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RSS140N03
晶体管
开关( 30V , ± 14A )
RSS140N03
特点
1)低导通电阻。
2 )内置G -S保护二极管。
3 )小和表面贴装封装( SOP8 ) 。
外形尺寸
(单位:毫米)
SOP8
(8)
5.0±0.2
(5)
6.0±0.3
3.9±0.15
Max.1.75
1.5±0.1
0.15
应用
电源开关, DC / DC变换器。
(1)Source
(2)Source
(3)Source
(4)Gate
(5)Drain
(6)Drain
(7)Drain
(8)Drain
1.27
0.4±0.1
0.1
每根导线具有相同的尺寸
结构
·硅
N沟道MOS FET
等效电路
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
2
1
(1) (2) (3) (4)
(1)Source
(2)Source
(3)Source
(4)Gate
(5)Drain
(6)Drain
(7)Drain
(8)Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端,以防止静电的二极管
电时,该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功率dissipatino
通道温度
Strage温度
1 Pw≤10μs ,职务cycle≤1 %
2安装在陶瓷板上。
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
30
20
±14
±56
1.6
6.4
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
0.5±0.1
(1)
(4)
0.2±0.1
1/3
RSS140N03
晶体管
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH ( CH -A )
范围
62.5
单位
°C
/ W
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
13
典型值。
4.9
6.0
6.5
3150
830
500
16
52
125
78
37
6.2
13.5
马克斯。
10
10
2.5
6.7
8.4
9.0
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=1mA
I
D
= ± 14A ,V
GS
=10V
I
D
= ± 14A ,V
GS
=4.5V
I
D
= ± 14A ,V
GS
=4V
I
D
= ± 14A ,V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 7A ,V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=2.14
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=±14A
体二极管的特性
(源极 - 漏极特性) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 6.4A ,V
GS
=0V
电气特性曲线
10000
1000
C
国际空间站
t
f
t
D(关闭)
100
栅源电压: V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容:C (PF )
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
8
Ta=25°C
7 V
DD
=15V
I
D
=14A
6 R
G
=10
脉冲
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1000
C
OSS
C
RSS
t
r
10
t
D(上)
100
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
2/3
RSS140N03
晶体管
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
100
50
Ta=25°C
脉冲
40
I
D
=14A
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=0V
脉冲
源电流:我
s
(A)
8
10
12
漏电流:我
D
(A)
10
10
1
30
I
D
=7A
1
0.1
20
0.01
10
0.1
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
2
4
6
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压: V
GS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
100
100
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4V
脉冲
10
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙ )
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙΙ )
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RSS140N03
晶体管
开关( 30V , ± 14A )
RSS140N03
特点
1)低导通电阻。
2 )内置G -S保护二极管。
3 )小和表面贴装封装( SOP8 ) 。
外形尺寸
(单位:毫米)
SOP8
(8)
5.0±0.2
(5)
6.0±0.3
3.9±0.15
Max.1.75
1.5±0.1
0.15
应用
电源开关, DC / DC变换器。
(1)Source
(2)Source
(3)Source
(4)Gate
(5)Drain
(6)Drain
(7)Drain
(8)Drain
1.27
0.4±0.1
0.1
每根导线具有相同的尺寸
结构
·硅
N沟道MOS FET
等效电路
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
2
1
(1) (2) (3) (4)
(1)Source
(2)Source
(3)Source
(4)Gate
(5)Drain
(6)Drain
(7)Drain
(8)Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端,以防止静电的二极管
电时,该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功率dissipatino
通道温度
Strage温度
1 Pw≤10μs ,职务cycle≤1 %
2安装在陶瓷板上。
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
30
20
±14
±56
1.6
6.4
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
1
1
2
0.5±0.1
(1)
(4)
0.2±0.1
1/3
RSS140N03
晶体管
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH ( CH -A )
范围
62.5
单位
°C
/ W
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
13
典型值。
4.9
6.0
6.5
3150
830
500
16
52
125
78
37
6.2
13.5
马克斯。
10
10
2.5
6.7
8.4
9.0
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=1mA
I
D
= ± 14A ,V
GS
=10V
I
D
= ± 14A ,V
GS
=4.5V
I
D
= ± 14A ,V
GS
=4V
I
D
= ± 14A ,V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 7A ,V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=2.14
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=±14A
体二极管的特性
(源极 - 漏极特性) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 6.4A ,V
GS
=0V
电气特性曲线
10000
1000
C
国际空间站
t
f
t
D(关闭)
100
栅源电压: V
GS
(V)
切换时间: T( NS )
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容:C (PF )
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
8
Ta=25°C
7 V
DD
=15V
I
D
=14A
6 R
G
=10
脉冲
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1000
C
OSS
C
RSS
t
r
10
t
D(上)
100
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
2/3
RSS140N03
晶体管
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
100
50
Ta=25°C
脉冲
40
I
D
=14A
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=0V
脉冲
源电流:我
s
(A)
8
10
12
漏电流:我
D
(A)
10
10
1
30
I
D
=7A
1
0.1
20
0.01
10
0.1
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
2
4
6
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压: V
GS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
静态漏源
通态电阻:
R
DS ( ON)
(m)
100
100
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4V
脉冲
10
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( Ι )
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙ )
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流( ΙΙΙ )
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RSS140N03
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2752732883 复制 点击这里给我发消息 QQ:240616963 复制

电话:18922887426/0755-25165869
联系人:曾先生/刘小姐
地址:深圳福田区中航路华乐大厦625室
RSS140N03
ROHM
24+
19898
SOP-8
★原装现货,低价热卖!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
RSS140N03
ROHM
24+
11880
so8
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ:1803862608 复制

电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
RSS140N03
ROHM
1504+
8600
SOP-8
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