【RQK0606KGDQA硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G1497-0100Rev.1.00】,IC型号RQK0606KGDQA,RQK0606KGDQA PDF资料,RQK0606KGDQA经销商,ic,电子元器件-51电子网

RQK0606KGDQA

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G1497-0100

Rev.1.00

2007年1月15日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 173毫欧（典型值）。（在V

= 4.5 V，I

= 0.8 A)

低驱动电流

高速开关

DSS

≥

60 V和能力2.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注：标记为“ KG ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

±12

1.5

0.8

150

-55到+150

单位

°C

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 40

1 mm)

Rev.1.00 2007年1月15日第1页7

RQK0606KGDQA

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

+12

–12

—

0.4

—

2.3

—

典型值

—

173

207

200

2.2

0.4

0.7

0.8

最大

—

+10

–10

1.4

225

290

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= +100

= 0

= –100

= 0

= +10 V, V

= 0

= –10 V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 0.8 A，V

= 4.5 V

Note3

= 0.8 A，V

= 2.5 V

Note3

= 0.8 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 0.8 A

= 10 V

= 12.5

RG = 4.7

= 10 V

= 4.5 V

= 1.5 A

= 1.5 A，V

= 0

Note3

Rev.1.00 2007年1月15日第2 7

RQK0606KGDQA

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

最高安全工作区

100

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

0.8

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（FR-4 40 ×40 ×1mm）上

0.3

0.1

0.03

在这一领域

0.01

由R有限公司

DS （ ON）

0.003

TA = 25°C

1SHOT脉冲

0.001

0.01 0.03 0.1 0.3

0.6

0.4

离子

0.2

100 125 150 175

10 30 100

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

3.0 V

2.8 V

典型的传输特性

(1)

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2.2 V

2.6 V

2.4 V

–25°C

25°C

TC = 75℃

2.0 V

1.8 V

1.6 V

脉冲测试

TC = 25

1.4 V

= 0 V

= 10 V

脉冲测试

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

= 10 V

脉冲测试

外壳温度

漏电流I

(A)

0.1

0.01

TC = 75℃

0.001

25°C

0.0001

–25°C

= 10毫安

1毫安

0.1毫安

= 10 V

脉冲测试

–25

100 125 150

0.00001

0.5

1.5

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.1.00 2007年1月15日第3页7

RQK0606KGDQA

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

800

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

脉冲测试

TC = 25°C

1000

脉冲测试

TC = 25°C

600

400

1.5 A

= 2.5 V

200

= 0.5 A

10 A

100

0.1

4.5 A

栅极至源极电压

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度（ 1 ）

500

脉冲测试

4.5

400

= 2 A

300

1.5 A

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度（ 2 ）

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

500

脉冲测试

= 2.5 V

= 2 A

1.5 A

400

300

200

0.5 A

200

0.5 A

100

–25

100 125 150

100

–25

100 125 150

外壳温度

TC （

外壳温度

TC （

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

10000

脉冲测试

= 0 V

= 60 V

正向转移导纳

| YFS | （ S）

脉冲测试

= 10 V

–25°C

零栅极电压漏极电流

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

1000

25°C

100

TC = 75℃

0.1

0.01

0.1

–25

100 125 150

漏电流

(A)

外壳温度

TC （

Rev.1.00 2007年1月15日第4 7

RQK0606KGDQA

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

= 50 V

25 V

10V

1.5

TC = 25°C

25 V

= 50 V

10 V

1000

= 4.5 V, V

= 10 V

RG = 4.7

税

≤

1 %

TC = 25°C

100

TD （关闭）

TD （上）

开关特性

开关时间

T（ NS ）

0.01

0.1

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

450

输入电容与

栅极至源极电压

Ciss1 ，科斯，的Crss （PF ）

西塞

400

Ciss2 （PF ）

100

350

科斯

CRSS

= 0 V

F = 1 MHz的

300

= 0 V

F = 1 MHz的

250

–10 –8 –6 –4 –2 0

8 10

漏源极电压

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

0.7

= 0

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

–25

1毫安

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

TC = 25°C

10 V

4.5 V

2.5 V

= –2.5 V,

–4.5 V,

–10 V

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

= 10毫安

100 125 150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.1.00 2007年1月15日第5页7

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