RQK0608BQDQS
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G1621-0100
Rev.1.00
2008年3月3日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 120毫欧（典型值） 。 （在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.6 A)
低驱动电流
高速开关
V
DSS
： 60 V ，并能2.5 V门极驱动
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
2, 4
D
2
3
1G
4
S
3
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
注意：
标记为“ BQ ” 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±12
3.2
10
3.2
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 40
×
40
×
1 mm)
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 2008年3月3日
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RQK0608BQDQS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
60
+12
–12
—
—
—
0.4
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
120
140
7.5
300
36
20
12
64
32
4
3
0.6
1
0.8
最大
—
—
—
+10
–10
1
1.4
155
195
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
A
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= +100
A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= +10 V, V
DS
= 0
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1.6 A，V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 1.6 A，V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 1.6 A，V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 1.6 A
V
GS
= 4.5 V
R
L
= 6.2
RG = 4.7
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.2 A
I
F
= 3.2 A，V
GS
= 0
Note3
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RQK0608BQDQS
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
2
100
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
1.5
漏电流I
D
(A)
10
10
s
100
s
1
1毫秒
100毫秒
1
10毫秒
0.1
0.01
TA = 25°C
1次脉冲
0.5
直流操作
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
环境温度Ta （C ）
*当使用玻璃环氧基板（FR-4 40 ×40 ×1mm）上
漏极至源极电压V
DS
(V)
8V, 10 V
典型的输出特性
4 V 2.4 V
2.6 V
2.2 V
典型的传输特性
(1)
10
–25°C
25°C
10
漏电流I
D
(A)
2.0 V
漏电流I
D
(A)
8
2.8 V
脉冲测试
TC = 25
°
C
8
6
1.8 V
6
TC = 75℃
4
1.6 V
4
2
1.4 V
V
GS
= 0V
2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
0
1
2
3
4
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
典型的传输特性
(2)
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
外壳温度
2.0
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1.5
I
D
= 10毫安
1.0
漏电流I
D
(A)
0.1
TC = 75℃
0.01
25°C
0.001
–25°C
0.5
0.0001
0.00001
0
0.5
1
1毫安
0.1毫安
1.5
2
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度（ ° C）
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 2008年3月3日
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RQK0608BQDQS
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
800
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
脉冲测试
TC = 25°C
1000
600
V
GS
= 2.5 V
400
I
D
= 3.2 A
2.4 A
100
10 V
4.5 V
200
1.6 A
1.0 A
0.5 A
脉冲测试
TC = 25°C
10
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 1 ）
300
脉冲测试
V
GS
=
4.5
V
250
200
I
D
= 3.2 A
2.4 A
1.6 A
1.0 A
0.5A
100
50
–25
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 2 ）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
300
脉冲测试
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 3.2 A
2.4 A
1.6 A
250
200
0.5A
1.0 A
150
150
100
50
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （
°
C)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
外壳温度
TC （
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
10000
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
100
脉冲测试
V
DS
= 10 V
–25°C
10
零栅极电压漏极电流I
DSS
（ nA的）
正向转移导纳
| YFS | （ S）
1000
100
25°C
1
TC = 75℃
10
1
0.1
–25
0.1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （
°
C)
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RQK0608BQDQS
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
80
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
16
10000
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
TC = 25°C
1000
tr
开关特性
60
12
开关时间
T（ NS ）
40
8
100
TD （关闭）
TD （上）
10
tf
1
0.01
0.1
1
10
20
4
I
D
= 2.4 A
TC = 25
°C
0
0
2
4
6
8
0
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
600
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
输入电容与
栅极至源极电压
西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
550
西塞（PF ）
科斯
CRSS
500
100
450
400
10
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
= 0
F = 1MHz的
0
2
4
6
8 10
350
–10 –8 –6 –4 –2
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
0.6
V
GS
= 0
0.5
I
D
= 10毫安
0.4
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
TC = 25°C
8
2.5 V
4.5 V
10 V
0V
2
V
GS
= –2.5, –4.5, –10 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
6
4
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
0.3
1毫安
0.2
–25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
REJ03G1621-0100 Rev.1.00 2008年3月3日
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QQ：2880707522 复制
