【数据表超低电容ESD保护二极管RSAC6.8CSlApplicationsESD保护lDimensi】,IC型号RSAC6.8CST2RA,RSAC6.8CST2RA PDF资料,RSAC6.8CST2RA经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

超低电容ESD保护二极管

RSAC6.8CS

lApplications

ESD保护

lDimensions

（单位：毫米）

lLand

尺寸图

（单位：毫米）

0.16±0.05

0.55

0.45

0.9±0.05

1.0±0.05

4）芯片贴片机，自动安装是可能的。

VMN2

lConstruction

硅外延平面

0.156

0.35±0.1

0.37±0.03

lStructure

ROHM ： VMN2

点（年周厂） +天

lTaping

尺寸

（单位：毫米）

4±0.1

2±0.05

1.55

0.2±0.05

0.45

lFeatures

1 ）超小型模具类型。（ VMN2 ）

2 ）低电容。

3）高可靠性。

0.6±0.05

3.5±0.05

1.75±0.1

1.1±0.05

0.5

0.7±0.05

2±0.05

4.0±0.1

0.52

lAbsolute

最大额定值

(Ta=25C)

参数

符号

功耗

结温

储存温度

TSTG

范围

100

150

-55

+150

单位

lElectrical

特征

(Ta=25C)

参数

符号

齐纳电压

反向电流

终端之间的电容

分钟。

6.7

典型值。

0.3

马克斯。

7.33

1.0

单位

μA

条件

=5mA

=3.0V

= 0V ， F = 1MHz的

*齐纳电压（V

）应在40毫秒负载电流后测量。

*电气性能保证是仅仅只有齐纳方向。

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1/3

2011.10 - Rev.A的

8.0±0.2

0.5

RSAC6.8CS

数据表

100

Ta=25°C

齐纳电流： IZ （MA ）

Ta=-25°C

Ta=75°C

反向电流：我

（ PA ）

Ta=125°C

1000

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

0.1

0.01

0.001

0.1

齐纳电压： VZ（ V）

VZ- IZ特性

反向电压： V

(V)

-I

特征

f=1MHz

7.3

Ta=25°C

=5mA

n=30pcs

7.2

之间的电容

端子的CT （PF ）

齐纳电压： VZ（ V）

7.1

AVE ： 7.05V

6.9

0.1

0.5

1.5

2.5

6.8

VZ色散图

反向电压： V

(V)

-ct特性

电容之间端子的CT （PF ）

Ta=25°C

=3V

n=30pcs

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

色散图

CT色散图

AVE ： 0.303pF

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

n=10pcs

反向电流：我

（ PA ）

AVE ： 8.68pA

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2/3

2011.10 - Rev.A的

RSAC6.8CS

数据表

1000

在玻璃环氧基板

短暂

热阻抗：的Rth （ ° C / W）

Rth的第（j-一）

动态阻抗： ZZ （ Ω ）

100

RTH （J -C ）

100

0.1

齐纳电流（毫安）

ZZ- IZ特性

0.001

0.01

0.1

100

1000

时间： T（ S）

RTH- T特性

没有休息，在30kV的

静电

放电测试ESD （ KV ）

AVE：1.00kV

C=200pF

R=0Ω

C=150pF

R=330Ω

ESD色散图

C=100pF

R=1.5kΩ

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2011.10 - Rev.A的

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