飞利浦半导体
产品speci fi cation
SMA快速软恢复
控制雪崩整流器器
特点
玻璃钝化
高的最大工作温度
理想的表面贴装汽车应用
低漏电流
卓越的稳定性
保证雪崩能量吸收能力
UL 94V -O分类塑料包装
运12毫米压纹带
标记：阴极，日期码，类型码
方便取放。
顶视图
olumns
RS1系列
描述
DO- 214AC表面贴装封装玻璃
钝化芯片。
该明确定义的无空隙的情况下的传递模塑
热硬化性塑料制成。小长方形包
有2路J弯曲导线。
阴极
BAND
k
a
SIDE VIEW
MSA474
Fig.1简化外形（ DO- 214AC ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值
系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
RS1A
RS1B
RS1D
RS1G
RS1J
RS1K
RS1M
V
R
连续反向电压
RS1A
RS1B
RS1D
RS1G
RS1J
RS1K
RS1M
50
100
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
V
V
参数
反向重复峰值电压
50
100
200
400
600
800
1000
V
V
V
V
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
2000年02月14
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
SMA快速软恢复
控制雪崩整流器器
符号
V
RMS
RS1A
RS1B
RS1D
RS1G
RS1J
RS1K
RS1M
I
F（ AV ）
I
FSM
平均正向电流
非重复峰值正向电流
平均超过任何20毫秒的时间;
T
tp
= 110
°C;
见图2
T = 8.3 ms半正弦波;
T
j
= 25
°C
前激增;
V
R
= V
RRMmax
看科幻G.3
参数
均方根电压
条件
分钟。
RS1系列
马克斯。
35
70
140
280
420
560
700
1
25
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
T
英镑
T
j
储存温度
结温
65
65
+175
+175
°C
°C
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
t
rr
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
RS1A到RS1J
RS1K和RS1M
C
d
二极管电容
V
R
= 4 V ; F = 1兆赫;见图6
条件
I
F
= 1 ;见图4
V
R
= V
RRMmax
;见图5
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 165
°C;
见图5
从我开机时，
F
= 0.5 A至I
R
= 1 A;
测量我
R
= 0.25 A;见图9
7
典型值。
5
50
250
300
马克斯。
1.3
V
A
A
ns
ns
pF
单位
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻，以配合点;见图7
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
1.装置安装在铝
2
O
3
印刷电路板， 0.7mm厚;铜的厚度
≥35 m.
2.设备安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜的厚度
≥40 m.
了解更多
详情请参阅
“总则相关手册” 。
条件
价值
27
100
150
单位
K / W
K / W
K / W
2000年02月14
3
RS1A THRU RS1K
表面贴装快速开关整流器
反向电压 -
50至800伏特
DO-214AC
改进的J- BEND
正向电流 -
1.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于以优化表面安装应用程序
电路板空间
低廓包
内置应变救灾，非常适合
自动布局
快速开关的高效率
玻璃钝化结
高温焊接：
250℃ / 10秒的终端
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
机械数据
0.008 （ 0.203 ）最大。
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
尺寸单位：英寸（毫米）
案例：
JEDEC DO- 214AC模压塑料多
钝化芯片
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号RS1A
RS1B
RB
RS1D
RD
RS1G
RG
RS1J
RJ
RS1K
RK
单位
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=90°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）T
L
=90°C
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
典型结电容
最大热阻
T
A
=25°C
T
A
=125°C
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
RA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1.0
400
280
400
600
420
600
800
500
800
伏
伏
伏
AMP
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
30.0
1.30
5.0
50.0
150
10.0
105.0
32.0
-55到+150
250
7.0
安培
伏
A
ns
pF
° C / W
°C
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压
结（ 3 ）到环境的热阻结点到铅装在
P.C.B. 0.2 ×0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
4/98
额定值和特性曲线RS1A THRU RS1J
图。 1 - 正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流，
安培
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
1.2
平均正向电流，
安培
负载电阻或电感
50
40
30
20
10
0
1.0
TL = 90℃
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0.5
0
0
P.C.B.安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
20
40
60
80 100 120 140 160 180
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
焊接温度， ℃，
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向特性
30
瞬时反向电流，
微安
30
10
TJ=125°C
瞬时正向电流，
安培
10
T
J
=125°C
1
TJ=100°C
1
T
J
=25°C
0.1
0.1
TJ=25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
百分比额定峰值反向
电压％
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压，
伏
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
图。 5 - 典型结电容
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
30
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
100
安装在0.2× 0.2“ （ 5x5毫米）
铜层的面积
10
10
1
1
10
反向电压，伏
100
1
0.01
0.1
1
10
T，脉冲持续时间，秒
RS1A / B - RS1M / B
1.0A表面装载快速恢复整流
特点
·
·
·
·
·
·
玻璃钝化片建设
快速恢复高效率
低正向压降和高电流
能力
浪涌过载额定值为30A峰值
非常适合于自动化装配
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
B
SMA
暗淡
民
2.29
4.00
1.27
0.15
4.80
0.10
0.76
2.01
最大
2.92
4.60
1.63
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
SMB
民
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
最大
3.94
4.57
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
A
C
A
B
C
D
E
G
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例：模压塑料
码头：焊接镀终端 -
每MIL -STD- 202方法208
极性：负极频带或阴极诺奇
SMA的重量： 0.064克（约）
SMB重量： 0.093克（约）
安装位置：任意
标记：型号数量
J
D
H
G
E
H
J
A， B，D ，G ，J ， K，M后缀指定SMA封装
AB ， BB ， DB ， GB， JB ， KB ， MB后缀指定SMB封装
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
T
= 120°C
非重复性峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
反向恢复时间（注3 ）
典型结电容（注2 ）
典型热阻，结到码头（注1 ）
工作和存储温度范围
@ I
F
= 1.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
QJT
T
j,
T
英镑
RS1
A / AB
50
35
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
RS1
B/BB
100
70
RS1
D / DB
200
140
RS1
G / GB
400
280
1.0
30
1.3
5.0
200
RS1
焦耳/ JB
600
420
RS1
K / KB
800
560
RS1
M / MB
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
150
15
20
-65到+150
250
500
ns
pF
K / W
°C
注意事项：
1.有效的规定，终端被保持在环境温度下进行。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3.反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A 。见图5 。
DS15002修订版G- 2
1 2
RS1A / B - RS1M / B
1.0
I
F,
正向电流（A ）
1.2
10
I
O
，平均整流电流（ A）
0.8
1.0
0.6
0.4
0.1
0.2
T
j
= 25°C
I
F
脉冲宽度： 300
s
0
25
50
75
100
125
150
175
T
T
，终端温度（
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
30
单半正弦波
（ JEDEC的方法）
I
R
，瞬时反向电流（ μA ）
1000
T
j
= 125
°
C
T
j
= 150°C
100
20
10
10
1.0
T
j
= 25°C
0
1
10
100
循环次数在60Hz
图。 3正向浪涌电流降额曲线
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 4典型的反向特性
t
rr
+0.5A
50
NI （无感）
设备
下
TEST
10
NI
(-)
脉冲
发电机
（注2 ）
0A
(+)
50V DC
约
-0.25A
(-)
1.0
NI
示波器
（注1 ）
(+)
注意事项：
1.上升时间= 7.0ns最大。输入阻抗= 1.0M
， 22pF的。
2.上升时间= 10ns的最大值。输入阻抗= 50
.
-1.0A
为50/100 NS /厘米设定时基
图。 5反向恢复时间特性和测试电路
DS15002修订版G- 2
2 2
RS1A / B - RS1M / B
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
RS1A
THRU
RS1M
整流器SPECIALISTS
表面贴装快速恢复整流技术规格
电压范围 - 50到1000伏特
电流 - 1.0安培
特点
*主义理想的表面安装应用程序
*低漏电流
*玻璃钝化结
SMA （ DO- 214AC ）
机械数据
*案例：模压塑料
*环氧： UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*码头：焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
*极性：标
*安装位置：任意
*重量： 0.064克
.062(1.60)
.055(1.40)
.181(4.60)
.157(4.00)
.114(2.90)
.098(2.50)
.096(2.44)
.078(2.00)
.060(1.52)
.030(.76)
.208(5.28)
.188(4.80)
.008(0.203)
.002(0.051)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
A
= 55
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A DC
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
最大反向恢复时间（注3 ）
最大热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作和存储温度范围
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
TRR
RJL
C
J
T
J
, T
英镑
RS1A
50
35
50
RS1B
100
70
100
RS1D
200
140
200
RS1G
400
280
400
1.0
30
1.3
5.0
150
RS1J
600
420
600
RS1K
800
560
800
RS1M
单位
1000
伏
700
1000
伏
伏
安培
安培
伏
uAmps
150
30
15
-65到+ 175
250
500
纳秒
0
C / W
pF
0
C
注：1.测得1.0 MHz和应用4.0Vdc反向电压
2.热阻（结到环境） ， .24in
2
(6.0mm
2
）铜垫给每个终端。
3.测试条件： IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A
332
NEXT
后
NEXT
出口
后
额定值和特性曲线（ RS1A THRU RS1M ）
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
333
NEXT
NEXT
NEXT
出口
EXI
后
后
出口
后
CE
陈毅电子
RS1A THRU RS1K
表面安装GALSS钝化结整流器
反向电压 - 50到800伏特
正向电流 - 1.0安培
特点
。对于表面安装应用程序
。薄型封装
。内置应变救灾，非常适于自动贴片
。开关速度快
。塑料包装已承保实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
。玻璃钝化结
。高温焊接保证： 250
/ 10秒，终端
机械数据
.
案例：
JEDEC SMA （ DO - 214AC ）模压塑料
.
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD- 750焊接的方法2026
.
极性：
颜色频带端为负极
.
重量
0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（等级25
环境温度，除非另有规定，单相半波60赫兹，电阻或电感）
负载。对于容性负载，减免电流20 ％ ）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
目前的T
L
=90
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单半
星波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） ，在
T
L
=90
1.0 A最大瞬时正向电压
最大反向恢复时间（注1 ）
电流在额定阻断电压DC
典型热阻（注3 ）
典型的反向恢复时间（注2 ）
工作和存储温度范围
T
A
=25
T
A
=125
R
R
TRR
T
J
T
英镑
JL
JA
RS1A
50
35
50
RS1B
100
70
100
RS1D
200
140
200
1.0
RS1G
400
280
400
RS1J
600
420
600
RS1K
800
560
800
单位
伏
伏
伏
AMP
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
30.0
安培
V
F
I
R
1.30
5.0
伏
A
50
27.0
25.0
150.0
-55到+150
30.0
/W
85.0
250
500
nS
注意事项：
1.测试条件： IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A 。
2.Measured在1MHz和应用4.0伏特的反向电压。
结3.Thermal抵抗周围环境，并从交界处领导安装在PCB上安装
0.2 X 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜垫的地方。
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页2
CE
陈毅电子
RS1A THRU RS1K
表面安装GALSS钝化结整流器
反向电压 - 50到800伏特
正向电流 - 1.0安培
额定值和特性曲线RS1A THRU RS1K
FLG.1 ，正向电流
降额曲线
图2 - MAXIMUM不重复
正向浪涌电流
图3 - 典型正向
特征
图4 - 典型结电容
图2 - 典型的反向特性
图6 - 典型的瞬态热阻抗
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第2页2
RS1A-RS1M
分立功率&信号
技术
RS1A - RS1M
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
特点
玻璃钝化结。
对于表面安装应用程序。
内置应变救灾，非常适合自动化
放置。
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
2
1
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
SMA/DO-214AC
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
1.0安培快速恢复整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
参数
平均整流电流
@ T
A
= 100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到外壳**
存储温度范围
工作结温
价值
1.0
单位
A
30
1.19
9.5
105
32
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
P
D
R
θJA
R
θJC
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
1A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压@ 1.0
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
50
35
50
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
1B
100
70
100
1D
200
140
200
1G
400
280
400
5.0
50
1.3
150
10
250
500
1J
600
420
600
1K
800
560
800
1M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
nS
pF
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
RS1A - RS1M ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
RS1A THRU RS1M
表面装载快速
开关整流器
电压： 50至1000V电流： 1.0A
特点
适用于表面贴装取
应用场所
薄型封装
内置应变救灾
高浪涌能力
玻璃钝化芯片
快速恢复高效率
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒/端子
技术
规范
SMA/DO-214AC
B
A
C
D
F
G
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
A
.110(2.79)
.100(2.54)
E
.208(5.28)
.194(4.93)
B
.177(4.50)
.157(3.99)
F
.090(2.29)
.078(1.98)
H
C
D
.058(1.47) .012(0.305)
.052(1.32) .006(0.152)
G
H
.008(0.203) .060(1.52)
.004(0.102) .030(0.76)
机械数据
终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
尺寸以英寸（毫米）
o
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25°C ，除非另有说明，容性负载，
20％的减免电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
(T
L
=110 C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
TRR
C
J
R
θ
（ JA ）
RS
1A
50
35
50
RS
1B
100
70
100
RS
1D
200
140
200
RS
1G
400
280
400
1.0
30
1.3
5.0
200
RS
1J
600
420
600
RS RS
单位
1K 1M
800 1000
V
560 700
V
800 1000
V
A
A
V
A
A
nS
pF
o
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压
（额定电流）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
（额定阻断电压DC ）
最大反向恢复时间
典型结电容
典型热阻
o
T
a
=125 C
（注1 ）
（注2 ）
150
15
30
250
500
（注3）
-50至+150
T
英镑
,T
J
存储和工作结温
注意：
1.Reverse恢复情况我
F
= 0.5A ，我
R
=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured在1.0 MHz和应用4.0V的电压
dc
结3.Thermal耐终端安装在5 × 5毫米铜焊盘面积
C / W
o
C
http://www.sse-diode.com
