【4V驱动P沟道MOSFETRT1E050RP结构硅P沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）TSST8(8】,IC型号RT1E050RP,RT1E050RP PDF资料,RT1E050RP经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动P沟道MOSFET

RT1E050RP

结构

硅P沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

TSST8

(8)

(7)

(6)

(5)

■特点

1）低导通电阻。

2 ）高功率封装。

3 ） 4V的驱动器。

(1)

(2)

(3)

(4)

缩写符号： UD

应用

开关

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

RT1E050RP

TAPING

3000

○

内部电路

(8)

(7)

(6)

(5)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

* 2装在一个陶瓷基板。

范围

单位

（ 1 ）排水

（ 2 ）排水

（ 3 ）排水

（ 4 ）门

（ 5 ）资料来源

（ 6 ）排水

（ 7 ）排水

（ 8 ）漏

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

GSS

总胆固醇

TSTG

1.25

150

+150

热阻

参数

渠道环境

*安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

100

单位

/ W

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1/5

2010.04 - Rev.A的

RT1E050RP

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

3.1

典型值。

1300

180

160

3.5

4.5

马克斯。

2.5

单位

条件

=20V, V

=0V

= ± 1mA时， V

=0V

=30V, V

=0V

= -10V ，我

=1mA

= -5A ，V

=10V

m我

= 2.5A ，V

=4.5V

= 2.5A ，V

=4.0V

= -5A ，V

=10V

=0V

f=1MHz

= 2.5A ，V

15V

=10V

=6.0

=10

= -5A ，V

15V

= 5V

=10

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= -5A ，V

=0V

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2010.04- Rev.A的

RT1E050RP

电气特性曲线

0.2

0.4

0.6

0.8

= -10V

= -3.0V

漏电流： -I

[A]

Ta=25°C

脉冲

= -3.0V

= -2.8V

= -2.5V

0.001

= -10V

= -4.5V

= -4.0V

Ta=25°C

脉冲

= -10V

脉冲

数据表

漏电流： -I

[A]

漏电流： -I

[A]

1钽= 125°C

TA = 75℃

TA = 25℃

0.1大= - 25℃

= -2.8V

= -4.5V

= -4.0V

= -2.5V

0.01

漏源电压： -V

[V]

图1典型的输出特性（

Ⅰ)

漏源电压： -V

[V]

图2典型的输出特性（

Ⅱ)

栅源电压： -V

[V]

图3典型的传输特性

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

100

= -4.0V

= -4.5V

= -10V

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

Ta=25°C

脉冲

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

1000

= -10V

脉冲

1000

= -4.5V

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

0.1

漏电流： -I

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

正向转移导纳： | YFS | [S ]

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

源电流： -I

[A]

1000

= -4.0V

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

= -10V

脉冲

=0V

脉冲

TA = -25C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.1

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

0.1

漏电流： -I

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

0.01

0.1

0.5

1.5

漏电流： -I

[A]

图8正向转移导纳

与漏电流

源极 - 漏极电压： -V

[V]

图9反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

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RT1E050RP

数据表

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

200

180

160

140

120

100

= -2.5A

10000

切换时间： T [ NS ]

Ta=25°C

脉冲

D（关闭）

100

D（上）

0.01

0.1

栅源电压： -V

[V]

1000

Ta=25°C

= -15V

= -10V

=10

脉冲

Ta=25°C

= -15V

= -5.0A

=10

脉冲

= -5.0A

栅源电压： -V

[V]

图10静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

漏电流： -I

[A]

图11开关特性

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图12动态输入特性

10000

电容： C [ pF的]

西塞

1000

CRSS

100

科斯

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

100

0.01

0.1

漏源电压： -V

[V]

图13典型电容

与漏源电压

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RT1E050RP

测量电路

脉冲宽度

数据表

D.U.T.

10%

50%

10%

90%

50%

10%

90%

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

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24+

350000

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23000

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