【4V驱动N沟道MOSFETRSH070N05Structure硅N沟道MOSFET■特点1 ）内置G】,IC型号RSH070N05,RSH070N05 PDF资料,RSH070N05经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动N沟道MOSFET

RSH070N05

Structure

硅N沟道MOSFET

■特点

1 ）内置G -S保护二极管。

2 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

●应用

功率开关，直流/直流转换器，逆变器

每根导线具有相同的尺寸

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

RSH070N05

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

Inner

电路

(8) (7) (6) (5)

(8)

(7)

(6)

(5)

(2)

(3)

(4)

(1) (2) (3) (4)

“绝对

最大额定值

(Ta=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

英镑

总功耗

香奈儿温度

储存温度范围

* 1 PW

，占空比

* 2装在一个陶瓷基板

范围

±7.0

±28

1.6

150

-55到+150

单位

(1)

ESD保护二极管。

体

二极管。

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

来源

门

漏

保护二极管包括栅极之间

和源极端，保护二极管

防止当产品在静电

use.Use保护电路的固定时

电压超标。

热

阻力

参数

香奈儿到环境

*安装在陶瓷基板

符号

第（章-a）的

范围

62.5

单位

C / W

www.rohm.com

○

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2009.12 - Rev.A的

RSH070N05

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25C)

参数

符号

分钟。

1.0

6.0

典型值。

1000

230

125

12.0

3.0

4.6

马克斯。

2.5

16.8

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

数据表

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

单位

μA

mΩ

条件

=20V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

= 45V, V

=0V

= 10V ，我

= 1毫安

= 7A ，V

= 10V

= 7A ，V

= 4.5V

= 7A ，V

= 4.0V

= 10V ，我

= 7A

= 10V

=0V

f=1MHz

25V

= 3.5A

= 10V

=7.1Ω

=10Ω

25V V

= 5V

= 7A

=3.6Ω R

=10Ω

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

－

典型值。

－

马克斯。

1.2

单位

条件

=1.6A/V

=0V

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○

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2009.12 - Rev.A的

RSH070N05

ⅵELECTRICAL

特性曲线

=10V

脉冲

Ta=125

-25

数据表

1000

静态漏源导通状态

电阻R

DS （ ON）

[m]

1000

100

静态漏源导通状态

电阻R

DS （ ON）

[m]

=10V

脉冲

漏电流：我

[A]

TA = 125℃

-25

=4.5V

脉冲

100

Ta=125

-25

0.1

0.01

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

栅源电压： V

[V]

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

漏电流：我

[A]

图1典型的传输特性

图2静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 1 ）

图3静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 2 ）

1000

静态漏源导通状态

电阻R

DS （ ON）

]

静态漏源导通状态

电阻R

DS （ ON）

]

=4V

脉冲

源电流：是[ A]

100

Ta=125

-25

100

Ta=25

脉冲

=0V

脉冲

Ta=125

-25

=7.0A

0.1

=3.5A

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

栅源电压： V

[V]

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

源极 - 漏极电压： V

[V]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ 3 ）

图5静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

10000

图6源电流 -

源 - 漏电压

10000

Ta=25

f=1MHz

=0V

国际空间站

切换时间： T [ NS ]

1000

100

Ta=25

=25V

=10V

Ta=25

9 V

=25V

8 I

=7A

=10

脉冲

1000

OSS

100

RSS

D（关闭）

D（上）

0.01

0.1

漏源电压： V

[V]

100

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

栅源电压： V

[V]

电容： C [ pF的]

=10

脉冲

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图7典型的电容与

源 - 漏电压

图8的开关特性

图9动态输入特性

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○

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2009.12 - Rev.A的

RSH070N05

Measurement

电路

脉冲宽度

数据表

D.U.T.

50%

10%

90%

50%

10%

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

90%

图10开关时间测试电路

图11开关时间波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图12栅极电荷测试电路

图13栅极电荷波形

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2009.12 - Rev.A的

通告

笔记

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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中

"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含

示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。

但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害

信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。

本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和

为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或

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使用这样的技术信息。

本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子

设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

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范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

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仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

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这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。

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