【4V驱动P沟道MOSFETRRH040P03Structure硅P沟道MOSFET■特点1 ）低栅极】,IC型号RRH040P03,RRH040P03 PDF资料,RRH040P03经销商,ic,电子元器件-51电子网

4V驱动P沟道MOSFET

RRH040P03

Structure

硅P沟道MOSFET

■特点

1 ）低栅极电荷。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

●应用

开关

每根导线具有相同的尺寸

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

RRH040P03

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

Inner

电路

(8)

(7)

(6)

(5)

（ 1 ）资料来源

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）资料来源

（ 4 ）门

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

（ 7 ）排水

（ 8 ）漏

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

“绝对

最大额定值

（ TA = 25°C ）

参数

漏源电压

栅源电压

连续

漏电流

源出电流

（体二极管）

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

范围

±20

±4

±16

1.6

2.0

150

+150

单位

总功耗

通道温度

储存温度范围

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

2安装在陶瓷板上。

总胆固醇

TSTG

°C

热

阻力

参数

渠道环境

安装在陶瓷板上。

符号

RTH （ CH -A ）

范围

62.5

单位

°C

/ W

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○

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2009.12 - Rev.A的

RRH040P03

ⅵELECTRICAL

特征

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

数据表

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

（ TH ）

（上）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

典型值。

480

5.2

1.6

马克斯。

±10

2.5

115

125

单位

μA

测试条件

=±

20V, V

=0V

=1mA,

=0V

=30V,

=0V

=10V,

=1mA

=4A,

=10V

=2A,

=4.5V

=2A,

=4V

=4A,

=10V

=0V

f=1MHz

=2A,

=10V

=7.5Ω

=10Ω

= -4A ，V

=5V

=3.8Ω

=10Ω

15V

mΩ

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

测试条件

=4A,

=0V

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○

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RRH040P03

ⅵELECTRICAL

特性曲线

= -3.0V

= -2.5V

0.2

0.4

0.6

0.8

= -10V

= -4.5V

= -4.0V

= -3.5V

Ta=25°C

脉冲

Ta=25°C

脉冲

数据表

漏电流： -I

[A]

漏电流： -I

[A]

漏电流： -I

[A]

= -10V

脉冲

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = - 25℃

= -4.0V

= -3.5V

= -3.0V

0.1

0.01

1.5

2.5

漏源电压： -V

[V]

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

漏源电压： -V

[V]

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

栅源电压： -V

[V]

图3典型的传输特性

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

1000

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

Ta=25°C

脉冲

= -4.0V

= -4.5V

= -10V

1000

= -10V

脉冲

1000

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

= -4.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

100

0.1

漏电流： -I

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.1

漏电流： -I

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

正向传递

导纳： | YFS | [S ]

= -4.0V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

= -10V

脉冲

反向漏电流： -Is [ A]

1000

=0V

脉冲

100

TA = -25C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.1

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

0.5

1.5

0.1

漏电流： -I

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

0.01

0.1

0.01

漏电流： -I

[A]

图8正向转移导纳

与漏电流

源极 - 漏极电压： -V

[V]

图9反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

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○

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RRH040P03

数据表

300

静态漏源导通状态

电阻值：R

（上） [毫欧]

10000

Ta=25°C

脉冲

切换时间： T [ NS ]

栅源电压： -V

[V]

250

200

150

100

= -2.0A

1000

（关闭）

Ta=25°C

= -15V

=-10V

=10

脉冲

Ta=25°C

= -15V

= -4.0A

=10

脉冲

= -4.0A

100

（上）

0.01

0.1

栅源电压： -V

[V]

图10静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

漏电流： -I

[A]

图11开关特性

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图12动态输入特性

10000

电容： C [ pF的]

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

1000

西塞

100

CRSS

科斯

0.01

0.1

100

栅源电压： -V

[V]

图13典型电容

与漏源电压

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RRH040P03

Measurement

电路

脉冲宽度

D.U.T.

数据表

10%

50%

10%

90%

50%

10%

90%

D（上）

D（关闭）

关闭

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

G（常量）。

D.U.T.

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

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