【2.5V驱动N沟道MOSFETRSU002N06Structure硅N沟道MOSFET■特点1 ）高】,IC型号RSU002N06,RSU002N06 PDF资料,RSU002N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

2.5V驱动N沟道MOSFET

RSU002N06

Structure

硅N沟道MOSFET

■特点

1 ）高速switing 。

2 ）小型封装（ UMT3 ）。

3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器）。

●应用

开关

缩写符号： RK

尺寸

（单位：mm ）

UMT3

(SC-70)

<SOT-323>

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

RSU002N06

Inner

电路\u003e

TAPING

T106

3000

(2)

(3)

(1)

ESD保护二极管

体二极管

（ 1 ）资料来源

（ 2 ）门

（ 3 ）排水

“绝对

最大额定值

（大= 25C ）

符号

参数

范围

250

150

200

150

+150

单位

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

* 2每个终端安装在一个推荐的土地。

DSS

GSS

连续

脉冲

连续

脉冲

总胆固醇

TSTG

热

电阻

参数

符号

RTH

（ CH -A ）

范围

625

单位

/ W

渠道环境

*每个终端安装在推荐地。

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○

1/5

2010.04 - Rev.A的

RSU002N06

ⅵELECTRICAL

特征

（大= 25C ）

参数

符号

数据表

分钟。

1.0

0.25

典型值。

1.7

2.1

2.3

3.0

4.5

2.0

3.5

马克斯。

2.3

2.4

3.0

3.2

12.0

单位

条件

=20V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

=60V, V

=0V

= 10V ，我

=1mA

= 250毫安，V

=10V

= 250毫安，V

=4.5V

= 250毫安，V

=4.0V

= 10毫安，V

=2.5V

= 250毫安，V

=10V

=25V

=0V

f=1MHz

= 100mA时V

=10V

300

=10

30V

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

*脉冲

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）

参数

符号

分钟。

典型值。

正向电压

*脉冲

马克斯。

1.2

单位

条件

= 250毫安，V

=0V

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○

2/5

2010.04 - Rev.A的

RSU002N06

ⅵELECTRICAL

特性曲线

0.5

数据表

漏电流：我

[A]

漏电流：我

[A]

0.4

0.3

0.2

= 2.8V

0.1

= 2.5V

0.2

0.4

0.6

0.8

= 10V

= 4.5V

= 4.0V

0.4

0.3

漏电流：我

[A]

TA = 25℃

脉冲

0.5

= 10V

= 4.5V

= 4.0V

TA = 25℃

脉冲

= 10V

脉冲

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

TA = -25C

0.1

= 2.8V

0.2

0.1

= 2.5V

0.01

0.001

0.0001

[V]

漏源电压： V

[V]

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

漏源电压： V

[V]

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

栅源电压： V

图3典型的传输特性

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

TA = 25℃

脉冲

= 2.5V

= 4.0V

= 4.5V

= 10V

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

= 10V

脉冲

静态漏源导通状态

电阻值：R

（开） [

]

100

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

TA = -25C

= 4.5V

脉冲

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

TA = -25C

0.1

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

漏电流：I

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

漏电流：I

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

100

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

正向传递

导纳： | YFS | [S ]

= 4.0V

脉冲

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

TA = -25C

= 2.5V

脉冲

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

TA = -25C

= 10V

脉冲

0.1

TA = -25C

Ta=25C

Ta=75C

Ta=125C

0.1

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

0.01

0.001

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

漏电流：I

[A]

图8静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

漏电流：I

[A]

图9正向转移导纳

与漏电流

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3/5

2010.04 - Rev.A的

RSU002N06

1000

数据表

反向漏电流：是[ A]

切换时间： T [ NS ]

=0V

脉冲

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

Ta=25C

脉冲

= 0.01A

= 0.25A

D（关闭）

100

Ta=25C

= 30V

=10V

=10

脉冲

0.1

0.01

Ta=125C

Ta=75C

Ta=25C

Ta=-25C

D（上）

0.001

0.5

1.5

2.5

7.5

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图12开关特性

源极 - 漏极电压： V

[V]

图10反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

栅源电压： V

[V]

图11静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

100

电容： C [ pF的]

Ta=25C

f=1MHz

=0V

西塞

CRSS

科斯

0.01

0.1

100

漏源电压： V

[V]

图13典型电容

与漏源电压

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2010.04 - Rev.A的

RSU002N06

Measurement

电路\u003e

脉冲宽度

D.U.T.

数据表

50%

10%

90%

D（上）

90%

50%

10%

90%

D（关闭）

关闭

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

Notice

本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。

请考虑设计的ESD保护电路。

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○

5/5

2010.04 - Rev.A的

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批号

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封装

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23000

SOT-323

一级代理专营，原装现货，价格优势

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联系人：朱

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ROHM/罗姆

24+

12300

SMD

全新原装现货，原厂代理。

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联系人：李小姐

地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

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ROHM

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9854

SOT-323

只做进口原装正品现货，或订货假一赔十！

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地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

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12600

SOT323

原装正品

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11254

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原装正品，支持实单

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18000

N/A

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联系人：何小姐

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