RQM2201DNS
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G1492-0200
Rev.2.00
2007年4月16日
特点
小，薄，无引线型封装（ 3
×
3毫米，T = 0.8 mm最大。 ）
两个FET的芯片安装在一个封装
高密度安装
高速开关。 （CISS = 200 pF的典型值）
V
DSS
≥
60 V和能力2.5 V门极驱动
概要
瑞萨封装代码： PWSN0006ZA -A
（包名称： WSON0303-6 <HWSON - 6> ）
FET 1号
（ NCH ）
6
D
FET 2号
（ NCH ）
5
D
4
G
5
6
2
G
1
4
4
3 2
1
（底视图）
S
1
S
3
1,3 ：源
2,4：门
5,6 ：漏
注意事项：
1.标记为“ M2201 ” 。
2.下列最大额定值和电气特性应用到FET1和
FET2.
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
60
±12
2
8
2
1
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. 1驱动操作：当使用玻璃环氧基板（FR-4 40
×
40
×
1 mm)
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR- 4 40
×
40
×
1 mm)
REJ03G1492-0200 Rev.2.00 2007年4月16日
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RQM2201DNS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
60
+12
–12
—
—
—
0.4
—
—
2.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
173
207
3.5
200
25
13
7
28
30
4
2.4
0.4
0.4
0.8
最大
—
—
—
+10
–10
1
1.4
225
290
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
A
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= +100
A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= +10 V, V
DS
= 0
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 1 A，V
GS
= 2.5 V
Note4
I
D
= 1 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 10
RG = 4.7
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2 A
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
Note4
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第2 7
RQM2201DNS
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
2
10
0
10
s
最高安全工作区
10
s
通道耗散P沟（W）的
1.8
漏电流I
D
(A)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150 175 200
1
2
Dr
香港专业教育学院
O
pe
ra
TIO
s
m
s
1
m
10
1
DC
Op
er
at
离子
Dr
香港专业教育学院
0.1
Op
er
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
TA = 25°C
1次脉冲
n
at
离子
0.01
0.01
0.1
1
10
100
环境温度Ta （C ）
*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40
×
40
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
3.8 V
3.6 V
典型的传输特性
(1)
4
3.2 V
3.0 V
10
3.4 V
4V
2.8 V
2.6 V
3.5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8
10 V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
TC = 75℃
25°C
–25°C
1.5
2
2.5
6
脉冲测试
TC = 25
°
C
2.4 V
2.2 V
4
2.0 V
1.8 V
2
1.6 V
V
GS
= 1.4 V
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
典型的传输特性
(2)
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
外壳温度
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
25
50
75
100 125 150
1毫安
0.1毫安
I
D
= 10毫安
漏电流I
D
(A)
0.1
0.01
TC = 75℃
0.001
25°C
0.0001
–25°C
0.00001
0
0.5
1
1.5
2
0
–25
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度（ ° C）
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RQM2201DNS
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
0.6
0.5
0.4
2A
0.3
0.2
0.1
0
0
1.5 A
1A
0.5 A
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
脉冲测试
TC = 25°C
1
脉冲测试
TC = 25°C
V
GS
= 2.5 V
漏极至源极饱和电压
0.1
10 V
4.5 V
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
–25
0
25
50
75
0.5 A
脉冲测试
V
GS
=
4.5
V
100 125 150
1A
1.5 A
I
D
= 2 A
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
–25
脉冲测试
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 2 A
1.5 A
1A
0.5 A
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （
°
C)
外壳温度
TC （
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
10000
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
正向转移导纳
| YFS | （ S）
10
脉冲测试
V
DS
= 10 V
–25°C
零栅极电压漏极电流
I
DSS
（ nA的）
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
25°C
1
TC = 75℃
100
10
0.1
0.1
1
10
1
–25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （
°
C)
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第4 7
RQM2201DNS
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
80
I
D
= 2.0 A
16
1000
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
开关特性
60
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
12
开关时间
T（ NS ）
100
tf
TD （关闭）
40
8
10
TD （上）
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
1
2
3
4
5
4
tr
1
0.01
0.1
1
10
0
0
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
450
Ciss1
100
科斯
10
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
输入电容与
栅极至源极电压
西塞，科斯，的Crss （PF ）
400
Ciss2 （PF ）
350
300
CRSS
250
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0
10
20
30
40
50
60
200
–10 –8 –6 –4 –2 0
2
4
6
8 10
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
0.7
V
GS
= 0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–25
1毫安
8
6
4.5 V
4
2.5 V
V
GS
= 0 V
2
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 10毫安
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
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QQ：2880707522 复制
