RSE002P03
晶体管
电气特性曲线
100
栅源电压:
V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
8
Ta=25°C
V
DD
=
15V
V
GS
=
10V
R
G
=10
脉冲
电容:C (PF )
7
I
D
=
250mA
R
G
=10
Ta=25°C
V
DD
=
15V
西塞
切换时间: T( NS )
tf
6
脉冲
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
TD (关闭)
10
10
TD (上)
tr
CRSS
科斯
1
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压:
V
DS
(V)
1
0.01
0.1
1
漏电流:
I
D
(A)
总栅极电荷:的Qg ( NC )
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
1
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
(m)
Ta=25°C
脉冲
15
I
D
=
250mA
反向漏电流:
I
DR
(A)
V
DS
=
10V
脉冲
20
1
V
GS
= 0V
脉冲
漏电流:
I
D
(A)
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
10
0.1
0.01
I
D
=
125mA
5
0.001
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
栅源电压:
V
GS
(V)
栅源电压:
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压:
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6反向漏电流 -
源 - 漏电压
10
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
V
GS
=
10V
脉冲
10
V
GS
=
4.5V
脉冲
10
V
GS
=
4V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1
1
1
0.1
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
漏电流:
I
D
(A)
图7静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
Ι
)
图8静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙ
)
图9静态漏源
通态电阻VS.
漏极电流(
ΙΙΙ
)
Rev.A的
3/4
附录
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电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
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交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
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订单在日本。
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对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1