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数据表

超低电容ESD保护二极管

RSAC18CS

lApplications

ESD保护

lDimensions

（单位：毫米）

lLand

尺寸图

（单位：毫米）

0.16±0.05

0.6±0.05

0.55

0.45

lFeatures

1 ）超小型模具类型。（ VMN2 ）

2 ）低电容。

3）高可靠性。

4 ）双芯片贴片机，自动安装

是可能的。

0.156

0.35±0.1

0.9±0.05

1.0±0.05

VMN2

0.37±0.03

lStructure

lConstruction

硅外延刨床

ROHM ： VMN2

点（年周厂）

lTaping

尺寸

（单位：毫米）

4±0.1

2±0.05

1.55

0.2±0.05

0.45

3.5±0.05

1.75±0.1

1.1±0.05

0.5

0.7±0.05

2±0.05

4.0±0.1

0.52

lAbsolute

最大额定值

(Ta=25C)

参数

符号

功耗

结温

储存温度

TSTG

lElectrical

特征

(Ta=25C)

参数

符号

齐纳电压

反向电流

终端之间的电容

范围

100

150

-55

+150

单位

分钟。

18.20

典型值。

0.3

马克斯。

19.35

0.1

单位

条件

=2mA

=13V

= 0V ， F = 1MHz的

* 1）齐纳电压（V

）应在40毫秒负载电流后测量。

* 2）电气性能保证是仅仅只有齐纳方向。

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1/3

2011.10 - Rev.A的

8.0±0.2

0.5

RSAC18CS

数据表

10000

Ta=150°C

Ta=125°C

1000

Ta=25°C

反向电流：我

（ PA ）

齐纳电流： IZ （MA ）

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=150°C

0.1

0.01

齐纳电压： VZ（ V）

VZ- IZ特性

0.1

反向电压： V

(V)

-I

特征

f=1MHz

Ta=25°C

=2mA

n=30pcs

之间的电容

端子的CT （PF ）

齐纳电压： VZ（ V）

AVE ： 18.66V

0.1

反向电压： V

(V)

-ct特性

VZ色散图

100

电容之间端子的CT （PF ）

Ta=25°C

=13V

n=30pcs

0.5

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

n=10pcs

反向电流：我

（ PA ）

0.4

0.3

AVE ： 0.31pF

0.2

AVE ： 16.29pA

0.1

色散图

CT色散图

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2011.10 - Rev.A的

RSAC18CS

数据表

10000

1000

在玻璃环氧基板

短暂

热阻抗：的Rth （ ° C / W）

Rth的第（j-一）

动态阻抗： ZZ （ Ω ）

RTH （J -C ）

1000

100

0.1

齐纳电流（毫安）

ZZ- IZ特性

0.001

0.01

0.1

100

1000

时间： T（ S）

RTH- T特性

没有休息，在30kV的

静电

放电测试ESD （ KV ）

AVE：0.96kV

C=200pF

R=0Ω

C=150pF

R=330Ω

C=100pF

R=1.5kΩ

ESD色散图

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2011.10 - Rev.A的

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笔记

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