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数据表
超低电容ESD保护二极管
RSAC6.8CS
lApplications
ESD保护
lDimensions
（单位：毫米）
lLand
尺寸图
（单位：毫米）
0.16±0.05
0.55
0.45
0.9±0.05
1.0±0.05
4）芯片贴片机，自动安装是可能的。
VMN2
lConstruction
硅外延平面
0.156
0.35±0.1
0.37±0.03
lStructure
ROHM ： VMN2
点（年周厂） +天
lTaping
尺寸
（单位：毫米）
4±0.1
2±0.05
φ 1.55
0.2±0.05
0.45
lFeatures
1 ）超小型模具类型。 （ VMN2 ）
2 ）低电容。
3）高可靠性。
0.6±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
1.1±0.05
φ 0.5
0.7±0.05
2±0.05
4.0±0.1
0.52
lAbsolute
最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
功耗
P
结温
Tj
储存温度
TSTG
范围
100
150
-55
to
+150
单位
mW
C
C
lElectrical
特征
(Ta=25C)
参数
符号
V
z
齐纳电压
反向电流
终端之间的电容
I
R
Ct
分钟。
6.7
-
-
典型值。
-
-
0.3
马克斯。
7.33
1.0
-
单位
V
μA
pF
条件
I
Z
=5mA
V
R
=3.0V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
*齐纳电压（V
Z
）应在40毫秒负载电流后测量。
*电气性能保证是仅仅只有齐纳方向。
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1/3
2011.10 - Rev.A的
8.0±0.2
0.5
RSAC6.8CS
　
数据表
100
Ta=25°C
10
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=-25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
反向电流：我
R
（ PA ）
1000
Ta=125°C
100
1
Ta=75°C
10
Ta=25°C
1
0.1
0.01
0.001
5
6
7
8
9
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
0.1
0
1
2
3
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
10
f=1MHz
7.3
Ta=25°C
I
Z
=5mA
n=30pcs
7.2
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电压： VZ（ V）
7.1
1
7
AVE ： 7.05V
6.9
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
6.8
VZ色散图
50
电容之间端子的CT （PF ）
Ta=25°C
V
R
=3V
n=30pcs
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
AVE ： 0.303pF
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
R
色散图
CT色散图
Ta=25°C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
反向电流：我
R
（ PA ）
40
30
20
AVE ： 8.68pA
10
0
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2011.10 - Rev.A的
RSAC6.8CS
　
数据表
1000
1000
在玻璃环氧基板
短暂
热阻抗：的Rth （ ° C / W）
Rth的第（j-一）
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
RTH （J -C ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
时间： T（ S）
RTH- T特性
30
没有休息，在30kV的
25
静电
放电测试ESD （ KV ）
20
15
10
5
AVE：1.00kV
0
C=200pF
R=0Ω
C=150pF
R=330Ω
ESD色散图
C=100pF
R=1.5kΩ
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2011.10 - Rev.A的
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    RSAC6.8CS
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联系人：朱
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ROHM
24+
27200
SOT-723
全新原装现货，原厂代理。
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21+22+
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原装正品
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22+
32570
VMN2
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