141M
50
10
50
100
200
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N141C
RT1N141S
单位
V
V
V
mA
mA
125（※）
+125
-55½+125
150
200
+150
-55½+150
450
mW
℃
℃
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
Ｒ
１
Ｒ
２
／Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=10mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
50
0.1
1.5
1.1
10
1.0
200
0.3
3.0
13
1.1
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
V
V
kΩ
兆赫
0.8
7.0
0.9
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
在输入电压Vi （ON ）
VCE=0.2V
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
DC Forward Current Gain ½ＦＥ
VCE=5V
1
100
0.1
1
10
Collector Current ＩＣ（½Ａ）
集电极电流 - 输入电压关
1000
VCE=5V
100
10
1
10
Collector Current ＩＣ（½Ａ）
100
Collector Current ＩＣ （½Ａ）
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入OFF电压Vi （关） （V ）
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2003
RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N141X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻， PNP型是RT1P141X 。
RT1N141U
1.6
概要
制图
RT1N141C
2.5
单位：mm
特征
·内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的， R2 = 10kΩ的） 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
①
②
③
0.95
①
②
③
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路，开关电路，接口电路，
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0½0.1
R1
B
（中）
R2
C
（下）
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA：SC-59
JEDEC ：类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
E
（GND）的
RT1N141M
RT1N141S
2.1
4.0
0.425
1.25
0.425
RT1N141T
0½0.1
等效电路
0.95
0.5
0.2
0.8
0.2
3.0
0.65
0.3
①
②
③
0.4
①
②
③
1.0
2.0
1.3
0.65
1.2
0.8
0.1
0.45
14.0
1.0
0.9
0.4
0.7
①
②
③
0½0.1
2.5
0.15
0.45
1.27 1.27
0.4
JEITA ： -
JEDEC ：
端子连接器
② ：辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
JEITA ： -
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.25
0.4
RT1P141X系列
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＭ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1N141T
RT1N141U
等级
RT1N141M
50
10
50
100
200
150
\u003c晶体管\u003e
晶体管，电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N141C
RT1N141S
单位
V
V
V
mA
mA
125（※）
+125
-55½+125
125
450
+150
-55½+150
mW
℃
℃
（ ※ ）包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
Ｉ（ＯＮ）
Ｖ
Ｉ（ＯＦＦ）
Ｒ
１
Ｒ
２
／Ｒ
１
½
Ｔ
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA，R
BE
=∞
V
CB
=50V，I
E
=0
V
CE
=5V，I
C
=10mA
I
C
=10mA，I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V，I
C
=5mA
V
CE
=5V，I
C
=100μA
民
50
50
0.1
1.5
1.1
10
1.0
200
0.3
3.0
13
1.1
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
－
V
V
V
kΩ
兆赫
0.8
7.0
0.9
V
CE
=6V，I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
DC Forward Current Gain ½ＦＥ
1
10
Collector Current Ｉ Ｃ （ ½Ａ ）
100
在输入电压Vi （ON ）
（Ｖ）
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
1
100
0.1
10
1
10
Collector Current Ｉ Ｃ （ ½Ａ ）
100
集电极电流 - 输入电压关
1000
Collector Current ＩＣ （½
Ａ）
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
关闭输入电压V I （O F F ） （V ）
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2003
QQ：2881677436 复制
