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RSR015P03
晶体管
4V驱动P沟道MOS FET
RSR015P03
结构
硅P沟道MOS场效应管
外形尺寸
（单位：毫米）
í
ò
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特点
1 ）低导通电阻
2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ）
3 ） 4V的驱动器
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应用
开关
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包装规格
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内部电路
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绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
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RSR015P03
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
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附录
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Appendix1-Rev1.1
RSR015P03
晶体管
4V驱动P沟道MOS FET
RSR015P03
结构
硅P沟道MOS场效应管
外形尺寸
（单位：毫米）
í
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特点
1 ）低导通电阻
2 ）节省空间的小型表面贴装封装（ TSMT3 ）
3 ） 4V的驱动器
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应用
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绝对最大额定值
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RSR015P03
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
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Appendix1-Rev1.1
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