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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第499页 > RRH140P03
4V驱动P沟道MOSFET
RRH140P03
Structure
硅P沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
SOP8
■特点
1)低导通电阻。
2 )内置G -S保护二极管。
3 )小型表面贴装封装( SOP8 ) 。
●应用
开关
每根导线具有相同的尺寸
Packaging
特定网络阳离子
TYPE
RRH140P03
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TB
2500
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
2
1
( 1 )资料来源
( 2 )资料来源
( 3 )资料来源
( 4 )门
( 5 )排水管
( 6 )排水
( 7 )排水
( 8 )漏
“绝对
最大额定值
( TA = 25°C )
(1)
(2)
(3)
(4)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
源出电流
(体二极管)
功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
1
2
1
范围
30
±20
±14
±56
1.6
56
2.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
1
ESD保护二极管
2
体二极管
脉冲
连续
脉冲
总胆固醇
TSTG
°C
°C
阻力
参数
渠道环境
安装在陶瓷板上。
符号
RTH ( CH -A )
范围
62.5
单位
°C
/ W
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2010.02 - Rev.A的
RRH140P03
ⅵELECTRICAL
特征
( TA = 25°C )
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS
( TH )
R
DS
(上)
fs
l
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
30
1.0
20
典型值。
5.0
6.7
7.3
8000
1000
1000
32
80
360
200
80
18
30
马克斯。
±10
1
2.5
7.0
9.4
10.2
单位
μA
V
μA
V
测试条件
V
GS
20V, V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=14A,
V
GS
=10V
I
D
=7A,
V
GS
=4.5V
I
D
=7A,
V
GS
=4.0V
I
D
=14A,
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=7A,
V
DD
V
GS
=10V
R
L
=2.1Ω
R
G
=10Ω
I
D
= ± 14A ,V
DD
V
GS
=5V
R
L
=1.1Ω
R
G
=10Ω
15V
15V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body
二极管的特性
(源极 - 漏极时)(Ta = 25C )
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
s
=14A,
V
GS
=0V
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2010.02 - Rev.A的
RRH140P03
ⅵELECTRICAL
特性曲线
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
= -2.2V
V
GS
= -2.4V
数据表
漏电流: -I
D
[A]
漏电流: -I
D
[A]
漏电流: -I
D
[A]
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4.0V
V
GS
= -3.0V
T
a
=25°C
脉冲
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
V
GS
= -10V牛逼
a
=25°C
V
GS
= -4.5V脉冲
V
GS
= -4.0V
100
V
DS
= -10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
10
V
GS
= -2.6V
V
GS
= -2.6V
V
GS
= -2.4V
1
0.1
V
GS
= -2.2V
6
8
10
0.01
1
1.5
2
2.5
3
漏源电压: -V
DS
[V]
图1典型的输出特性(
)
漏源电压: -V
DS
[V]
图2典型的输出特性(
)
栅源电压: -V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
[mΩ]
100
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
[m
Ω]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
[m
Ω]
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
= -4.0V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
100
V
GS
= -10V
脉冲
100
10
10
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
= -25°C
V
GS
= -4.5V
脉冲
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
= -25°C
10
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
漏电流: -I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
正向转移导纳: | YFS | [S ]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
[m
Ω
]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
= -25°C
反向漏电流: -I
s
[A]
100
V
GS
= -4.0V
脉冲
100
V
DS
= -10V
脉冲
100
V
GS
=0V
脉冲
10
10
T
a
= -25°C
T
a
=25°C
T
a
=75°C
T
a
=125°C
10
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0
0.5
1
1.5
1
0.1
1
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
漏电流: -I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
)
漏电流: -I
D
[A]
图8正向转移导纳
与漏电流
源极 - 漏极电压: -V
SD
[V]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
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2010.02 - Rev.A的
RRH140P03
50
10000
10
数据表
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
[m
Ω]
40
30
20
10
0
0
5
10
I
D
= -14.0A
切换时间: T [ NS ]
t
D(关闭)
1000
t
f
I
D
= -7.0A
栅源电压: -V
GS
[V]
T
a
=25°C
脉冲
T
a
=25°C
V
DD
= -15V
V
GS
=-10V
R
G
=10Ω
脉冲
T
a
=25°C
V
DD
= -15V
8
I
D
=-14A
R
G
=10Ω
6脉冲
4
2
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图12动态输入特性
100
t
D(上)
10
15
0.01
0.1
1
t
10
100
栅源电压: -V
GS
[V]
图10静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流: -I
D
[A]
图11开关特性
100000
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
100
在这一领域是由R有限公司
DS ( ON)
(V
GS
=-10V)
P
W
=100us
10000
漏电流: -I
D
(A)
电容: C [ pF的]
西塞
10
1
0.1
0.01
P
W
=1ms
直流操作
P
W
= 10ms的
1000
科斯
CRSS
100
0.01
0.1
1
10
100
T
a
= 25°C
单脉冲
安装在陶瓷基板
0.1
1
10
100
漏源电压: -V
DS
[V]
图13典型电容
与漏源电压
10
漏源电压: -V
DS
[V]
图14最大安全运行的Aera
NORMARIZED瞬态热
电阻: R(T )
1
0.1
T
a
= 25°C
单脉冲: 1台
第r ( CH-A )(吨)= R( t)的×的Rth (声道-a)的
RTH ( CH- A)= 62.5 ° C / W
<Mounted上的陶瓷board>
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度: Pw的( S)
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
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2010.02 - Rev.A的
RRH140P03
Measurement
电路
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
数据表
脉冲宽度
V
GS
10%
50%
10%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
90%
50%
10%
90%
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
GS
I
D
R
L
V
DS
V
G
Q
g
V
GS
I
G(常量)。
D.U.T.
R
G
V
DD
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
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2010.02 - Rev.A的
RRH140P03
P沟道-30V -14A功率MOSFET
lOutline
数据表
V
DSS
R
DS ( ON)
( MAX 。 )
I
D
P
D
lFeatures
1 )低导 - 性。
-30V
7mW
-14A
2.0W
SOP8
(7)
(8)
(5)
(6)
(4)
(3)
(1)
(2)
lInner
电路
(1)
(2)
(3)
(4)
来源
来源
来源
(5)
(6)
(7)
(8)
2 )内置G -S保护二极管。
3 )小型表面贴装封装( SOP8 ) 。
4)无铅镀铅;符合RoHS标准
*1
ESD保护二极管
*2
体二极管
lPackaging
特定网络阳离子
包装
lApplication
DC / DC转换器
TYPE
卷尺寸(mm )
胶带宽度(mm)
基本订购单位(个)
大坪码
记号
lAbsolute
最大额定值(T
a
= 25°C)
参数
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
雪崩能量,单脉冲
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
DSS
I
D *1
I
D,脉冲
V
GSS
E
AS * 3
P
D *4
P
D *5
T
j
T
英镑
*2
TAPING
330
12
2,500
TB
RRH140P03
价值
-30
14
56
20
1.6
2.0
0.65
150
-55
to
+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
W
°C
°C
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2012.06 - Rev.C
RRH140P03
lThermal
阻力
参数
热阻,结 - 环境
热阻,结 - 环境
符号
R
thJA * 4
R
thJA * 5
分钟。
-
-
典型值。
-
-
数据表
马克斯。
62.5
192
单位
° C / W
° C / W
lElectrical
特性(T
a
= 25°C)
参数
漏极 - 源极击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
符号
条件
分钟。
-30
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
= 0V时,我
D
=
-1mA
V
ΔV
( BR ) DSS
I
D
=
-1mA
ΔT
j
参考25 ℃下
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
ΔV
( GS )个
ΔT
j
V
DS
=
-30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
20V,
V
DS
= 0V
V
DS
=
-10V,
I
D
=
-1mA
I
D
=
-1mA
参考25 ℃下
V
GS
= -10V ,我
D
=-14A
-
-
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
20
-25
-
-
-
3.9
5.0
6.7
7.3
7.5
3.0
40
-
-1
10
-2.5
-
7.0
9.4
10.2
10.5
-
-
毫伏/°C的
mA
mA
V
毫伏/°C的
静态漏 - 源
上 - 通电阻
R
DS ( ON)
*6
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-7A
V
GS
= -4.0V ,我
D
=-7A
V
GS
=
-10V,
I
D
=
-14A,
T
j
=125°C
mW
门输入resistannce
R
G
g
FS * 6
F = 1MHz时,漏极开路
V
DS
=
-10V,
I
D
=
-14A
W
S
* 1仅受最高温度允许的。
* 2 P W
为10ms ,占空比
1%
*3 L
10MH ,V
DD
=
-15V,
RG = 25W ,起始物为
j
= 25°C
* 4装在一个陶瓷基板(30 ×30× 0.8毫米)
* 5安装在FR4 ( 20 × 20 × 0.8毫米)
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RRH140P03
lElectrical
特性(T
a
= 25°C)
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上) * 6
t
r *6
t
D(关闭)
t
f *6
*6
数据表
条件
V
GS
= 0V
V
DS
=
-10V
F = 1MHz的
V
DD
-15V,
V
GS
=
-10V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
8000
1000
1000
32
80
360
200
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
I
D
=
-7A
R
L
= 2.1W
R
G
= 10W
ns
LGATE
充电特性(T
a
= 25°C)
参数
符号
条件
V
DD
-15V,
I
D
=
-14A
V
GS
=
-5V
V
DD
-15V,
I
D
=
-14A
V
GS
=
-10V
V
DD
-15V,
I
D
=
-14A
V
GS
=
-5V
分钟。
-
典型值。
80
马克斯。
-
单位
总栅极电荷
Q
g *6
-
-
-
150
18
30
-
-
-
nC
栅 - 源费
门 - 漏极电荷
Q
GS * 6
Q
GD * 6
lBody
二极管的电气特性
(源极 - 漏极) (T
a
= 25°C)
参数
逆二极管连续的,
正向电流
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
* 6脉冲
符号
条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
50
50
马克斯。
-1.6
-1.2
100
100
单位
I
S
*1
T
a
= 25°C
V
GS
= 0V时,我
s
=
-14A
I
S
=
-14A
的di / dt = 100A /
ms
A
V
ns
mC
V
SD
*6
t
rr *6
Q
rr *6
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2012.06 - Rev.C
RRH140P03
lElectrical
特性曲线
数据表
图1耗散功率降额曲线
120
图2最大安全工作区
100
P
W
= 100μs
功耗: P
D
/P
D
最大。 [%]
100
10
漏电流: -I
D
[A]
80
60
40
20
0
P
W
为1ms
P
W
= 10ms的
1
直流操作
在这一领域
由R有限公司
DS
(上)
( V
GS
= 10V )
0.1
0
50
100
150
200
0.01
T
a
=25C
单脉冲
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
0.1
1
10
100
结温: TJ [° C]
漏 - 源极电压: -V
DS
[V]
图3归瞬态热
电阻与脉冲宽度
归瞬态热电阻值:R
(t)
10
T
a
=25C
单脉冲
1
图4单脉冲最大完全功耗
10000
T
a
=25C
单脉冲
瞬态峰值功率: P( W)
1000
0.1
顶部
D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
底部劲儿
Rth(ch-a)=62.5C/W
第r ( CH-A )(吨)= R( t)的×的Rth (声道-a)的
安装在陶瓷板上
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
100
0.01
10
0.001
0.0001
0.01
1
100
1
0.0001
0.01
1
100
脉冲宽度:P
W
[s]
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W
[s]
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2012.06 - Rev.C
RRH140P03
lElectrical
特性曲线
数据表
图5雪崩电流与电感负载
100
图6雪崩能量降额曲线
VS结温
120%
雪崩能量:电子
AS
/ E
AS
最大。 [%]
雪崩电流: -I
AR
[A]
10
起始物为
ch
=25C
V
DD
=
-15V
V
GS
=
-10V
R
G
=10W
100%
80%
60%
40%
20%
0%
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
线圈电感: L [ MH]
结温:T已
j
[C]
图7典型的输出特性( I)
20
18
16
V
GS
=
-10V
V
GS
=
-4.5V
V
GS
=
-4.0V
V
GS
=
-3.0V
V
GS
=
-2.6V
V
GS
=
-2.4V
V
GS
=
-2.2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T
a
= 25C
图8典型的输出特性( II )
20
18
16
V
GS
=
-10V
V
GS
=
-4.5V
V
GS
=
-4.0V
T
a
= 25C
漏电流: -I
D
[A]
漏电流: -I
D
[A]
14
12
10
8
6
4
2
0
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
V
GS
=
-2.6V
V
GS
=
-2.4V
V
GS
=
-2.2V
4
6
8
10
漏 - 源极电压: -V
DS
[V]
漏 - 源极电压: -V
DS
[V]
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