RQK2501YGDQA
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G1521-0200
Rev.2.00
2007年11月6日
特点
高漏极至源极电压和低栅极驱动器
V
DSS
： 250 V和2.5 V门极驱动
低驱动电流
高速开关
传统的小封装（ MPAK ）
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
D
3
1
2
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
250
±10
0.4
1.6
0.4
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 40
×
40
×
1 mm)
REJ03G1521-0200 Rev.2.00 2007年11月6日
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RQK2501YGDQA
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
250
+10
–10
—
—
—
0.5
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
4.0
4.1
0.95
80
10
3
15
16
40
38
4.0
0.5
2.6
0.8
最大
—
—
—
+10
–10
1
1.5
5.4
5.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
单位
V
V
V
A
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= +100
A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= +8 V, V
DS
= 0
V
GS
= –8 V, V
DS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.2 A，V
GS
=4 V
Note3
I
D
= 0.2 A，V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 0.2 A，V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 125 V,V
GS
= 4 V
I
D
= 0.2 A
R
L
= 625
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 4 V
I
D
= 0.4 A
I
F
= 0.4 A，V
GS
= 0
Note3
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第2 7
RQK2501YGDQA
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1.0
最高安全工作区
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
0.8
1
1
10
10
m
s
0
s
0.6
0.1
DC
Op
m
10
0
s
0.4
m
s
er
at
0.01
TA = 25°C
1次脉冲
离子
0.2
0
0.001
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
环境温度Ta （C ）
*当使用玻璃环氧基板（FR-4 40 ×40 ×1mm）上
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.6
1.4
4V
7V
10 V
2.5 V
典型的传输特性
(1)
1.6
V
DS
= 10 V
脉冲测试
2.2 V
1.4
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.2
2.0 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–25°C
TC = 75℃
25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
4
8
12
16
脉冲测试
TC = 25
°
C
1.6V
1.4V
V
GS
= 0V
1.8 V
20
0
0
1
2
3
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
典型的传输特性
(2)
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
外壳温度
2.0
漏电流I
D
(A)
0.01
TC = 75℃
0.001
25°C
0.0001
1.5
I
D
= 10毫安
1.0
0.5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
–25
0
25
50
1毫安
0.1毫安
–25°C
0.00001
0
0.5
1
1.5
2
75
100 125 150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度（ ° C）
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第3页7
RQK2501YGDQA
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
3.0
2.5
2.0
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
脉冲测试
TC = 25°C
100
脉冲测试
TC = 25°C
0.4 A
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2 A
0.1 A
10
V
GS
= 2.5 V
4.5 V
10 V
1
0.1
2
4
6
8
10
1
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 1 ）
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 2 ）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
10
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
10
脉冲测试
V
GS
= 2.5 V
8
6
I
D
= 0.4 A
8
I
D
= 0.4 A
6
0.1A
4
0.2 A
0.2 A
4
0.1 A
2
0
脉冲测试
V
GS
=
4
V
2
0
–25
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （
°
C)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
外壳温度
TC （
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
10
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= 250 V
10
脉冲测试
V
DS
= 10 V
–25°C
25°C
TC = 75℃
零栅极电压漏极电流I
DSS
（ nA的）
正向转移导纳
| YFS | （ S）
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
0.001
–25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （
°
C)
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第4 7
RQK2501YGDQA
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
300
V
DD
= 50 V
100 V
200 V
12
1000
V
GS
= 4 V, V
DD
= 125 V
RG = 10
,
税
≤
1 %
TC = 25°C
开关特性
200
8
6
开关时间
T（ NS ）
I
D
= 0.4 A
10
TC = 25
°C
100
TD （关闭）
tf
tr
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
0
0
4
6
8
4
2
0
10
TD （上）
10
0.01
0.1
1
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
420
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
输入电容与
栅极至源极电压
西塞，科斯，的Crss （PF ）
380
西塞
340
100
西塞（PF ）
10
科斯
CRSS
1
0
30
60
90
120
150
300
260
220
180
–10 –8 –6 –4 –2
V
DS
= 0
F = 1MHz的
0
2
4
6
8 10
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
1.6
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
0.7
V
GS
= 0
0.6
I
D
= 10毫安
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–25
1毫安
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
2.5, 4, 10 V
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
脉冲测试
TC = 25°C
1.6
2.0
V
GS
= 0, –2.5, –4, –10 V
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
REJ03G1521-0200 Rev.2.00 2007年11月6日
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