RSA6.1U5
二极管
ESD保护二极管
（硅外延刨床）
RSA6.1U5
应用
ESD保护
特点
1 ）小型塑胶型（ SMD6 ）
2）高可靠性
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
功耗
峰值脉冲功率-1 （ TP = 10 × 1000μs ）
峰值脉冲功率-2 （ TP = 8 × 20μs的）
结温
储存温度
P
Ppk-1
Ppk-2
Tj
TSTG
200mW
30 W
200 W
150°C
-55 ℃150℃
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ *每额定值二极管）
特征
符号
测试条件
1毫安
3.0 V
200毫安
1MHz
0V
标准
分钟。
马克斯。
6.10 V
7.20 V
-
1.0A
1.25 V
200 pF的
典型值。
齐纳电压
Vz
IZ =
反向电流
IR
VR-
正向电流
VF
IFA
连接点
f=
Ct
电容
VR-
齐纳电压（ VZ）的应在40毫秒负载电流后测量。
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RSA6.1U5
二极管
ESD保护二极管
RSA6.1U5
应用
ESD保护
外形尺寸
（单位：毫米）
2.9±0.2
0.3±0.1 各リードとも同寸法
维
每根导线具有相同的
0.05
(4)
(5)
(6)
0.15±0.1
0.06
铅尺寸图
（单位：毫米）
19
0.95
0.95
2.8±0.2
0½0.1
0.3½0.6
1.0MIN.
1.6
特点
1 ）小型模具类型。 （ SMD6 ）
2）高可靠性。
＋0.2
－0.1
0.45
0.6
0.35 0.35 0.45
(3)
(2)
1.9±0.2
(1)
0.8±0.1
1.1± 0.2
0.1
SMD6
0.8MIN.
施工
硅外延平面
0.95
0.95
结构
ROHM ： SMD6
JEDEC ： S0T -457
JEITA ： SC- 74
星期代码
1PIN MARK
大坪尺寸
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
3.2±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
3.2±0.1
4.0±0.1
φ1.05MIN
0½0.5
3.2±0.1
1.35±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
峰值脉冲功率- 1 （ TP = 10 × 1000US ）
峰值脉冲功率- 2 （ TP = 10 × 1000US ）
结温
储存温度
符号
P
PPK
PPK
Tj
TSTG
范围
200
30
200
150
-55到+150
单位
mW
mW
mW
℃
℃
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
齐纳电压
反向电流
正向电流
结电容
V
z
I
R
V
Ｆ
Ct
分钟。
6.1
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
7.2
1
1.25
200
单位
V
A
V
pF
条件
I
Z
=1mA
V
R
=3.0V
IF=200mA
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
REV.B
2.4
1/2
RSA6.1U5
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
10000
1000
TA = 150 ℃的Ta = 125 ℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=75℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=150℃
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
0.1
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
100
100
0.01
0.0001
0.001
6
6.5
7
7.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
8
0.00001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
6.9
Ta=25℃
IZ=1mA
n=30pcs
0.2
0.18
150
齐纳电压： VZ（ V）
6.8
反向电流： IR （ NA）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
AVE ： 0.0190nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=3V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 91.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.7
6.6
6.5
AVE ： 6.736V
6.4
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
30
Rth的第（j-一）
没有休息，在30kV的没有在30kV的突破
25
20
15
10
5
0
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
C=150pF
R=330Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
100
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
IM=10mA
IF=100mA
1ms
时间
300us
1
0.001
静电
放电测试ESD （ KV ）
ESD色散图
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RSA6.1U5
二极管
ESD保护二极管
（硅外延刨床）
RSA6.1U5
应用
ESD保护
特点
1 ）小型塑胶型（ SMD6 ）
2）高可靠性
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
功耗
峰值脉冲功率-1 （ TP = 10 × 1000μs ）
峰值脉冲功率-2 （ TP = 8 × 20μs的）
结温
储存温度
P
Ppk-1
Ppk-2
Tj
TSTG
200mW
30 W
200 W
150°C
-55 ℃150℃
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ *每额定值二极管）
特征
符号
测试条件
1毫安
3.0 V
200毫安
1MHz
0V
标准
分钟。
马克斯。
6.10 V
7.20 V
-
1.0A
1.25 V
200 pF的
典型值。
齐纳电压
Vz
IZ =
反向电流
IR
VR-
正向电流
VF
IFA
连接点
f=
Ct
电容
VR-
齐纳电压（ VZ）的应在40毫秒负载电流后测量。
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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