RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
东芝THYRISITOR硅平面型
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
小功率开关和控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
塑料模具类型
l
减少零件和制造的产品数量
的过程，因为内置的R
GK
: R
GK
=
1k,
2.7k, 5.1k
（典型值）
: V
DRM
= 400V
: V
RRM
= 400V
: I
T（ AV ）
= 500毫安
最大额定值
特征
RSF05G11P
重复峰值
断态电压和
RSF05G13P
重复峰值
反向电压
RSF05G15P
非重复性峰值
反向电压
（非Repetitive<
为5ms ， TJ = 0 125°C ）
RSF05G11P
RSF05G13P
RSF05G15P
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
符号
等级
400
单位
V
DRM
V
RRM
400
400
500
V
V
帝斯曼
500
500
500
800
9 （ 50赫兹）
10 （ 60赫兹）
0.4
10
0.1
0.01
3.5
5
125
40~125
40~125
V
平均通态电流
（半正弦波）
均方根通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
储存温度
2
mA
mA
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.2克
TO92
SC43
135A1A
等效电路
注意：
di / dt的测试条件，我
G
= 5毫安，T
gw
= 10微秒，T
gr
≤
250ns
1
2001-07-10
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
RSF05G11P
门极触发
当前
RSF05G13P
RSF05G15P
RSF05G11P
保持电流
RSF05G13P
RSF05G15P
RSF05G11P
之间的电阻
门极和阴极
RSF05G13P
RSF05G15P
临界速度
关国家的崛起
电压
栅极导通时间
热
阻力
交界处领导
结到环境
RSF05G11P
RSF05G13P
RSF05G15P
t
gt
R
日（J
)
R
号（j -a）的
V
D
=额定，我
G
= 5毫安
DC
dv / dt的
V
DRM
=额定
指数上升
R
GK
―
I
H
I
TM
= 1A ，V
D
= 6V
I
GT
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
V
D
= 6V ，R
L
= 100
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 1A
民
―
―
0.4
400
150
80
―
―
―
700
1890
3570
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
700
250
160
―
―
―
1000
2700
5100
200
70
40
―
―
―
最大
10
1.5
0.8
1000
400
250
6
3
2
1300
3510
6630
―
―
―
1.5
40
180
s
C / W
V / μs的
mA
A
单位
A
V
V
记号
例如：它是RSF05G1-1P的标记
2
2001-07-10
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
3
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RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
4
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RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
5
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RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
东芝THYRISITOR硅平面型
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
小功率开关和控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
塑料模具类型
l
减少零件和制造的产品数量
的过程，因为内置的R
GK
: R
GK
=
1k,
2.7k, 5.1k
（典型值）
: V
DRM
= 400V
: V
RRM
= 400V
: I
T（ AV ）
= 500毫安
最大额定值
特征
RSF05G11P
重复峰值
断态电压和
RSF05G13P
重复峰值
反向电压
RSF05G15P
非重复性峰值
反向电压
（非Repetitive<
为5ms ， TJ = 0 125°C ）
RSF05G11P
RSF05G13P
RSF05G15P
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
符号
等级
400
单位
V
DRM
V
RRM
400
400
500
V
V
帝斯曼
500
500
500
800
9 （ 50赫兹）
10 （ 60赫兹）
0.4
10
0.1
0.01
3.5
5
125
40~125
40~125
V
平均通态电流
（半正弦波）
均方根通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
储存温度
2
mA
mA
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.2克
TO92
SC43
135A1A
等效电路
注意：
di / dt的测试条件，我
G
= 5毫安，T
gw
= 10微秒，T
gr
≤
250ns
1
2001-07-10
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
RSF05G11P
门极触发
当前
RSF05G13P
RSF05G15P
RSF05G11P
保持电流
RSF05G13P
RSF05G15P
RSF05G11P
之间的电阻
门极和阴极
RSF05G13P
RSF05G15P
临界速度
关国家的崛起
电压
栅极导通时间
热
阻力
交界处领导
结到环境
RSF05G11P
RSF05G13P
RSF05G15P
t
gt
R
日（J
)
R
号（j -a）的
V
D
=额定，我
G
= 5毫安
DC
dv / dt的
V
DRM
=额定
指数上升
R
GK
―
I
H
I
TM
= 1A ，V
D
= 6V
I
GT
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
V
D
= 6V ，R
L
= 100
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 1A
民
―
―
0.4
400
150
80
―
―
―
700
1890
3570
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
700
250
160
―
―
―
1000
2700
5100
200
70
40
―
―
―
最大
10
1.5
0.8
1000
400
250
6
3
2
1300
3510
6630
―
―
―
1.5
40
180
s
C / W
V / μs的
mA
A
单位
A
V
V
记号
例如：它是RSF05G1-1P的标记
2
2001-07-10
RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
3
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RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
4
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RSF05G11P,RSF05G13P,RSF05G15P
5
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