【4V驱动N沟道MOSFETRSH125N03Structure硅N沟道MOSFET■特点1）低导通电】,IC型号RSH125N03,RSH125N03 PDF资料,RSH125N03经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动N沟道MOSFET

RSH125N03

Structure

硅N沟道MOSFET

■特点

1）低导通电阻。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

●应用

电源开关， DC / DC变换器。

每根导线具有相同的尺寸

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

RSH125N03

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

Inner

电路

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

(1) (2) (3) (4)

（ 1 ）资料来源

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）资料来源

（ 4 ）门

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

（ 7 ）排水

（ 8 ）漏

“绝对

最大额定值

(Ta=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

总功耗

通道温度

储存温度

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

2安装在陶瓷板上。

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

范围

±12.5

±50

1.6

6.4

150

单位

°C

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

保护二极管被包含在栅极和间

源端，以防止静电的二极管

电时，该产品在使用中。使用保护

当固定电压超过电路。

热

阻力

参数

渠道环境

安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

62.5

单位

°C

/ W

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○

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2009.12 - Rev.A的

RSH125N03

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25C)

参数

符号

分钟。

1.0

典型值。

6.5

8.6

9.3

1670

470

270

4.2

8.0

马克斯。

2.5

9.1

12.1

13.1

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

数据表

单位

μA

mΩ

条件

=20V,

=0V

=1mA,

=0V

=30V,

=0V

=10V,

=1mA

=12.5A,

=10V

=12.5A,

=4.5V

=12.5A,

=4V

=12.5A,

=10V

=0V

f=1MHz

=6.25A,

15V

=10V

=2.40Ω

=10Ω

15V

=5V

=12.5A

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

=6.4A,

=0V

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○

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2009.12 - Rev.A的

RSH125N03

ⅵELECTRICAL

特性曲线

10000

数据表

100

栅源电压： V

(V)

切换时间： T（ NS ）

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

1000

电容：C （PF ）

Ta=25°C

=15V

=10V

=10Ω

脉冲

Ta=25°C

9 V

=15V

=12.5A

=10Ω

7脉冲

国际空间站

1000

D（关闭）

D（上）

OSS

RSS

100

0.01

0.1

100

0.1

100

漏源电压： V

(V)

漏电流：我

(A)

总栅极电荷：的Qg （ NC ）

图1典型电容

与漏源电压

图2开关特性

图3动态输入特性

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(mΩ)

100

=10V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

Ta=25°C

脉冲

100

=0V

脉冲

漏电流：我

(A)

源电流：我

(A)

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

=12.5A

=6.25A

0.1

0.01

0.1

0.001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

栅源电压： V

(V)

栅源电压： V

(V)

源极 - 漏极电压： V

(V)

图4典型的传输特性

图5静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

图6源电流和

源 - 漏电压

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(mΩ)

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(mΩ)

=10V

脉冲

=4.5V

脉冲

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

(mΩ)

1000

=4V

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

图7静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ Ι ）

图8静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙ ）

图9静态漏源

导通状态电阻

与漏电流（ ΙΙΙ ）

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○

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2009.12 - Rev.A的

通告

笔记

没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不

ROHM有限公司的同意。

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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益

其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷

使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外

范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗

仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何

这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。

如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可

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