【4V驱动N沟道MOSFETRSD050N10Structure硅N沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）】,IC型号RSD050N10,RSD050N10 PDF资料,RSD050N10经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动N沟道MOSFET

RSD050N10

Structure

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

CPT3

(SC-63)

<SOT-428>

6.5

5.1

2.3

0.5

1.5

5.5

0.9

(1)

2.3

(2)

(3)

2.3

0.8Min.

■特点

1）低导通电阻。

2 ）开关速度快。

3 ）驱动电路可以很简单。

3）并行使用是容易的。

■应用

开关

0.9

0.75

0.65

Packaging

特定网络阳离子

TYPE

包

CODE

基本订购单位（件）

CPT3

2500

Inner

电路

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

“绝对

最大额定值

=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

*2 T

=25°C

符号

DSS

GSS

英镑

范围

100

5.0

150

+150

单位

°C

ESD保护二极管

体二极管

(1)

(2)

(3)

连续

脉冲

连续

脉冲

热

阻力

参数

渠道情况

* T

=25C

符号

TH（ CH-C ）

范围

8.33

单位

°C

/ W

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2012.02 - Rev.B的

2.5

1.5

0.5

1.0

9.5

RSD050N10

ⅵELECTRICAL

特征

=25°C)

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

100

1.0

2.5

典型值。

135

142

145

530

1.7

3.0

马克斯。

±10

2.5

190

200

205

单位

条件

=±20V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

=100V, V

=0V

= 10V ，我

=1mA

= 5.0A ，V

=10V

m我

= 5.0A ，V

=4.5V

= 5.0A ，V

=4.0V

= 5.0A ，V

=10V

=25V

=0V

f=1MHz

= 2.5A ，V

=10V

=20

=10

50V

=5.0A,

=10V

50V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（T

=25°C)

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 5.0A ，V

=0V

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RSD050N10

ⅵELECTRICAL

特性曲线

=25C)

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

=10.0V

=4.0V

数据表

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

=10.0V

漏电流：我

[A]

=4.0V

=3.0V

=2.5V

=3.0V

漏电流：我

[A]

=2.5V

=25°C

脉冲

0.2

0.4

0.6

0.8

=25°C

脉冲

漏源电压： V

[V]

漏源电压： V

[V]

图3静态漏源通态电阻与漏电流

1000

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[m]

=25°C

脉冲

10000

图4静态漏源通态电阻与漏电流

=10V

脉冲

=125°C

=75°C

1000

=25°C

=-25°C

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[m]

=4.0V

=4.5V

=10V

100

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

漏电流：我

[A]

图5静态漏源通态电阻与漏电流

10000

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[m]

=4.5V

脉冲

=125°C

=75°C

1000

=25°C

=-25°C

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[m]

10000

图6静态漏源通态电阻与漏电流

=4V

脉冲

=125°C

=75°C

1000

=25°C

=-25°C

100

0.01

0.1

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

漏电流：我

[A]

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2012.02 - Rev.B的

RSD050N10

数据表

图7正向转移导纳主场迎战漏电流

图8典型的传输特性

100

=10V

脉冲

=10V

脉冲

正向转移导纳

[S]

漏Currnt ：我

[A]

=125°C

=75°C

0.1

=25°C

=-25°C

=125°C

=75°C

=25°C

=-25°C

0.1

0.01

0.001

0.1

漏电流：我

[A]

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

栅源电压： V

[V]

图9源电流和源极 - 漏极电压

=0V

脉冲

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

[m]

=125°C

=75°C

源电流：是[ A]

=25°C

=-25°C

400

500

图10静态漏源通态电阻与

栅源电压

=25°C

脉冲

300

=5.0A

=2.5A

200

0.1

100

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

源极 - 漏极电压： V

[V]

栅源电压： V

[V]

图11开关特性

10000

≒50V

=10V

=10

=25°C

脉冲

切换时间： T [ NS ]

D（关闭）

100

=25°C

=50V

=5A

脉冲

图12动态输入特性

栅源电压： V

[V]

1000

D（上）

0.01

0.1

漏电流：我

[A]

总栅极电荷：Q

[ NC ]

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RSD050N10

数据表

图13典型的电容与漏源电压

10000

=25°C

f=1MHz

=0V

1000

漏电流：我

[ A ]

电容： C [ pF的]

100

图14最大安全工作区

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

= 10V)

国际空间站

100

OSS

= 100μs

为1ms

0.1

=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板上。

（30mm ×

30mm

0.8mm)

0.1

= 10ms的

手术

RSS

0.01

0.1

100

1000

漏源电压： V

[V]

0.01

100

1000

漏源电压： V

[ V ]

图15归瞬态热阻VS脉冲宽度

=25°C

单脉冲

RTH

（ CH -A ）

=8.33°C/W

RTH

（ CH -A ）

（吨） = R（T） × Rth的

（ CH -A ）

归瞬态热阻： R（T ）

0.1

0.01

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度： PW （ S）

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