RSS100N03
晶体管
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
62.5
单位
°C
/ W
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
6.0
典型值。
9.5
12.5
13.5
1070
320
200
10
16
55
24
14
2.7
5.3
马克斯。
10
10
2.5
13.0
17.2
18.5
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= -10A ，V
GS
=10V
I
D
= -10A ，V
GS
=4.5V
I
D
= -10A ，V
GS
=4V
I
D
= -10A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 5A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=3.0
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=±10A
体二极管的特性
（源极 - 漏极特性） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 6.4A ，V
GS
=0V
电气特性曲线
10000
电容：C （PF ）
1000
t
f
1000
C
国际空间站
栅源电压： V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
CE
=0V
10000
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
8
Ta=25°C
7 V
DD
=15V
I
D
=10A
6 R
G
=10
脉冲
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
t
D（关闭）
t
r
C
OSS
100
C
RSS
10
t
D（上）
1
0.01
10
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
2/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RSS100N03
晶体管
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
62.5
单位
°C
/ W
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
*脉冲
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
6.0
典型值。
9.5
12.5
13.5
1070
320
200
10
16
55
24
14
2.7
5.3
马克斯。
10
10
2.5
13.0
17.2
18.5
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= -10A ，V
GS
=10V
I
D
= -10A ，V
GS
=4.5V
I
D
= -10A ，V
GS
=4V
I
D
= -10A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 5A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=3.0
R
GS
=10
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=±10A
体二极管的特性
（源极 - 漏极特性） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 6.4A ，V
GS
=0V
电气特性曲线
10000
电容：C （PF ）
1000
t
f
1000
C
国际空间站
栅源电压： V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
CE
=0V
10000
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
8
Ta=25°C
7 V
DD
=15V
I
D
=10A
6 R
G
=10
脉冲
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
t
D（关闭）
t
r
C
OSS
100
C
RSS
10
t
D（上）
1
0.01
10
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
2/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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