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RSS085N05
晶体管
4V驱动N沟道MOS FET
RSS085N05
结构
硅N沟道
MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
è
ò
òì
è÷
÷
òé
特点
1 ）内置G -S保护二极管。
2 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ） 。
°·
÷
ì÷
òé
ò
应用
功率开关，直流/直流转换器，逆变器
½ - - ·-·±-
包装尺寸
½
§°
è
±
-·½ ±· · °·½-÷
°·
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
范围
V
DSS
45
V
GSS
20
I
D
±8.5
I
DP * 1
±34
I
S
1.6
I
SP * 1
34
P
D *2
2
T
ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
o
o
等效电路
è÷
é÷
ê÷
÷
è÷ é÷ ê÷ ÷
÷ ÷ í÷ ì÷
总功耗
香奈儿温度
储存温度范围
* 1 PW 10
占空比1
* 2装在一个陶瓷基板
÷
÷
í÷
ì÷
C
C
±½·± ·±ò
±§ ·±ò
÷
÷
í÷
ì÷
÷
ê÷
é÷
è÷
±½
±½
±½
·
·
·
·
°±½·± ·± ·- ·½
-±½ ·- ± °±½ ·±
·- -·½ ½·½·§ °±½ ·- ·
-ò- °±½·± ½·½· ·¨
± ¨½ò
热阻
参数
香奈儿到环境
*安装在陶瓷基板
符号
R
第（ CH-A ） *
范围
62.5
单位
o
C / W
1/4
RSS085N05
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
§±
ó-±½
×
·ó-±½ ± ±
÷
± ± · ½
×
-± ±
÷
·½ ·ó-±½ ±ó-
-·-½
± - ·½
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° ½°½·½
- - ½°½·½
ó± § ·
·- ·
ó± § ·
·
± ½
ó-±½
½
ó·
½
-
±÷
-
·--
±--
--
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±÷
-
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–
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–
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–
–
–
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–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
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–
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–
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–
í
é
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–
ò
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í
–
–
–
–
–
–
–
–
òì
–
–
·
k
k
°
°
°
-
-
-
-
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×
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×
×
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×
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×
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×
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ò
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （TA = 25℃ ）
± ±
-
§±
·ò
–
§°ò
–
¨ò
ò
·
±··±-
×
èò
2/4
RSS085N05
晶体管
电气特性曲线
10
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
1000
V
GS
=10V
脉冲
TA = 125℃
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
o
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
1
100
100
0.1
10
10
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
0.01
1
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
栅源电压： V
GS
[V]
漏电流：我
D
[A]
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 1 ）
图3静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 2 ）
1000
V
GS
=4V
脉冲
TA = 125℃
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
o
200
Ta=25
o
C
脉冲
10
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
V
GS
=0V
脉冲
150
100
1
100
I
D
=8.5A
0.1
10
50
I
D
=4.75A
0.01
1
0.01
0
0.1
1
10
0
3
6
9
12
15
漏电流：我
D
[A]
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
栅源电压： V
GS
[V]
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 3 ）
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
10000
图6源电流 -
源 - 漏电压
10000
TA = 25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
o
10
Ta=25
o
C
V
DD
=25V
V
GS
=10V
tf
R
G
=10
脉冲
TA = 25℃
V
DD
=25V
I
D
=8.5A
R
G
=10
脉冲
o
西塞
1000
1000
科斯
100
TD （关闭）
TD （上）
5
100
CRSS
10
tr
10
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
0
0
5
10
15
20
25
30
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图7典型的电容与
源 - 漏电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RSS085N05
晶体管
测量电路
- ·
×
òòò
±÷
±
±÷
±
·ò ·½· · - ·½·
·ò ·½· · ±-
×
×
±-ò÷
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-
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4/4
附录
±-
± ½·½ ½± °- ± ·- ±½ § °±½ · § ± ± -· § §
- ·± °·± °·--·± ± òò
½±- -½· · -½ ± ½ ·± ±·½ò -°½··½·±- ±
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½·· °± ½·½· ½±-- · -ò
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· ±§ - ·-·±- ± -½ ·½- ± - -°½··½·±- ± -½ ·½-ò
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± - ± -½ ·½-ò
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± ¨°± ±± · °
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× ½- ± ¨°± ± ° °- ½±· · · °°·- ± ±½· ½·· ± ·± § ×× ½-÷
± -·- ± ½½ ½±±- ± ±ó±··± ± °±- ± -- -½·±ò
Appendix1-Rev1.1
RSS085N05
晶体管
4V驱动N沟道MOS FET
RSS085N05
结构
硅N沟道
MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
è
ò
òì
è÷
÷
òé
特点
1 ）内置G -S保护二极管。
2 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ） 。
°·
÷
ì÷
òé
ò
应用
功率开关，直流/直流转换器，逆变器
½ - - ·-·±-
包装尺寸
½
§°
è
±
-·½ ±· · °·½-÷
°·
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
范围
V
DSS
45
V
GSS
20
I
D
±8.5
I
DP * 1
±34
I
S
1.6
I
SP * 1
34
P
D *2
2
T
ch
150
T
英镑
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
o
o
等效电路
è÷
é÷
ê÷
÷
è÷ é÷ ê÷ ÷
÷ ÷ í÷ ì÷
总功耗
香奈儿温度
储存温度范围
* 1 PW 10
占空比1
* 2装在一个陶瓷基板
÷
÷
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C
C
±½·± ·±ò
±§ ·±ò
÷
÷
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ì÷
÷
ê÷
é÷
è÷
±½
±½
±½
·
·
·
·
°±½·± ·± ·- ·½
-±½ ·- ± °±½ ·±
·- -·½ ½·½·§ °±½ ·- ·
-ò- °±½·± ½·½· ·¨
± ¨½ò
热阻
参数
香奈儿到环境
*安装在陶瓷基板
符号
R
第（ CH-A ） *
范围
62.5
单位
o
C / W
1/4
RSS085N05
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
§±
ó-±½
×
·ó-±½ ± ±
÷
± ± · ½
×
-± ±
÷
·½ ·ó-±½ ±ó-
-·-½
± - ·½
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° ½°½·½
- - ½°½·½
ó± § ·
·- ·
ó± § ·
·
± ½
ó-±½
½
ó·
½
-
±÷
-
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±--
--
±÷
±÷
-
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–
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–
–
–
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–
–
–
–
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–
–
–
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–
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–
–
–
–
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–
–
·
k
k
°
°
°
-
-
-
-
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×
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×
×
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×
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ìò
×
èò
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×
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×
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ò
体二极管的特性
（源极 - 漏极） （TA = 25℃ ）
± ±
-
§±
·ò
–
§°ò
–
¨ò
ò
·
±··±-
×
èò
2/4
RSS085N05
晶体管
电气特性曲线
10
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
1000
V
GS
=10V
脉冲
TA = 125℃
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
o
1000
V
GS
=4.5V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
1
100
100
0.1
10
10
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
0.01
1
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
栅源电压： V
GS
[V]
漏电流：我
D
[A]
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 1 ）
图3静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 2 ）
1000
V
GS
=4V
脉冲
TA = 125℃
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
o
200
Ta=25
o
C
脉冲
10
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
V
GS
=0V
脉冲
150
100
1
100
I
D
=8.5A
0.1
10
50
I
D
=4.75A
0.01
1
0.01
0
0.1
1
10
0
3
6
9
12
15
漏电流：我
D
[A]
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
栅源电压： V
GS
[V]
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ 3 ）
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
10000
图6源电流 -
源 - 漏电压
10000
TA = 25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
o
10
Ta=25
o
C
V
DD
=25V
V
GS
=10V
tf
R
G
=10
脉冲
TA = 25℃
V
DD
=25V
I
D
=8.5A
R
G
=10
脉冲
o
西塞
1000
1000
科斯
100
TD （关闭）
TD （上）
5
100
CRSS
10
tr
10
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
1
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
0
0
5
10
15
20
25
30
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
图7典型的电容与
源 - 漏电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
3/4
RSS085N05
晶体管
测量电路
- ·
×
òòò
±÷
±
±÷
±
·ò ·½· · - ·½·
·ò ·½· · ±-
×
×
±-ò÷
òòò
-
·ò - ·½·
·òí ±
4/4
附录
±-
± ½·½ ½± °- ± ·- ±½ § °±½ · § ± ± -· § §
- ·± °·± °·--·± ± òò
½±- -½· · -½ ± ½ ·± ±·½ò -°½··½·±- ±
°±½ -½· · ·- ±½ ± ½ ±§ò °± ½ - ± °- -
-°½··½·±- ± -°§ ·ò
°°·½·± ½·½· ·- ½·½· ½±-- ½±· · -± - ¨°- ± -
- ±°·±ò - °§ ½ ·± ± °·° ½±··±- -·· ½·½·-
½·· °± ½·½· ½±-- · -ò
§ ·½· ± ·· ± °°·½·± ½·½· ·- ·±·± -½· ·
· ±§ - ·-·±- ± -½ ·½- ± - -°½··½·±- ± -½ ·½-ò
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· °§ù- ·½ °±°§ ·- ± ± °±°·§ ·- --- ± ···§ ±
-± · ± § -½ ·· ± ·-· ± ± ½±½ · ±
± - ± -½ ·½-ò
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-½ - ·± ·- ·° ±·½ó±·± ·° ½±·½·±- ·½- ½·½
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± §± · ± - - °±½- · ·° ± ·½- ·½ · ¨§ · ±
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-§ ·½-÷ °- - ± ½±- · ± -- °-· · ½ò
± ¨°± ±± · °
±½- -½· · ±½- ± ½±± ±±- · ¨ × ê÷ ± ¨°± ±±
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× ½- ± ¨°± ± ° °- ½±· · · °°·- ± ±½· ½·· ± ·± § ×× ½-÷
± -·- ± ½½ ½±±- ± ±ó±··± ± °±- ± -- -½·±ò
Appendix1-Rev1.1
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RFP15P05
RFP-250250N6Z50-2
REC5-1209SRWZH4
RX1005
RN5VS23CC
RK-1212D
R5510H014K
R5F2L368CNFA
RF3396
RF3110PCBA
R3580
RH4573
REC3-4805DRWH4
RC48F4400P0XBV0
RAA05102J
ROM-3.315SP
REF3325ATDD1
RT9198-1HGJ5
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