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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第50页 > RRF015P03
4V驱动P沟道MOSFET
RRF015P03
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
TUMT3
0.2Max.
■特点
1)低导通电阻。
2 )高功率封装。
3 ) 4V的驱动器。
缩写符号: UJ
应用
开关
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位(件)
RRF015P03
TAPING
TL
3000
内部电路
(3)
2
(1)
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ,职务cycle1 %
* 2装在一个陶瓷基板。
符号
V
DSS
V
GSS
范围
30
20
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
6
0.6
6
0.8
150
55
+150
*1
*2
热阻
参数
渠道环境
*安装在陶瓷板上。
符号
RTH
( CH -A )
*
范围
156
单位
C
/ W
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2010.08 - Rev.A的
RRF015P03
电气特性
( TA = 25°C )
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
 
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
*
R
DS ( ON)
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
*
t
r
*
t
D(关闭)
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
-
30
-
1.0
-
-
-
1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
115
170
190
-
230
40
33
12
8
40
13
3.2
1.2
0.7
马克斯。
10
-
1
2.5
160
240
270
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= ± 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= -10V ,我
D
=1mA
I
D
= -1.5A ,V
GS
=10V
m我
D
= 0.7A ,V
GS
=4.5V
I
D
= 0.7A ,V
GS
=4V
I
D
= -1.5A ,V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 0.7A ,V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
21.4
R
G
=10
I
D
= -1.5A ,V
DD
15V
V
GS
= 5V
L
10
R
G
=10
数据表
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
Body
二极管的特性
(源极 - 漏极时)(Ta = 25C )
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= -1.5A ,V
GS
=0V
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2010.08 - Rev.A的
RRF015P03
电气特性曲线
数据表
3
漏电流:
I
D
[A]
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
=
10V
V
GS
=
4.5V
V
GS
=
4.0V
V
GS
=
3.0V
3
漏电流:
I
D
[A]
10
V
DS
=
10V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
漏电流:
I
D
[A]
1
2
2
V
GS
=
10V
V
GS
=
4.5V
V
GS
=
4.0V
V
GS
=
2.5V
V
GS
=
3.0V
0.1
1
V
GS
=
2.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
T
a
=25°C
脉冲
0.01
0
0
2
4
6
8
10
0.001
0
1
2
3
4
漏源电压:
V
DS
[V]
图1典型的输出特性(
Ⅰ)
漏源电压:
V
DS
[V]
图2典型的输出特性(
Ⅱ)
栅源电压:
V
GS
[V]
图3典型的传输特性
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(
on
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(
on
)[m]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(
on
)[m]
1000
T
a
=25°C
脉冲
1000
V
GS
=
4.0V
V
GS
=
4.5V
V
GS
=
10V
V
GS
=
10V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
1000
V
GS
=
4.5V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
100
100
100
10
0.1
1
漏电流: I
D
[A]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
Ⅰ)
10
10
0.1
1
漏电流:
I
D
[A]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
Ⅱ)
10
10
0.1
1
漏电流:
I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
Ⅲ)
10
正向转移导纳: | YFS | [S ]
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(
on
)[m]
V
GS
=
4.0V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
V
DS
=
10V
脉冲
源电流:
I
s
[A]
1000
10
10
V
GS
=0V
脉冲
1
100
1
T
a
=
25°C
T
a
=25°C
T
a
=75°C
T
a
=125°C
0.1
0.01
0.1
1
10
0.1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
= 25°C
10
0.1
1
漏电流:
I
D
[A]
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流(
Ⅳ)
10
0.01
0
0.5
1
1.5
漏电流:
I
D
[A]
图8正向转移导纳
与漏电流
源极 - 漏极电压: V
SD
[V]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
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RRF015P03
数据表
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(
ON
)[m]
500
400
300
200
100
0
0
5
10
I
D
=
1.5A
1000
切换时间: T [ NS ]
T
a
=25°C
脉冲
t
D(关闭)
100
栅源电压:
V
GS
[V]
t
f
T
a
=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
T
a
=25°C
V
DD
=
15V
I
D
=
1.5A
R
G
=10
脉冲
I
D
=0.7A
10
t
D(上)
t
r
1
15
0.01
0.1
1
10
栅源电压:
V
GS
[V]
图10静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
漏电流:
I
D
[A]
图11开关特性
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图12动态输入特性
1000
电容: C [ pF的]
C
国际空间站
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
100
C
RSS
C
OSS
10
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压:
V
DS
[V]
图13典型电容
与漏源电压
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2010.08 - Rev.A的
RRF015P03
测量电路
 
脉冲宽度
数据表
I
D
V
GS
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
10%
50%
10%
90%
50%
10%
90%
V
DS
90%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
I
D
V
GS
R
L
I
G(常量)。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下,芯片的老化和损坏。请考虑设计
ESD保护电路。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RRF015P03
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    -
    -
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2443+
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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27200
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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ROHM/罗姆
22+
33000
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电话:755-83252273
联系人:郑
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