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RSS060P05

晶体管

4V驱动P沟道MOS FET

RSS060P05

结构

硅P沟道

MOS FET

外形尺寸

（单位：毫米）

SOP8

5.0

0.4

(8)

(5)

1.75

特点

1 ）内置G -S保护二极管。

2 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ）。

1PIN MARK

(1)

(4)

3.9

6.0

1.27

0.2

应用

功率开关，直流/直流转换器，逆变器

每根导线具有相同的尺寸

包装尺寸

包

TYPE

RSS060P05

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

范围

DSS

-45

GSS

±20

±6.0

DP * 1

±24

-1.6

SP * 1

-24

D *2

150

英镑

-55到+150

单位

等效电路

(8)

(7)

(6)

(5)

（ 1 ）资料来源

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）资料来源

（ 4 ）门

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

（ 7 ）排水

（ 8 ）漏

总功耗

香奈儿温度

储存温度范围

*1 PW≤10½、Duty cycle≤1%

* 2装在一个陶瓷基板

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

热阻

参数

香奈儿到环境

*安装在陶瓷基板

符号

第（ CH-A ） *

范围

62.5

单位

C / W

0.4Min.

1/4

RSS060P05

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

参数

符号

栅源漏

GSS

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

*脉冲

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

8.0

典型值。

2700

360

230

100

23.0

6.6

8.0

马克斯。

±10

2.5

32.2

单位

条件

=±20V, V

=0V

1mA,

=0V

45V,

=0V

10V,

1mA

6A,

10V

6A,

4.5V

6A,

4.0V

10V,

10V

=0V

f=1MHz

3.0A

10V

=8.3

=10

25V

6.0A

=4.2

=10

体二极管的特性

（源极 - 漏极）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

6A,

=0V

2/4

RSS060P05

晶体管

电气特性曲线

= -10V

脉冲

1000

= -10V

脉冲

1000

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

Ta=125

-25

= -4.5V

脉冲

Ta=125

-25

漏Currnt ： -I

[A]

Ta=125

　　-25

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

100

0.1

0.01

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

漏电流： -I

[A]

栅源电压： -V

[V]

图1典型的传输特性

图2静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 1 ）

图3静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 2 ）

1000

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

= -4V

脉冲

Ta=125

-25

200

Ta=25

脉冲

=0V

脉冲

100

源电流： -Is [ A]

150

100

= -6.0A

Ta=125

-25

0.1

= -3.0A

0.01

0.1

栅源电压： -V

[V]

漏电流： -I

[A]

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

源极 - 漏极电压： -V

[V]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 3 ）

图5静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

图6源电流 -

源 - 漏电压

10000

西塞

10000

Ta=25

VDD = -25V

VGS = -10V

RG=10

脉冲

栅源电压： -V

[V]

1000

科斯

切换时间： T [ NS ]

电容： C [ pF的]

1000

Ta=25

= -25V

= -6.0A

=10

脉冲

100

TD （关闭）

TD （上）

100

Ta=25

f=1MHz

=0V

CRSS

0.1

100

漏源电压： -V

[V]

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图7典型的电容与

源 - 漏电压

图8的开关特性

图9动态输入特性

3/4

RSS060P05

晶体管

测量电路

D.U.T.

10%

90%

10%

D（关闭）

关闭

10%

D（上）

图10开关时间测试电路

图11开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图12栅极电荷测试电路

图13栅极电荷波形

4/4

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1