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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第308页 > RSR030N06
4V驱动N沟道MOSFET
RSR030N06
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TSMT3
1.0MAX
2.9
0.4
(3)
0.85
0.7
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
缩写符号: PY
应用
开关
内部电路
(3)
包装规格
TYPE
RSR030N06
1
ESD保护二极管
2
体二极管
(2)
2
TAPING
TL
3000
(1)
1
CODE
基本订购单位(件)
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
当安装在陶瓷基板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
60
±20
±3
±12
0.8
12
1.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
当安装在陶瓷基板
符号
RTH ( CH -A )
范围
125
单位
° C / W
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0.3~0.6
特点
1)低导通电阻。
2 )小型表面贴装封装( TSMT3 ) 。
1.6
2.8
0~0.1
1/4
2009.04 - Rev.A的
RSR030N06
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
数据表
分钟。
60
1.0
2.1
典型值。
60
70
75
380
95
45
8
12
30
10
5.0
1.6
1.4
马克斯。
±
10
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
1
2.5
85
100
105
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 4.5V
I
D
= 3A ,V
GS
= 4V
V
DS
= 10V ,我
D
= 3A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
30V
I
D
= 1.5A
V
GS
= 10V
R
L
20
R
G
=10
R
L
10
V
DD
30V
R
G
=10
I
D
= 3A
V
GS
= 5V
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 3A ,V
GS
=0V
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2009.04 - Rev.A的
RSR030N06
电气特性曲线
6
5
漏电流:我
D
[A]
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
= 2.2V
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 2.2V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 2.8V
V
GS
= 2.5V
10
数据表
Ta=25°C
脉冲
漏电流:我
D
[A]
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 2.8V
V
GS
= 2.5V
Ta=25°C
脉冲
漏电流:我
D
[A]
V
DS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
漏源电压: V
DS
[V]
图1典型的输出特性( Ⅰ )
漏源电压: V
DS
[V]
图2典型的输出特性( Ⅱ )
栅源电压: V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
TA = 25℃
脉冲
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
1000
1000
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
100
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流:I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
漏电流:I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
漏电流:I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
1000
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA = -25C
反向漏电流:是[ A]
正向传递
导纳: | YFS | [S ]
V
GS
= 4.0V
脉冲
V
DS
= 10V
脉冲
10
V
GS
=0V
脉冲
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
100
1
TA = -25C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
10
0.01
0.1
1
10
0.1
0.01
0.01
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
漏电流:I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
漏电流:I
D
[A]
图8正向转移导纳
与漏电流
源极 - 漏极电压: V
SD
[V]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
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2009.04 - Rev.A的
RSR030N06
数据表
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
250
200
150
100
50
0
0
5
10
I
D
= 3.0A
I
D
= 1.5A
1000
栅源电压: V
GS
[V]
切换时间: T [ NS ]
Ta=25°C
脉冲
t
d
(关闭)
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 30V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
Ta=25°C
V
DD
= 30V
I
D
= 3.0A
R
G
=10
脉冲
8
10
10
t
r
1
10
t
d
(上)
1
15
20
0.01
0.1
栅源电压: V
GS
[V]
图10静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流:I
D
[A]
图11开关特性
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图12动态输入特性
1000
电容: C [ pF的]
西塞
100
CRSS
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10
0.01
0.1
1
10
100
科斯
漏源电压: V
DS
[V]
图13典型电容
与漏源电压
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
t
D(上)
t
on
t
r
90%
50%
10%
90%
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G(常量)。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
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2009.04 - Rev.A的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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R0039A
RSR030N06
N沟道60V 3A电源MOSFET
lOutline
数据表
V
DSS
R
DS ( ON)
( MAX 。 )
I
D
P
D
lFeatures
1 )低导 - 性。
2 )内置G -S保护二极管。
60V
85mW
3A
1W
TSMT3
(3)
(1)
(2)
lInner
电路
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
3 )小型表面贴装封装( TSMT3 ) 。
4)无铅镀铅;符合RoHS标准
*1
ESD保护二极管
*2
体二极管
lPackaging
特定网络阳离子
包装
lApplication
DC / DC转换器
TYPE
卷尺寸(mm )
胶带宽度(mm)
基本订购单位(个)
大坪码
记号
lAbsolute
最大额定值(T
a
= 25°C)
参数
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
DSS
I
D *1
I
D,脉冲
V
GSS
P
D *3
P
D *4
T
j
T
英镑
*2
TAPING
180
8
3,000
TL
PY
价值
60
3
12
20
1.0
0.54
150
-55
to
+150
单位
V
A
A
V
W
W
°C
°C
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2012.06 - Rev.B的
RSR030N06
lThermal
阻力
参数
热阻,结 - 环境
热阻,结 - 环境
符号
R
thJA * 3
R
thJA * 4
分钟。
-
-
典型值。
-
-
数据表
马克斯。
125
231
单位
° C / W
° C / W
lElectrical
特性(T
a
= 25°C)
参数
漏极 - 源极击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
符号
条件
分钟。
60
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 1毫安
V
ΔV
( BR ) DSS
I
D
= 1毫安
ΔT
j
参考25 ℃下
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
ΔV
( GS )个
ΔT
j
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安
参考25 ℃下
V
GS
= 10V ,我
D
=3A
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
2.1
67
-
-
-
-4.4
60
70
75
110
5
5.5
-
1
10
2.5
-
85
100
105
154
-
-
毫伏/°C的
mA
mA
V
毫伏/°C的
静态漏 - 源
上 - 通电阻
R
DS ( ON)
*5
V
GS
= 4.5V ,我
D
=3A
V
GS
= 4.0V ,我
D
=3A
V
GS
= 10V ,我
D
= 3A ,T
j
=125°C
mW
门输入resistannce
R
G
g
FS * 5
F = 1MHz时,漏极开路
V
DS
= 10V ,我
D
= 9A
W
S
* 1仅受最高温度允许的。
* 2 P W
为10ms ,占空比
1%
* 3装在一个陶瓷基板(30 ×30× 0.8毫米)
* 4安装在FR4 ( 12 × 20 × 0.8毫米)
* 5脉冲
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2012.06 - Rev.B的
RSR030N06
lElectrical
特性(T
a
= 25°C)
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上) * 5
t
r *5
t
D(关闭)
t
f *5
*5
数据表
条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
F = 1MHz的
V
DD
30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.5A
R
L
= 20W
R
G
= 10W
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
380
95
45
8
12
30
10
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
ns
LGATE
充电特性(T
a
= 25°C)
参数
符号
条件
V
DD
30V ,我
D
= 3A
V
GS
= 5V
V
DD
30V ,我
D
= 3A
V
GS
= 10V
V
DD
30V ,我
D
= 3A
V
GS
= 5V
分钟。
-
典型值。
5.0
马克斯。
-
单位
总栅极电荷
Q
g *5
-
-
-
9.0
1.6
1.4
18
-
-
nC
栅 - 源费
门 - 漏极电荷
Q
GS * 5
Q
GD * 5
lBody
二极管的电气特性
(源极 - 漏极) (T
a
= 25°C)
参数
逆二极管连续的,
正向电流
正向电压
符号
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.8
1.2
单位
I
S
*1
T
a
= 25°C
V
GS
= 0V时,我
s
= 3A
A
V
V
SD
*5
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2012.06 - Rev.B的
RSR030N06
lElectrical
特性曲线
数据表
图1耗散功率降额曲线
120
图2最大安全工作区
100
在这一领域
由R有限公司
DS
(上)
(V
GS
= 10V )
P
W
= 100μs
功耗: P
D
/P
D
最大。 [%]
100
10
漏电流:我
D
[A]
80
60
40
20
0
1
P
W
为1ms
P
W
= 10ms的
直流操作
0.1
0
50
100
150
200
0.01
T
a
=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
0.1
1
10
100
结温: TJ [° C]
漏 - 源极电压: V
DS
[V]
图3归瞬态热
电阻与脉冲宽度
归瞬态热电阻值:R
(t)
10
T
a
=25°C
单脉冲
1
顶部
D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
底部Signlep
Rth(ch-a)=125°C/W
第r ( CH-A )(吨)= R( t)的×的Rth (声道-a)的
安装在陶瓷板上
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
图4单脉冲最大完全功耗
1000
T
a
=25°C
单脉冲
100
0.1
瞬态峰值功率: P( W)
10
0.01
1
0.001
0.0001
0.01
1
100
0.1
0.0001
0.01
1
100
脉冲宽度:P
W
[s]
脉冲宽度:P
W
[s]
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2012.06 - Rev.B的
RSR030N06
lElectrical
特性曲线
数据表
图5典型的输出特性( I)
6
5
T
a
=25°C
脉冲
图6典型的输出特性( II )
6
5
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 2.8V
T
a
=25°C
脉冲
漏电流:我
D
[A]
漏电流:我
D
[A]
4
3
2
1
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