【4V驱动P沟道MOSFETRSH070P05Structure硅P沟道MOSFET■特点1 ）内置G】,IC型号RSH070P05TB1,RSH070P05TB1 PDF资料,RSH070P05TB1经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动P沟道MOSFET

RSH070P05

Structure

硅P沟道MOSFET

■特点

1 ）内置G -S保护二极管。

2 ）小和表面贴装封装（ SOP8 ）。

●应用

功率开关，直流/直流转换器，逆变器

每根导线具有相同的尺寸

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

RSH070P05

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

Inner

电路

(8)

(7)

(6)

(5)

“绝对

最大额定值

(Ta=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

范围

DSS

-45

GSS

±20

±7.0

DP * 1

±28

-1.6

SP * 1

-28

D *2

150

英镑

-55到+150

单位

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

（ 1 ）资料来源

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）资料来源

（ 4 ）门

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

（ 7 ）排水

（ 8 ）漏

总功耗

香奈儿温度

储存温度范围

* 1 PW10 ＆ frac12 ; ，职务cycle1

* 2装在一个陶瓷基板

热

阻力

参数

香奈儿到环境

*安装在陶瓷基板

符号

第（ CH-A ） *

范围

62.5

单位

C / W

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○

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2009.12 - Rev.A的

RSH070P05

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25C)

参数

符号

分钟。

典型值。

4100

510

330

135

34.0

9.5

马克斯。

±10

2.5

47.6

栅源漏

GSS

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

DSS

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

GS （ TH）

1.0

静态漏源导通状态

DS （ ON）

阻力

10.0

正向转移导纳

国际空间站

输入电容

OSS

输出电容

RSS

反向传输电容

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

数据表

单位

μA

mΩ

条件

=±20V, V

=0V

1mA,

=0V

45V,

=0V

10V,

1mA

7A,

10V

7A,

4.5V

7A,

4.0V

10V,

10V

=0V

f=1MHz

3.5A

10V

=7Ω

=10Ω

25V

=3.5Ω

=10Ω

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

7A,

=0V

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○

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RSH070P05

ⅵELECTRICAL

特性曲线

VDS = -10V

脉冲

数据表

1000

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

= -10V

脉冲

Ta=125

-25

1000

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

= -4.5V

脉冲

Ta=125

-25

漏Currnt ： -ID [ A]

Ta=125

　　-25

100

0.1

0.01

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

漏电流： -I

[A]

栅源电压： -V

[V]

图1典型的传输特性

图2静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 1 ）

图3静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 2 ）

1000

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

静态漏源导通状态

电阻R

（上） [毫欧]

= -4V

脉冲

Ta=125

-25

200

Ta=25

脉冲

源电流： -Is [ A]

=0V

脉冲

Ta=125

-25

150

100

= -7.0A

0.1

= -3.5A

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

栅源电压： -V

[V]

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

源极 - 漏极电压： -V

[V]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 3 ）

图5静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

图6源电流 -

源 - 漏电压

10000

栅源电压： -V

[V]

Ta=25

= -25V

= -10V

=10

脉冲

Ta=25

= -25V

= -7.0A

=10

脉冲

西塞

电容： C [ pF的]

1000

科斯

切换时间： T [ NS ]

1000

TD （关闭）

TD （上）

100

TA = 25℃

f=1MHz

=0V

CRSS

0.1

100

漏源电压： -V

[V]

0.01

0.1

漏电流： -I

[A]

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图7典型的电容与

源 - 漏电压

图8的开关特性

图9动态输入特性

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○

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RSH070P05

Measurement

电路

D.U.T.

数据表

10%

90%

10%

D（关闭）

关闭

10%

D（上）

图10开关时间测试电路

图11开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图12栅极电荷测试电路

图13栅极电荷波形

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通告

笔记

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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益

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使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

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范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

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仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

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