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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第465页 > RT1E060XN
数据表
4V驱动N沟道MOSFET
RT1E060XN
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
■特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小型表面贴装封装（ TSST8 ） 。
(1)
(2)
(3)
(4)
缩写符号： XR
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RT1E060XN
TAPING
TCR
3000
内部电路
(8)
(7)
(6)
(5)
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
范围
30
20
6
24
1
24
1.25
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
*1
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
（ 1 ）排水
（ 2 ）排水
（ 3 ）排水
（ 4 ）门
（ 5 ）资料来源
（ 6 ）排水
（ 7 ）排水
（ 8 ）漏
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
热阻
参数
渠道环境
*安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
*
范围
100
单位
C
/ W
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2011.04 - Rev.A的
RT1E060XN
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
升
fs
l *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
*
分钟。
-
30
-
1.0
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
16
21
23
-
440
170
85
8
16
32
8
6.8
1.6
2.6
马克斯。
10
-
1
2.5
22
29
32
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 6A ，V
GS
=10V
m我
D
= 6A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 6A ，V
GS
=4.0V
I
D
= 6A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 3A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=5
R
G
=10
I
D
= 6A ，V
DD
15V
V
GS
=5V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 6A ，V
GS
=0V
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2011.04 - Rev.A的
RT1E060XN
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
6
V
GS
=3.0V
5
V
GS
=10.0V
漏电流：我
D
[A]
4
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.0V
3
V
GS
=2.8V
T
a
=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
6
5
V
GS
=10.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.0V
V
GS
=2.5V
漏电流：我
D
[A]
4
V
GS
=3.0V
3
V
GS
=2.8V
2
2
1
V
GS
=2.5V
1
T
a
=25°C
脉冲
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
漏源电压： V
DS
[V]
图3静态漏源通态电阻与漏电流
100
T
a
=25°C
脉冲
图4静态漏源通态电阻与漏电流
100
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
10
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
10
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
图5静态漏源通态电阻与漏电流
100
V
GS
=4.5V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
图6静态漏源通态电阻与漏电流
100
V
GS
=4V
脉冲
10
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
10
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
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RT1E060XN
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
100
V
DS
=10V
脉冲
10
正向转移导纳
Y
fs
[S]
10
漏Currnt ：我
D
[A]
100
图8典型的传输特性
V
DS
=10V
脉冲
1
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
0.1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.01
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
栅源电压： V
GS
[V]
漏电流：我
D
[A]
图9源电流和源极 - 漏极电压
100
V
GS
=0V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[mΩ]
图10静态漏源通态电阻与栅源电压
100
T
a
=25°C
脉冲
80
I
D
=6.0A
I
D
=3.0A
60
10
源电流：是[ A]
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
40
0.1
20
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压： V
GS
[V]
图11开关特性
1000
V
DD
≒15V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
T
a
=25°C
脉冲
t
D（关闭）
10
T
a
=25°C
V
DD
=15V
I
D
=6A
脉冲
图12动态输入特性
t
f
切换时间： T [ NS ]
100
8
栅源电压： V
GS
[V]
6
t
D（上）
10
4
2
t
r
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
总栅极电荷：Q
g
[ NC ]
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RT1E060XN
　
数据表
图13典型的电容与漏源电压
10000
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10
电容： C [ pF的]
1000
漏电流：我
D
[ A ]
100
图14最大安全工作区
在这一领域是由R有限公司
DS （ ON）
(V
GS
= 10V)
P
W
= 100μs
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
1
P
W
为1ms
0.1
T
a
=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
100
0.01
0.01
0.1
1
10
P
W
= 10ms的
直流操作
10
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
漏源电压： V
DS
[ V ]
图15归瞬态热阻VS脉冲宽度
10
归瞬态热阻： R（T ）
T
a
=25°C
单脉冲
1
0.1
0.01
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
RTH
（ CH -A ）
=100°C/W
RTH
（ CH -A ）
（吨） = R（T） × Rth的
（ CH -A ）
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： PW （ S）
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