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RSA6.1J4
二极管
ESD保护二极管
RSA 6.1J4
应用
ESD保护
外形尺寸
(单位:毫米)
0.2
+
0.1
1.6
+
0.1
0.22
+
0.05
(1)
(2)
(3)
0.5
+
0.05
1.2
+
0.1
+
0.1
1.6
施工
硅外延平面
0.5 0.5
1.0
+
0.1
0.2
+
0.1
ROHM : EMD5
EMD5
电路
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
峰值脉冲功率- 1 ( TP = 10 × 1000μs )
峰值脉冲功率- 2 ( TP = 8 × 20μs的)
结温
储存温度
符号
PPK
PPK
范围
10
80
150
55
to
+150
Tj
TSTG
电气特性
(Ta=25°C)
每额定值二极管。
参数
齐纳电压
反向电流
正向电压
结电容
符号
V
Z
I
R
V
F
Ct
分钟。
6.10
典型值。
35
马克斯。
7.20
1
1.0
单位
V
A
V
pF
I
Z
=1mA
V
R
=3.0V
I
F
=100mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
条件
齐纳电压( VZ)的应在40毫秒负载电流后测量。
搬运时,请注意静电。
E61
(4)
(5)
特点
1 )超小型模具类型。 ( EMD5 )
2)高可靠性。
0~0.1
0.13
+
0.05
(每个导线具有相同的尺寸)
单位
W
W
C
C
1/2
RSA6.1J4
二极管
OTHERS
参数
设备组成
准则
IEC-1000-4-2
充放电电容
放电电阻
通过10次重复
没有错误操作
联系
在空气中
: 150pF的
: 330
:
±9kV
:
±16kV
电气特性曲线
(Ta=25°C)
电容之间端子的CT (PF )
1
100n
100n
100
齐纳电流: IZ ( A)
10n
1n
100
10
1
100n
5
反向电流:我
R
(A)
10n
1n
10
100p
10p
5.5
6
6.5
7
7.5
8
1p
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
齐纳电压: VZ( V)
反向电压: V
R
(V)
反向电压: V
R
(V)
图1齐纳电压特性
图2反向特性
图3之间的电容
终端特性
100
反向浪涌
功耗: P
RSM
(W)
10
1
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度:繁体(毫秒)
图4浪涌功耗
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RSA6.1J4
二极管
ESD保护二极管
RSA 6.1J4
应用
ESD保护
外形尺寸
(单位:毫米)
0.2
+
0.1
1.6
+
0.1
0.22
+
0.05
(1)
(2)
(3)
0.5
+
0.05
1.2
+
0.1
+
0.1
1.6
施工
硅外延平面
0.5 0.5
1.0
+
0.1
0.2
+
0.1
ROHM : EMD5
EMD5
电路
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
峰值脉冲功率- 1 ( TP = 10 × 1000μs )
峰值脉冲功率- 2 ( TP = 8 × 20μs的)
结温
储存温度
符号
PPK
PPK
范围
10
80
150
55
to
+150
Tj
TSTG
电气特性
(Ta=25°C)
每额定值二极管。
参数
齐纳电压
反向电流
正向电压
结电容
符号
V
Z
I
R
V
F
Ct
分钟。
6.10
典型值。
35
马克斯。
7.20
1
1.0
单位
V
A
V
pF
I
Z
=1mA
V
R
=3.0V
I
F
=100mA
V
R
= 0V , F = 1MHz的
条件
齐纳电压( VZ)的应在40毫秒负载电流后测量。
搬运时,请注意静电。
E61
(4)
(5)
特点
1 )超小型模具类型。 ( EMD5 )
2)高可靠性。
0~0.1
0.13
+
0.05
(每个导线具有相同的尺寸)
单位
W
W
C
C
1/2
RSA6.1J4
二极管
OTHERS
参数
设备组成
准则
IEC-1000-4-2
充放电电容
放电电阻
通过10次重复
没有错误操作
联系
在空气中
: 150pF的
: 330
:
±9kV
:
±16kV
电气特性曲线
(Ta=25°C)
电容之间端子的CT (PF )
1
100n
100n
100
齐纳电流: IZ ( A)
10n
1n
100
10
1
100n
5
反向电流:我
R
(A)
10n
1n
10
100p
10p
5.5
6
6.5
7
7.5
8
1p
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
齐纳电压: VZ( V)
反向电压: V
R
(V)
反向电压: V
R
(V)
图1齐纳电压特性
图2反向特性
图3之间的电容
终端特性
100
反向浪涌
功耗: P
RSM
(W)
10
1
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度:繁体(毫秒)
图4浪涌功耗
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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100%原装正品,可长期订货
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联系人:朱
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
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联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
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24000
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全新原装现货 市场最低价!
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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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联系人:陈泽强
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